繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光（EUV）微影技術後，同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產，Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加 2～3 倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外，佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM，也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。

業者指出，DRAM 市場供給過剩且價格跌至變動成本，DRAM 廠雖然放緩產能擴充但無法讓價格明顯止跌，維持獲利的唯一方法就是微縮製程來降低單位生產成本。不過，DRAM 製程向 1z nm 或 1α nm 製程推進的難度愈來愈高，隨著 EUV 量產技術獲得突破，或可有效降低 DRAM 成本。

Samsung 預期在今年 11 月開始量產採用 EUV 技術的 1z nm DRAM，量產初期將與 Samsung 晶圓代工共享 EUV 設備，初期使用量雖不大，但卻等於宣示 DRAM 光罩微影技術會朝 EUV 方向發展。至於 SK-Hynix 及 Micron 也已表明開始評估採用 EUV 技術，業界預期將可能在 1α nm 或 1β nm 世代開始導入。

總體來看，在邏輯 IC 及 DRAM 的先進製程開始採用 EUV 技術後，對 EUV 光罩盒需求在明、後兩年都會呈現倍數成長。