Canon 7 日宣佈成功研發全新的 APS-H CMOS 傳感器，其攝影像解析度提供至 19,580 x 12,600 ，即高達 2.5 億 Pixels ，其拍攝的照片能夠清楚看到 1 萬 8 千米高空上飛機上的字母，這款傳感器初期會被用於安全監控裝置領域上，未來將會進一步導入 DSLR 專業拍攝領域。

據了解，全新的 APS-H CMOS 傳感器尺寸相較現時的 APS-C CMOS 大一點，卻比 35mm Full Frame CMOS 細小，很大機會用於未來 DSLR EOS-1D 產品線上，傳感器存取速度可達每秒 12.5 億 Pixels ，而且在噪訊控制表現非常優秀。

除了用作拍照片外，這款 APS-H CMOS 傳感器亦會應用於 4K Ultra HD 影像拍攝，相較現時市場上的 4K 產品使用的 CMOS 傳感器，其畫面的成像將會清晰 30 倍。

TOSHIBA 25 日宣佈正式量產基於 3D 堆疊技術的 BiCS NAND Flash 及自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) ，全新的 NAND FLASH 技術可以進一步降低 SSD 儲存容量成本，同時亦令 SSD 產品容量追上傳統機械硬碟，預計三年內企業用 SSD 產品將會提升至 128TB 容量。

據了解， TOSHIBA 將會加速推動 SSD 容量發揮，傳統 HDD 的儲存容量優勢不再，計劃量產自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) 及 BiCS 3D NAND Flash 堆疊技術，雖然 SSD 容量開始追上傳統 HDD ，但寫入壽命仍然是 NAND Flash 技術的主要問題，高容量企業用 SSD 主要用作應付大量讀取的伺服器應用為主。

Intel 正式出貨全新 14nm 制程、 「 Broadwell 」 微架構 Desktop 處理器產品線，型號包括為 Core i5-5675C 及 Core i7-5775C ，受惠於制程進步與微架構改良，浮點性能與功耗表現進一步改善，更內建 Intel Iris Pro 6200 繪圖核心及 128MB eDRAM 記憶體，令繪圖性能大幅強化，並相容於現有 Intel 9 系列晶片組主機板平台。 HKEPC 編輯部找來全新 Core i7-5775C 處理器樣本與上代「 Haswell 」微架構 Core i7-4790K 處理器進行詳細性能測試。

IBM 9 日宣佈與 GlobalFoundries 、 Samsung 及 SUNY Polytechnic Institute's Colleges 納米科技工程部攜手打造全體首枚僅 7nm 晶片原型，耗電量大幅降低外，運算速度更比現時最高能的晶片快近四倍，令市場震驚。

當現時半導體市場仍然關注那家廠商能率先進入 10nm 工藝制程的同時， IBM 突然發佈已經製作出只有 7nm 的晶片原型，無疑令市場喜出望外，雖然 7nm 晶片仍需兩年時間才進入商用，但這款晶片為全球首款低於 10nm 及首款採用 SiGe 物料的 FinFET 晶片，意義深遠。

其採用了最新混合物 Silicon Germanium (SiGe,) 物料打造，相對現時採用純矽的晶片原料， SiGe 的通斷反應更高效，而且功耗要求更低。另外，由該物料打造的 7nm 電晶體已直迫人類 DNA 的尺吋大小 ( 約 2.5nm) 。

University of Wisconsin-Madison ( 威斯康辛大學 ) 近日發佈一項有可能顛覆整個半導體業界的技術重大構思，以「纖維」取代沿用至今的重金屬作為半導體的生產原料，對整個半導體業界及全球環境有著重大影响。

據了解，早前 University of Wisconsin-Madison 於「 Nature Communications 」發表一篇注目的研究報告，其提出一個大膽可行的半導體晶片製造技術，利用可分解的「纖維」取代不能分解或含有毒素的矽、砷化鎵作為生產半導體晶片的原材料。

報告表示，其研究人所開發的環保半導體晶片材料採用一種類似紙張的原材料，但其纖維的密度更為微細，僅為十微米左右，可將其磨碎至納米的粗細度，其後該物料將變成單一結晶，而且原料變成透明狀，可作為半導體晶片的原材料。另一方面，相對傳統物料的不能分解性，其物料能被分解，對環境帶來更大保護。