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Samsung 全新 32GB UDIMM DDR4 記憶體是基於今年較早時候發佈的 16 Gb 晶片,並已經用於生產 32GB SO-DIMM及64 GB RDIMM 記憶體產品,有別於高容量的記憶體主要為伺服器系統而生,這款32 GB UDIMM DDR4記憶體屬於 UDIMM 無緩衝、無 ECC、無 Registered 的記憶體模組,正正是針對消費級桌面 PC 平台。
Samsung 指出,編號為「M378A4G43MB1-CTD」的單條 32GB UDIMM DDR4 記憶體適用於各種應用,可在滿足低功耗要求的同時提供出色性能,該記憶體採用了採用了 16顆 Samsung M-die 16Gb ( 2GB ) DDR4 記憶體顆粒,組成 32GB 容量,在標準 1.2 V 電壓下提供 DDR4-2666 MHz 時脈,官方未有公佈記憶體的時序,但估計將使用了 DDR4-2666 的標準 JEDEC 時序 CL17 或更高,Samsung 表示使用 16Gb 顆粒的記憶體模塊會比使用 8Gb 顆粒的同容量記憶體更為節能。

Samsung 全新「X5 SSD」特別為需要快速便捷的儲存及數據傳輸的用家而設,整體尺寸為 119 x 62 x 19.77mm,重量約 150g,備有 500GB、1TB、2TB 儲存容量。「X5 SSD」靈感來自超級跑車,外殼以全金屬打造,正面採用了銀黑色鏡面設計,側面的接口及底部就用上鮮紅色,設計富有時尚感。
「X5 SSD」首次支援 NVMe 協議並配備 Thunderbolt 3 高速接口,兼容配備 Thunderbolt 3 接口的 Mac 和 Windows 設備,讀寫速度最高可達 2,800 MB/s、2,300 MB/s,是 SATA 接口移動 SSD 的 5.2 倍、普通移動硬碟的 25.5 倍、USB 3.1的4 倍傳輸速度,只需 12 秒即可將 20GB 4K UHD 視頻從 PC 傳輸到 X5。

Samsung 最新宣佈正為 NVIDIA 全新 Quadro RTX GPU 提供 GDDR6 記憶體,得益於 Samsung 業界領先的 16Gb GDDR6 記憶體用戶可以在最廣泛的圖形密集型應用程式中獲得更高的效能,包括運算機輔助設計(CAD)、數字內容創建(DCC)和科學可視化應用程式,Samsung 16Gb GDDR6 還可用於快速發展的領域,如 8K 超高清視頻處理、VR 虛擬實境、AR 增強實境及 AI 人工智能等領域。
據 Samsung 資料指出,全新 16Gb 容量的 GDDR6 是現時首款可用於的圖形市場的記憶體,採用 Samsung 10nm 級工藝技術,比上代 20nm 8Gb GDDR5 記憶體容量增加了一倍,新解決方案的速度為 14Gbps,數據傳輸速率為 56 GB/s,與 8Gb GDDR5 相比速度提升了 75%。此外,Samsung GDDR6 的功耗比 GDDR5 圖形解決方案低 35%。採用最先進的低功耗電路設計,Samsung 16Gb GDDR6 的工作電壓為 1.35V,而目前市場上常見的 GDDR5 功耗的電壓為 1.55V。

IC Insights 日前發佈的《The McClean Report》報告中分析及預測了全球 IC 晶片產業的情況,在 2018 年全球前 DRAM 產業總價值預計將達 1016 億美元,年增幅高達 39%,蟬聯今年的冠軍,佔全年整個IC行業的多達 24%。NAND Flash 行業排名第二,產值有望達到 626 億美元,與 DRAM 行業合計 428 億美元,佔全產業的 38% 之多。
第三位的則是標準 PC、伺服器微處理器,市場價值為 507.8 億美元,年增幅僅 5%。即便如此,也是該行業連續兩年創造新高了。之後是運算晶片、無線通訊晶片,分別為 276、160 億美元左右。

Samsung 全新 QLC SSD 基於 1 Tb 64 層 QLC V-NAND Flash,備有 1TB、2TB 及 4TB 容量選擇,最多可支援 32 個 NAND 晶片。全新的 QLC SSD 採用 2.5 吋、7mm 厚度,與具有 SATA 連接器的台式機及筆記本電腦兼容,Samsung 表示將會在今年稍後時間推出基於 QLC V-NAND 記憶體的 M.2 固態硬盤。
傳輸速度方面,全新的 Samsung QLC SSD 在啟用 TurboWrite SLC Cache 緩存技術下,可以提供高達 540 MB/s 的連續讀取速度以及高達 520 MB/s 的連續寫入速度,4K 隨機 I/O 速度則未有提供。
