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“韓國時報” 獲得內部人士的消息,表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標,並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域,專利對公司的成本結構由關重要,因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。
目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron,因為專利技術門檻高,三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術,中國大陸更到台灣挖角人才,早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師,陷入竊取商業機密的嫌疑,紫光也針對這個事件發表聲明。

Samsung的7LPP工藝技術將在2018年下半年初步生產,第一款 EUV 極紫外光刻工藝技術及其關鍵IP正在開發中,預計將於2019年上半年完成。由於7LPP工藝技術的創新,Samsung 的5LPE技術將實現更大的面積擴展及超低功耗優勢。
ARM稱,7nm 的 Cortex-A76時脈速度超過3 GHz +,比10nm Cortex-A75 只有 2.8GHz 提升 35% 的速度,電力使用量可下降多達 40%。ARM 將 Cortex-A76 稱為“筆記本級” 處理器,可用於更強大的設備,而不僅僅是手機之上。

Samsung 全新 8TB NVMe NF1 SSD 採用 16 顆 Samsung 512-GB NAND 封裝,每顆都堆疊在 16 層 256 Gb 3-bit V-NAND 晶片上,實現了 8TB 容量、並以 11cm x 3.05cm 超小的尺寸設計,相比起以往用於超大型伺服器及超薄筆記本電腦常用的 M.2 NVMe SSD 提供多兩倍的容量,NF1 SSD 有望取代傳統的2.5吋NVMe SSD,為現有伺服器基礎架構系統提高三倍密度,從而在最新的 2U 機架伺服器中實現了前所未有的 576TB 容量儲存空間。
NF1 SSD 採用全新的高性能控制器,支援 NVMe 1.3 及 PCIe 4.0 接口,可實現 3,100 MB/s 的連續讀取速度和 2,000MB/s 的寫入速度,這些速度分別是典型 SATA SSD 的五倍和三倍,隨機讀取速度為 500,000 IOPS、寫入為50,000IOPS,利用新的 NF1 儲存解決方案,企業伺服器系統可以在2U機架空間內執行超過 100 萬 IOPS,該 SSD 還包括一個 12GB LPDDR4 DRAM,以實現更快、更節能的數據處理。
2018-06-20

儘管 Samsung 在北美的設備已經使用 Snapdragon 處理器多年,但該公司還開發了用於國際型號的 Exynos 處理器,至於在圖形方面 Samsung 仍然在所有的手機和平板電腦中使用 ARM 的 “Mali” GPU 系列。
根據 LinkedIn 上的招聘訊息顯示,Samsung 正在招聘大量圖形晶片工程師去研發自家的 GPU,隨著需要為手機、平板電腦等大量產品的 Graphics IP 以及在汽車、機器學習和人工智能等市場上的拓展,Samsung 需要發展自己的 GPU 亦並不意外。

截至目前,由於 8Gb 記憶體晶片的容量限制,目前最大的 RDIMM 只能達到 32GB 容量,若果需要提升系統的配置,成本將會更高,並需要在額外的性能及兼容性之間作出平衡,隨著 Samsung 最新的 64GB RDIMM 記憶體推出將可解決以上問題,採用 16Gb 單晶片 DDR4 模組,三星可以生產更高容量的 “單片” 雙列 DIMM,並達成 DDR4-2666 RDIMM 記憶體。
Samsung 基於16Gb 的 64GB RDIMM 是首款 JEDEC 標準配置中提供高容量、高性能和低功耗,Samsung 16Gb 單晶片 64GB RDIMM 的性能比 8Gb 單晶片的性能提高了一倍、密度高達兩倍,速度高達 2666MT/s。此外,與 2 x 32GB RDIMM 相比,它的功耗降低了 19%。
