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受全球大景氣影響 消費者樂觀情緒消失 2011年IC與半導體成長率將不足1成
文章索引: 半導體 IT港聞 IT要聞
市調機構 IC Insights 31 日指出, 2011 年全球 IC 市場受全球不景氣影響,其成長率無法與 2010 年相比較,消費者對市場樂觀情緒消失,因此 IC Insights 把 2011 年全球半導體產業成長率由 10% 下調至 5% , 2011 年全球 IC 市場成長率由 10% 下調至 4% 。

不過, IC Insights 卻對未來 IC 市場發展感到樂觀,預期 2013 年全球 IC 市場規模首次超過 3000 億美元,這是 IC 市場的里程卑, 1980 年 IC 市場首次突破 100 億美元大關, 1995 年突破 1000 億美元銷售總額, 2005 年首次超過了 2000 億,如困計算 15 年的 IC 市場規模將從 100 億至 1000 億美元, 10 年規模 2000 億美元,這次僅需要 8 年便達再提升了 1000 億美元,可以看到 IC 市場仍然保持急速成長。

總 IC 顆粒出貨量,預計將會在 2011 年首次超越 200 億顆大關,當中 Analog Device 出貨量預計將超過 100 億顆,是首次有單一領域的 IC 產品達至 100 億水平,並且佔有一半的總體 IC 單位出貨量。
TSMC 28nm制程將於Q4正式登場 時程略為推遲 預估佔整體收入不到1% TSMC 於上週季度財佈大會上指出,原定於 2011 年第四季正式量產的 28nm 制程,原預估並將佔 TSMC 整體收入約 2-3% ,現時修正至只有 1% 甚至不足 1% ,主要原因是 2011 年全球經濟疲弱所致。

據 TSMC 董事長張忠謀表示, 28nm 制程的推出時程比預期略為延遲,其中一個原因是 28nm 制程投產所需要時間比預期要長,再加上 2011 年全球經濟不景,令 2011 年第四季 28nm 制程代工需求比預期中低。

由於上代 40nm 制程初上市時良率久佳、問題不斷,因此市場傳言 TSMC 28nm 推遲同樣為品質問題,不過 TSMC 否認 28nm 制程是技術上問題,而是經濟形勢所不得已, 28nm 流片進程完全正常,初推出時需求不如預期。
VIA VL751 USB 3.0隨身碟NAND控制器 四通道下達成80MB/s寫入、120MB/s讀取
文章索引: 半導體 VIA IT要聞
VIA 12 日宣佈推出全新 USB 3.0 NAND 控制晶片「 VL751 」,擁有 4 Channel 及先進的交錯技術,可進一步提升 USB 3.0 隨身碟傳輸速度,寫入速度將超越 80MB/s 、讀取速度在 120MB/s 以上,預計將於 7 月底量產並且已取得隨身碟廠商青睞。

全新「 VL751 」晶片是上代「 VL750 」的進階版本,同樣採用 4 Channelq 技術及先進的交錯技術,但卻進一步加快資料傳輸效能,包括加入 PIPELINE 架構讓 ECC 處理方面達至最佳效率,令寫入速度可超過 80MB/s ,讀取速度超過 120MB/s 。
明年半導體資本設備支出或會下跌 記憶體衰退週期將會於2013年出現
文章索引: 半導體 IT要聞
市場調查機構 Gartner 16 日發表 2011 年全球半導體設備市場的開支報告,指出幾乎所有領域的支出均可望出現增長,其中全球半導體資本設備將可獲得 10.2% 升幅,但同時分析師也指出,半導體庫存修正即將開始,而且晶圓代工產業目前出現供過於求狀況,因此明年半導體資本設備支出或會減少。

報告指出,全球半導體設備市場的開支均預期出現增長,其中半導體資本支出將由 2010 年的 561 億美元,升至 2011 年的 628 億美元,升幅達到 11.9 ;資本設備支出將由 2010 年的 406 億美元,到 2011 年增加至 447 億美元,增長幅度達 10.2% ;晶圓廠設備投入則由 316 億美元增加至 353 億美元,升幅約 11.7% 等。

據 Gartner 表示, 2011 年支出的增長來源主要是晶圓代工的積極支出,加上整合設備製造商提升邏輯容量至先進水平,以及記憶體公司積極投入雙重圓形曝光技術。其中,全球晶圓廠設備方面,包括 Intel 、晶圓代工及 NAND 支出將帶動先進設備的需求,有利於浸潤式微影、蝕刻,以及與雙重圓形和關鍵先進邏輯處理相關的沉積技術市場發展。
英文句號
文章索引: 半導體 處理器 INTEL IT要聞
Intel 宣佈將正式量產全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體,再次向宣示其半導體領域的領導地位,回首半導體技術發展,首顆電晶體成品非常大,甚以可以用手直接進行組裝,與全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體相較, 1 個英文句號已擁有 600 萬個電晶體,形成強烈對比。

世界上首顆電晶體是由 William Shockley 、 John Bardeen 和 Walter Brattain 於 1947 年 12 月 16 日在貝爾實驗室完成, 1950 年 William Shockley 開發出雙極結型電晶體,正是現在通行的 2D 標準電晶體,但要直至 1954 年 10 月 18 日,首款採用電晶體技術產品「 Regency TR1 」收音機才正式上市,內含四顆鍺電晶體。

最初的電晶體技術對收音機和電話而言已經足夠,直至 1961 年 4 月 25 日羅伯特諾伊斯獲得首個積體電路專利,令人們對電晶體設備要求開始提高,正式進入積體電路時代。
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