Samsung B-Die 已被廣泛認為是一款優秀的高性能 DRAM 記憶體，由於由於有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性，普通一條的 DDR4-2133 記憶體，都可以輕易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000，深受不少超頻玩家的青睞。然而，Samsung 在 5 月份時已宣佈將 B die 停產，取而代之的就是用上 Samsung 1z nm（1z 級別）光刻工藝製造 A-Die 替代品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量，記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要，Samsung 亦不得不調整公司的方向，由於容量所限 B-Die 顆粒已經進入了 EOL 狀態，並交由更密集的 M-Die 及 A-Die 產品去接替。

在工藝製造上，舊有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工藝生產，至於新的 A-die 記憶體則會轉向更新的 10nm 節點，預期在製程提升的情況下，新的 A-die 記憶體有望能夠實現更高的時脈速率，同時單顆 die 可以做到 16Gb 或 32Gb，即 2GB 或 4GB 容量，最高能做到單面 32GB 容量的記憶體。

根據外媒 Hardwareluxx 最新挖出的消息，是一款識別為「M378A4G43AB2-CVF」型號的 A-Die 記憶體，這是一款容量為 32GB 的雙排記憶體。如果你還記得，Samsung 的承諾之一就是在新的 A-die 記憶體中提供更高的容量。規格方面，這款 Samsung 新記憶體的額定運行時脈為 2,933 MHz，時序為 CL21-21-21、1.2V 工作電壓。

從以上曝光的資料來看，這款新的記憶體速度相當不錯，不過由於 A-die 仍屬非常早期的產品，應該還有不少的進步空間，究竟 A-Die 在超頻方面能否超越舊有的 B-Die，還是擁有相同的效能，就有待 Samsung 日後公佈吧。