Intel 5 日宣佈在半導體技術上取得重大突破，將會於下代 22nm 制程中採用全新的 3D Tri-Gate 電晶體技術，是全球首次把這項技術應用於量產上，電晶體向 3D Tri-Gate 結構前進，將有助 Intel 處理器進一步提升性能表現，以及降低功耗提升電池續航力。根據 Intel 最新產品路線圖，將會於 2011 年第四季量產首款 22nm 制程的「 Ivy Bridge 」微架構處理器，緊接將會應用於手持式裝置 Atom 處理器與 Xeon 伺服器處理器之上。

3D Tri-Gate 電晶體技術是半導體技術上的重大突破，早於 2002 年 Intel 已向外披露公司正著手研發 3D 電晶體的可能性，因為傳統 2D 電晶體受到物理定律影響，成為制程進步的其中一大障礙，全新 3D Tri-Gate 電晶體技術能令晶片在更低的電壓下運作，並且減少漏電情況，令功耗進一步降低。

全新 22nm 3D Tri-Gate 在較低的電壓下，性能仍較上代 32nm 提升達 37% ，成為 Intel 進軍小型手持設備的最強武器，相較上代更少的電力即可完成電晶體開關操作，只需消耗不到一半的電量，就能達至上代 32nm 2D 電晶體相同的性能表現。

Intel 11 至 13 日於北京國家會議中心舉行 IDF 2011 技術峰會，主題為「變革跨越、共贏中國」，中國主要高科技企業巨頭、設計師及工程師，將聚首一堂分享其未來願景、創意研發及未來技術發展方向，包括 Intel 將投放大量資源於中國市場軟體、雲端及嵌入式等領域。

市調機構 IC Insights 14 日指出， Intel 於 2011 年第一季銷售表現將出位雙位數增長，主要是 CPU 處理器需求升溫， 2010 年全球處理器出貨量上升 23% ， IC Insights 預估 2011 年將維持 21% 增長。

IC Insights 指出， Intel 預估 2011 年首季銷售額達 115 億美元 ± 3.5% ， 2010 年 Intel 錄得 323 億美元處理器銷售收益，佔公司整體總營收的 74% ，並且佔全球處理器總銷售額約 81% 。

由於 Intel 於 2011 年首季推出全新微架構平台，令 2011 年 1 月與 2 月的處理器銷售，相較 2010 年同期高出 42% ，亦比 2010 年 10 月與 11 月高出 28% ，儘管受到 6 系列晶片出現 SATA 瑕疵的影響，但整體來說 2011 年 Intel 處理器出貨表現仍較 2010 年強勁。

Intel 15 日宣佈與 Micron 合作推出全新 20nm 制程的 8GB MLC NAND Flash 晶片，是現時業界最先進的 NAND Flash 制程，晶片大小只有 118mm

主要針對 SmartPhone 、 Tablet 、 SSD 產品市場等要求高容量市場，與兩家公司現時最先進的 25mm 相比，可令產品減少 3 至 4 成的 PCB 空間，讓開發者有更具彈性的 PCB 佈局空間。

全新 20nm NAND Flash 制程是由 Intel 與 Micron 合資的 IM Flash Technology 所生產，它在 NAND Flash 生產及制程上取得了重大突破，讓晶圓廠提升約 50% 的 GB 容量出貨總數， 20nm 制程 8GB 快閃記憶體目前尚處於樣品階段，可望於今年下半年正式投產。