美國能源部實驗室正在研究一種新型電解物質，能解決鋰離子電池短路起火問題，同時可大幅提高電池效能和使用壽命，報告指出此發現能強化如鋰硫、鋰空氣和鋰金屬充電池，取代現時主流電池陽極由鋰或其他材料製成，陰極通常由石墨製成的設計。

據了解，當鋰鋰離子電池連接後，電子在兩極之間的流動就會產生電流，帶有正電荷的鋰離子會經由電解質從一極到另一極，但受限於石墨儲電能力較低因而限制了鋰離子電池的容量，市場上曾經推出了採用鋰陰極的充電電池，雖然比石墨多 10 倍以上的儲能容量，但使用了一定時間後會出現鋰枝晶體引發電池短路。

美國能源部實驗室最終研發出全新的電解質解決此一問題，同時能協助鋰離子電池發揮 99% 效能，在同一體積下其能電容量可提升 10 倍。全新的電解物質採用了含氟磺酰的亞胺鹽混合二甲氧基乙烷，經過 1000 次充於電力測試後發現，節點沒有產生鋰枝晶體，而且電池的電量經過 1000 次測試後仍能保持 98.4% 的容量，令電池壽命大幅提升。

英國 Glasgow University 正在研發可以進一步提升存儲容量取代現有 NAND Flash 的物料，捨棄傳統金屬氧化物半導體改為採用多金屬氧鹽酸化合物，能同等佔用空間大幅提升儲存能力高達 8 倍，將適用於智能手機、平板電腦以至更細小的智能裝置等裝置中。

智能裝置的儲存裝置主要採用 NAND Flash ，採用金屬氧化物半導體制程，這種制程現時已達至 15nm 水平，但要進一步突破至 10nm 以下將會碰到物理上的局限性，因此限制了裝置大小以及儲存空間，而且寫入次數及壽命將會下降。

英國 Glasgow University 正在研究以分子物料擴展 NAND Flash 的存儲裝置空間，有別於現時採用金屬氧化物半導體，改用多金屬氧鹽酸化合物，合作可發揮存儲能力的分子，實驗顯示這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，相較傳統 NAND Flash 效提升儲存空間高達 8 倍。

Intel 12 日於「 Advancing Moore's Law 2014 」大會上公佈了更多下代 14nm 微架構「 Broadwell 」處理器的更多細節，「 Broadwell 」處理器除了在性能上進一步提升同時在功耗表現有更大改進，令行動平台産品電池續航力大幅提升，「 Broadwell 」産品線橫跨不同平台，由嵌入式裝置、行動平台、個人電腦以至工作站及伺服器，首顆上市的 14nm Broadwell 微架構産品將會是 Intel Core M 行動處理器。

據 Intel 表示，在晶片與微架構工程師的努力下，下代 14nm 制程 Broadwell 處理器的相較上代 22nm 在同等的性能下其 TDP 降低了 2X ，首個重大改良是採用了第二代 Tri-gate (FinFET) Transistors 技術， 42nm Fin Pitch 、 70nm Gate Pitch 、 52nm Interconnect pitch ，其電晶體性能、功耗、密度及成本均領先半導體業界，它進一步減低了在高時脈下出現的漏電情況。

此外， Broadwell 微架構採用第二代 FIVR 及 3DL 模組設計等動態節能技術，包括了 Dual FIVR LVR 模式及非線性 Droop Control ，處理器相較上代閒置時省電 60% ，並且進一步擴大了動態電壓運作範圍，令處理器工作電壓可望進一步降低，並優化了所需要的電壓以減少所需要的功耗，此舉將令 Intel 14nm Broadwell 處理器相較上代更省電，提供更長的電池續航力。

SiliconMotion 8 日宣佈推出全球首款優化 TLC NAND Flash 靭體的 SSD 控制晶片「 SM2256 」，其獨有 NANDXtend 解錯修正技術可望提升 TLC NAND Flash 之寫入及抺除次數提高 3 倍，早前已美國 Flash Memory Summit 大會上，更展出了首款基於「 SM2256 」的 SATA Gen3 SSD 原型，達成 524MB Read 、 400MB Write 的驚異連續讀寫性能， Random Read 更高達 90,000 IOPS 。

據了解， Silicon Motion SM2256 控制晶 1 片可支援 1x/1y/1z nm 及未來 3D TLC NAND ，其獨有 NANDXtend 解錯修正技術，在多層解錯修正機制下加上平均抹寫 (Wear Leveling) 技術，增加資料讀寫保護能力，大幅提升 TLC NAND Flash 的寫入 / 抺除的次數 (P/E Cycle) 高達 3 倍，為巿場最俱經濟效益的 TLC SSD 控制晶片決解方案。

NANDXtend 解錯修正技術在靭體上設計三維解錯修正機制，有效運用最俱效益的低密度奇偶修正碼 (Low Density Parity Check Code, LDPC) 及 RAID 修正技術，可高速平行解碼且精準即時修正錯誤，特別設計三維解錯修正機制，可依解錯的難易度來分層開啟解錯修正機制，有效增加 TLC NAND 的寫入 / 抺除次數，有別於市場上其他 TLC SSD 控制晶片， SM2256 不需預留空間就可發揮極致的錯誤修正能力，令 TLC 容量得以完全發揮。

Intel 2 日於中國深圳舉行 IDF China 2014 技術峰會，內容主要圍繞智能裝置及物聯應用發展， Intel 展示全球首顆整合 3G 、 WiFi 的「 SoFIA 3G 」 SoC 雙核心處理器搶攻 Smartphone 及平板市場，同時展示了基於 Atom 架構的 Intel Edison 平台全力主攻物聯應用。 Intel 執行長 Brain Krzanich 定下今年行動平台成長四倍的目標，並宣佈與 Microsoft 聯手推出 Win 8.1 、 Android 雙 OS 策略，售價低至 99 ~ 129 美元搶攻 Smartphone 、 Tablet 與 2-in-1 裝置市場，十分積極。