為了進一步提高 SSD 容量及密度，Samsung 在日前正式宣佈開始生產業內首批 100 層 V-NAND，是基於 136 層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit，也就是 TLC ) 晶片，首款應用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 產品，預計性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生產效率提升 20%，數據傳輸速度是現時業內最快。

Samsung 表示，100 層 V-NAND Flash 使用“通道孔蝕刻”技術，新的 V-NAND 顆粒比之前的 90+層堆疊結構增加約 40% 的層數，達到了 136 層，同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面，可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其 100 層 (第 6 代) V-NAND Flash 的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs，與上代 90 層 V-NAND 相比，100 層 V-NAND 不僅性能提升了 10%，功耗還降低了 15% 。

值得一提的是，新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減，讓生產效率能夠提高 20%。

Samsung 還補充，今年下半年將增加產量，並使用512Gb 3-bit V-NAND Flash 來生產 SSD 及 eUFS 產品，以滿足各種規格的新需求。

基於 256Gb 的 3-bit V-NAND 將用於企業級 PC SSD，Samsung 還透露 250GB SATA SSD 已供應給了一家 PC 製造商，但 Samsung 並有透露客戶的名稱，至於消費級產品將會在不久後問世。同時，Samsung 亦計劃下半年推出基於 512Gb 第六代的 TLC SSD 及 UFS NAND Flash，以滿足更多客戶需求。