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隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,由於容量所限 B-Die 顆粒已經進入了 EOL 狀態,並交由更密集的 M-Die 及 A-Die 產品去接替。
在工藝製造上,舊有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工藝生產,至於新的 A-die 記憶體則會轉向更新的 10nm 節點,預期在製程提升的情況下,新的 A-die 記憶體有望能夠實現更高的時脈速率,同時單顆 die 可以做到 16Gb 或 32Gb,即 2GB 或 4GB 容量,最高能做到單面 32GB 容量的記憶體。

Samsung 表示,100 層 V-NAND Flash 使用“通道孔蝕刻”技術,新的 V-NAND 顆粒比之前的 90+層堆疊結構增加約 40% 的層數,達到了 136 層,同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面,可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其 100 層 (第 6 代) V-NAND Flash 的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs,與上代 90 層 V-NAND 相比,100 層 V-NAND 不僅性能提升了 10%,功耗還降低了 15% 。
值得一提的是,新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減,讓生產效率能夠提高 20%。

為了能緩解 14nm 產能危機的問題,Intel 雖然已巨額斥資興建晶圓廠增加自家生產線,不過建造工廠需要數年時間,因此在燃眉之急的情況下,只能尋求外緩幫手, 並正與 Samsung 討論合作的相關事宜。
Samsung 代工業務部門積極的銷售策略是吸引 Intel 的其中一個原因,據了解,Samsung 提供特殊規格的全光罩(full-mask)給出的價格比台積電低 60%,Samsung 的全光罩是一種用於在晶圓上繪製電路的薄膜,比台積電推出的MLM 多層綜合光罩價格便宜,讓 Samsung 已經獲得了大量客戶的支持,能降低製造成本亦是吸引 Intel 的原因。
2019-06-18

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢,在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後,Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程,Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後,EUV 光罩層會明顯增加 2~3 倍以上,對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。
另外,佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM,也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體,其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。

Samsung B-Die是 Samsung生產的一種記憶體 DRAM 顆粒,與其他 DRAM 顆粒相比有更高頻、低時序、吃電壓的特性,同時有不俗的超頻能力,一條普通的DDR4-2133 隨便就可以跑到DDR4-3200甚至4000,成為超頻界的火熱顆粒,加上在過去幾年INTEL 及 AMD推出的新處理器對記憶體頻率的要求越來越高,基本都是DDR4-2666以上,因此Samsung B-Die 更成為高階用家追捧的產品。
隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,最新公佈的 B-Die顆粒即將進入 EOL 狀態,取而代之的是更密集的M-Die及A-Die產品。
