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據了解,一名李姓男子 Rivon 近日在 cafe.naver 平台發表了一個帖文,聲稱在購買「Galaxy S10 5G」後僅使用了六天,手機竟突然冒煙及著火,最終嚴重燒毀,李姓男子在帖文上聲稱:「當時我將手機放在桌上,突然間聞到有燒焦的味道,之後就迅速冒煙。我有嘗試拿起手機,但由於手機太燙了,我不得不把它丟到地上。」
根據圖片可見,手機屏幕很大部份燒成金黃色,屏幕亦已出現碎裂,至於玻璃背蓋亦有碎裂及燒溶的跡象,同時更有明顯燒焦的痕跡。幸運的是,Rivon 沒有因此受到傷害。

MRAM 一種非易失性的磁性隨機儲存器,除了 MRAM,還有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存儲器,能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等,提升數據保存的能力。
Samsung 指出,eFlash (嵌入式閃存) 要進步已經非常困難,由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技術 ,雖然密度越來越高,但是相對來說壽命亦越來越短,主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V。
至於Samsung,在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃,採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V,同時提供高達 7.5G/s 的速度,主要將用於移動設備上,包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。

Samsung 全新 1TB eUFS 2.1 晶片能夠為下一代移動應用帶來更優秀的使用體驗,在相同封裝尺寸 ( 11.5mm x 13.0mm ) 內,1TB eUFS 解決方案將先前 512GB 版本的容量提升了一倍,將 16 個堆疊的 Samsung 512Gb V-NAND Flash 與新開發的專用 Flash主控集合在一起。相比之下,目前高階手機常用的 64GB eUFS 只能儲存大約 13 段 4K UHD ( 3840 x 2160 ) 影片,而全新 1TB eUFS 2.1 晶片的容量,則可以錄製 260 段時長 10 分鐘的 4K UHD ( 3840 x 2160 )影片。
不僅在儲存容量方面有所提升, 1TB eUFS 還具有出色的傳輸速度,新的 eUFS 讀取速度高達 1,000MB/s,寫入速度也高達 260MB/s,連續讀取速度是主流 2.5 吋 SATA SSD 的兩倍。此外,1TB eUFS 的隨機讀取最高可達 58,000 IOPS,較 512GB 版本的提高了 38%,至於隨機寫入最高可達 50,000 IOPS,傳輸大量多媒體檔案時就更加快捷。

Samsung 自 2015 年將第一款 NVMe SSD 引入消費市場,不斷改良SSD 的設計、性能及技術等層面,Samsung 全新第 5 代 V-NAND 技術是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 V-NAND 快閃記憶體,傳輸速率高達1.4Gbps,相較上代 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體來說,足足提升了 40%,同時工作電壓亦由 1.8V 降至 1.2V。
規格方面,全新 Samsung 970 Evo Plus SSD 採用 M.2 (2280 ) Form Factor、PCIe Gen 3.0x4 接口 ,支援 NVMe 1.3 傳輸,備有 250GB、500GB、1TB、2TB 儲存容量,並分別搭配 512MB LPDDR4 DRAM ( 250/500GB )、1GB LPDDR4 DRAM ( 1TB )、2GB LPDDR4 DRAM ( 2TB ) 緩存。
