TSMC 21 日於宣佈達成新里程碑，7nm 制程自 2018 年 4 月正式量產，至今已接到數十家客戶、合共超過 100 款不同的晶片，截至今年 7 月共生產了 10 億顆沒有缺憾、功能完好的 7nm 晶片，相等於鋪滿 13 個美國曼哈頓市中心

據 TSMC 指出，使用 7nm 制程的晶片通常都是 10 億電晶體以上的架構，所以從晶體管的角度，累計也超過了百億億的規模，首批下單 TSMC 7nm 的客戶包括 AMD、Apple、Xlinx、Huawei 等等。

TSMC 透露，已率先將 EUV 極紫外光刻 技術導入 7nm 生產並為未來 5nm 作出準備，另外 7nm 的改良版 6nm (N6) 已經開始量產，其電晶體密度提升接近 20%，對比 Intel 7 月宣佈將 7nm 量產延至 2023 年 .................

日本電池研發公司 APB 宣佈成功研發全新的「全聚合物電池 」(All Polymer Battery)，將取代鋰離子電池在科技界扮演著核心角色，相較傳統鋰電池生產成本大幅降低 90%，此技術將會用發電廠、IDC、生產廠房等需要大型蓄電需要求的領域。

據 APB 電池研發公司創辦人堀江英明表示，高品質鋰電池製造是一個複雜的過程，需要控制濕度、持續的空氣過濾，以防止高反應性材料受到污染，因此生產廠商需要斥資數十億美元來建造工廠，令鋰電池生產成本高居不下。

全新的「全聚合物電池」創新之處在於用樹脂結構代替電池的基本組件，金屬內襯電極和液態電解質，令生產環境要求大幅降低，更重要是提高了電池的安全性、穩定性，大大簡化並加快了生產進程。

近期 HKEPC 討論區的玩家們，都在推薦採用 3D NAND 的 SSD 產品，究竟 3D NAND 是什麼 ? 相較傳統 2D NAND 優勢何在 ?

為提升 NAND Flash 晶片容量，最快捷方法就是縮小電晶體的尺寸，可是 NAND Flash 的制程技術已達至半導體物理極限， 3D NAND 技術成為業界的最新發展方向。傳統 NAND Flash 採用平面設計，而 3D NAND 是以則由原本平鋪的儲存單元所堆疊而成，由傳統單層儲存提升至高達 64 層或是上的儲存堆疊，令儲存容量相較傳統 2D NAND Flash 得以提升。

3D NAND Flash 已分為三種設計，現時最常見的是 Simple Stack ， Bit Line 與 Word Line 同處在同一平面再重覆堆疊，第二種是 Bit Line 與 Word Line 相互垂直，堆疊的層數是往 BL 方向增加，該結構稱為之垂直通道 (Vertical Channel) ，第三種則是依舊 BL 與 WL 相互垂直，不過堆疊的層數是往 WL 方向增加，這個結構稱之為垂直閘極 (Vertical Gate) 。

ARM 及 TSMC 17 日發佈將成為長期合作伙伴，就發展 7nm FinFET 製程技術進行深度合作，率先向最下一代工藝制程進行部署，兩大科技龍頭是次組成戰略伙伴共同進行研發，加快半導體工業生產製程技術腳步。

日前， ARM 及 TSMC 共同宣佈兩家企業已達成一項長期合作協議，主要針對 7nm FinFET 製程技術進行深度合作，其建基於 ARM Artisan Physical IP Solutions ，能夠高效實現複雜的 SoC 設計，為每家代工廠及處理器技術進行專門優化，其處理技術範圍可 250nm 至 10 nm 製程技術，全新協議將進一步深化至 7nm 製程。

繼 IBM 於去年中表示與 GlobalFoundries 、 Samsung 及 SUNY Polytechnic Institute's Colleges 納米科技工程部攜手打造全體首枚僅 7nm 晶片，各大廠商亦急起即追，恐錯失先機，現 ARM 及 TSMC 進入此領域進行良性競爭，相信製程技術將飛速發展。

SAMSUNG 4 日公開表示 2016 年將會是公司業務環境非常艱難的一年，包括記憶體晶片與智能手機市場的核心業務競爭將會進一步加劇，加入全球經濟表現低迷，而新興市場的金融風險亦不斷增加帶來更多不確定性。

SAMSUNG 社長權五鉉於 4 日向員工發表的 2016 年新年致辭，指出今年全球經濟將持續低增形勢，而且新興市場因為金融風險提升而帶來更多不確定性，全球經濟走軟加上公司的記憶體晶片與智能手機等核心業務競爭加劇， 2016 年對 SAMSUNG 來說將會較為艱難。