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「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會 Samsung 介紹了旗下開發的 3D NAND“V-NAND” 發展趨勢,在去年已大量生產採用 64 層堆疊的第四代 V-NAND,而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生產,全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。
同時,Samsung 亦提到已首發核心容量達 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片,Samsung 1-Tbit NAND 可支援高達每秒 1.2Gbits 的資料速率,並在一個堆疊 32 顆裸晶的封裝中支援高達 4Tb 容量。

Samsung 全新「C43J89」超寬曲面屏顯示器採用了 43 吋 VA 面板,比例為32:10,屏幕解像度為 3840 x 1200,1800R曲率弧度,更新率達到了120Hz、5ms反應時間,支援8位色,典型亮度為亮250cd/m2(非最高亮度) ,靜態對比對3000:1,可視角度為 178 度,並支援 Samsung Eye-Saver、無閃爍等技術。
「C43J89」屏幕大小與兩組比例為16:10 的 24 吋顯示器相同,同時顯示器的像素點距為 0.27mm,適合文字工作者使用,另外「C43J89」顯示器可以同時連接 2 台主機或者設備。擴充能力方面,「C43J89」顯示器提供了一組HDMI 2.0、一組 DisplayPort 1.2、兩個Type-C、三組USB 3.0及一個 3.5mm 耳機輸入孔。

隨著在全球優質記憶體的需求不斷增長,Samsung 將繼續擴展下一代 10nm 級 DRAM 陣容。自 2014 年第一款 8Gb LPDDR4 投入量產以來,Samsung 已開始轉向 LPDDR5 標準,用於即將推出的 5G 和 AI 人工智能移動應用。
據 Samsung 指出,8Gb LPDDR5 的數據速率高達 6,400 Mb/s,是現有旗艦移動設備 LPDDR4X 晶片、4266Mb/s 速率的 1.5 倍。隨著傳輸速率的提高,新的 LPDDR5 可以在一秒鐘內發送 51.2 GB 的數據,或大約 14 個全高清視頻檔案 ( 每個3.7GB )。
2018-07-16

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大廠在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的產能,Samsung 的市場份額更維持在 45-50% ,因此在 2017 年 Samsung 的業績瘋漲不停,晶片業務為其帶來了最大的貢獻,DRAM 價格持續上漲更為 Samsung 帶來了更大的利潤。
面對記憶體產品的缺貨以及 DRAM 晶片的高需求,Samsung 為了加速 18nm 產品的出貨速度,強行縮短了部分流程,早前更有消息傳出 Samsung 18nm 記憶體模組產品存在瑕疵和隱患,需要召回用於 18nm DRAM 晶片生產的記憶體。
2018-07-10

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。
全新 V-NAND 相較 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強,主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V,同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快,達到 500 μs,比上一代寫入速度提高了約 30%,而對讀取訊號的反應時間則顯著減少到50μs,新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命,並降低從 Desktop 及數據中心系統的整體功耗。
