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【想加價不如直接講!!】今次係火災喎 Samsung 華城晶片廠大火燒足兩個半鐘
文章索引: 記憶體 Samsung IT要聞
武漢肺炎在全球肆虐,除了中國内地成重災區之外,南韓疫情同樣嚴峻,目前已累計有 7 千多宗確診病例,半導體行業有大量的原材料源於日、韓兩地,記憶體產量或多或少將會可能受阻,而目前 DRAM 價格較 3 個月前低谷期已暴漲 4 成。在 NAND Flash 及 DRAM 報價持續向上的情況下又有「事故」發生了,日前 Samsung 位於華城的半導體廠發生火災,當地居民稱,大火的黑煙覆蓋了週邊地區,最終持續燒足 2 個半小時後才被撲滅。

據了解,位於韓國首爾南部、京畿道華城的工廠是 Samsung 目前最先進的晶片生產基地,主要生產先進極紫外光 EUV 工藝邏輯代工、高階 DRAM、NAND Flash 等產品。

是次火災在 3 月 8 日晚上發生,當地居民表示,發生火災的時候大火的黑煙覆蓋了週邊地區,隨後消防部門就迅速趕到,消防部門出動了 48 輛消防車及 124 名消防員趕到工廠進行滅火。最終大火持續了兩個半小時,在當地時間週一凌晨才被撲滅,消防部門目前正在對起火原因進行調查。
【高達 3.2GB/s!!】1 秒內傳輸 82 部 FHD 影片 Samsung 第三代 HBM2E 記憶體「Flashbolt」 目前,高階及主流級的 NVIDIA GeForce RTX 20 系列及 AMD Radeon RX5000 系列繪圖卡都已經搭載了新一代的 GDDR6 記憶體,至於相對更高階的 Titan V、Radeon VII 繪圖卡就採用了另一款的 HBM2 記憶體,在上週,JEDEC 就正式發佈了全新升級、第三版的 HBM2E 記憶體標準「JESD235C」,作為儲存晶片生產大廠的 Samsung 亦隨即宣佈推出名為 Flashbolt 的第三代 HBM2E 記憶體,HBM2E 單顆最大容量為 16GB,由 8 顆 16Gb 的 DRAM 顆粒堆疊而成,單個封裝可實現 16GB 容量,最高可提供 3.2Gbps 的穩定數據傳輸速度,預計新的 HBM2E 記憶體將在今年上半年開始量產。

Samsung 在 2019 年 3 月宣佈成功研發了業界首款符合 HBM2E 規範的記憶體,HBM2E 是 HBM2 的升級版標準,HBM2 的最大數據傳輸速度可達 2.4Gbps ,在此之前使用 HBM2 記憶體的繪圖卡分別有 AMD Radeon VII 及 NVIDIA Titan V,其中 Radeon VII 的記憶體介面為 4096-bit 、頻寬最高可達 1TB/s,至於Titan V 的記憶體介面為 3072-bit、頻寬也達到了 653GB/s。

至於 JEDEC 最新發佈的第三版 HBM2E 標準「JESD235C」,電壓依舊保持在 1.2V,不過其針腳頻寬提高到 3.2Gbps,較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。按照 JEDEC 給出的設計規範,單 Die 最大可達 2GB、單堆疊 12Die 能達到 24GB 的容量,將其配備在支援四堆疊的 GPU 繪圖晶片上,便可為繪圖卡提供 1.64TB/s 的總頻寬。
【齊齊燒大錢?!】晶片設計至少投資 10 億美元 台積電、Samsung 2nm 成本上漲或無人用得起
文章索引: Samsung TSMC IT要聞
「有競爭才會有進步」不但可以在「Intel vs AMD 處理器市場」及「NVIDIA vs AMD 繪圖卡市場」的競爭中可見,其實 TSMC 台積電及 Samsung 兩大晶圓代工廠亦在正在「制程工藝競賽」,目前台積電在晶圓代工行業已把競爭對手的差距拉得非常大,老大的地位毋庸置疑,不過日前有消息指 Samsung 將採用降價策略搶客,而兩廠之爭更延續到 3nm、2nm 工藝,在最樂觀的情況下在 2024 年 2nm 工藝將會正式量產,可惜的是即使解決 2nm 工藝技術研發的難題,但由於成本直線上漲,恐怕全球也沒幾家用得起。

有別於以往間隔多年推出一代全新工藝,兩大晶圓代工廠 TSMC 台積電及 Samsung 都改變打法,一項重大工藝進行部分優化升級之後,就會以更小的數字命名。作為韓系晶片組大廠龍頭的 Samsung 在工藝方面非常激進,6nm、5nm、4nm、3nm 等都已勢如破竹準備量產,至於對手 TSMC 在較早前就宣佈的 3nm 製程發展相當順利,後續的 2nm 研發亦開始啟動,預計 2024 年能夠投產。

儘管 10nm 以下晶片製造工藝的突破已經愈加艱難,但 TSMC 台積電作為晶片組領先企業並沒有因此而放緩研發的步伐。在去年 7 月時已宣佈 3nm 製程的開發進展順利,並且已經與早期客戶就技術定義進行了接觸,預期 3nm 制程可進一步鞏固 TSMC 在行業的領導地位。
【CES 2020】加入指紋辨認解鎖、讀速超 1GB/s Samsung 推出 T7 Touch 便攜式 SSD
文章索引: 儲存裝置 Samsung IT要聞
Samsung 除了在 CES 2020 大會上展出了「可能是目前唯一一款 MLC NAND 的 PCIe 4.0 SSD」980 PRO 新品之外,同時還展示了新一代便攜式 SSD,型號「 T7 Touch 」,一如其名自帶了指紋識別傳感器,可用於辨認解鎖、加密數據,當然也有無指紋版本,讀寫速度超過 1GB/s,是上代 T5 SSD 的兩倍。

Samsung 全新「 T7 Touch 」採用了時尚、緊湊的外觀設計,鋁質外殼可承受 2 米高度跌落,備有經典黑及時尚銀兩種顏色可供選擇,便攜式設計重量只有 58g,提供了 500GB、1TB、2TB 容量,採用 USB 3.2 Gen 2 介面連接。

「 T7 Touch 」在密碼保護和 AES 256-月bit 硬件加密的基礎上,還率先將內置指紋識別功能引入了 Samsung SSD 之中,每台「 T7 Touch 」均配備“動感 LED”,用戶只需簡單的一掃就即可確定設備是否處於連接狀態。
【CES 2020】MLC NAND、讀取最高 6.5GB/s!! Samsung 首款 PCI-E 4.0 M.2 SSD 980 PRO 在 2019 年 AMD 發佈了全新的 Ryzen 3000 系列桌面級處理器及 X570 晶片組平台之後,正式將高速 PCIe 4.0 傳輸帶到消費級市場,各品牌廠家都陸陸續續推出了 PCIe 4.0 的儲存裝置,今年 Samsung 也要加入戰團了,在 CES 2020 大會上展示了自家的全新「980 Pro」M.2 SSD,是 Samsung 首款支援 PCIe 4.0 的消費級 SSD,採用了 MLC NAND Flash,讀取速度最高可達 6.5GB/s。

據了解,全新旗艦消費級「980 Pro」PCIe 4.0 M.2 SSD 是基於 Samsung 最新第六代 V-NAND 及自家主控制器,備有 250GB、500GB 及 1TB 三款儲存容量可供選擇,使用的是 2bit MLC 顆粒。

速度方面,「980 Pro」的連續讀取速度最高可達 6500 MB/s 、連續寫入速度最高可達 5000 MB/s,速度比目前採用 Phison E16 主控制器的 PCIe 4.0 SSD 快很多。
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