若果你想追求頂級性能水平的固態硬碟產品，Microsemi 最新推出的 Flashtec NVMe 3016 產品就是一個新選擇，Flashtec NVMe 3016 是開創先河的業界首款同類企業級控制器，夠提供每秒 8 GB 以上的吞吐量和每秒 200 多萬次輸入輸出操作 (IOPS) 的性能，性能表現大概現時企業級 SSD 硬碟的 2 倍多，是 Samsung 970 Pro SSD 的 4 倍多。

Microsemi 全新 Flashtec NVMe 3016 主要是滿足市場對高可靠性、高性能 PCIe Gen 4 NVMe 固態硬盤 (SSD) 的需求，Flashtec NVMe 3016 提供端到端企業級數據完整性，支援 PCIe 4.0 x8 通道，具有高可靠性和強大的 RAID 和 ECC，可支援針對高增長儲存點的下一代三層單元（TLC）和四層單元（QLC）NAND 技術。其靈活性和可編程性使用家有機會針對包括NVMe、鍵值(KV)和開放式通道(Open Channel固態硬碟在內的各種應用來獨特地優化其SSD解決方案。此外，其可編程 NAND Flash通道控制器接口使客戶能夠應對多個世代的NAND技術，以滿足未來需要。

Microsemi 未有公佈 Flashtec NVMe3016 主控的連續讀寫速度，但是隨機性能的確厲害，目前企業級使用的高性能 PCIe 硬盤隨機性能也就是 100 萬 IOPS 級別，Microsemi 的 PCIe 4.0 主控隨機性能達 200 萬 IOPS 是其他產品的 2 倍，除了 PCIe 4.0 通道的新主控之外，還有其他產品支援 PCIe 4.0，比如 Switchte Gen4 PCIe 交換機等等。

繼日前在網上洩露 Intel 將會推出採用 QLC 技術的消費級「 SSD 660p 」產品後，Samsung 最新亦宣佈將會帶來基於 QLC V-NAND 記憶體的消費級 SSD，採用 1 Tb 64-layer QLC V-NAND flash，容量最高可達 4TB，適用於具有SATA接口的主流 PC 系統。

Samsung 全新 QLC SSD 基於 1 Tb 64 層 QLC V-NAND Flash，備有 1TB、2TB 及 4TB 容量選擇，最多可支援 32 個 NAND 晶片。全新的 QLC SSD 採用 2.5 吋、7mm 厚度，與具有 SATA 連接器的台式機及筆記本電腦兼容，Samsung 表示將會在今年稍後時間推出基於 QLC V-NAND 記憶體的 M.2 固態硬盤。

傳輸速度方面，全新的 Samsung QLC SSD 在啟用 TurboWrite SLC Cache 緩存技術下，可以提供高達 540 MB/s 的連續讀取速度以及高達 520 MB/s 的連續寫入速度，4K 隨機 I/O 速度則未有提供。

近年 NAND Flash 無論在技術還是容量方面都不斷進步，由最初的 SLC 發展至 MLC、TLC，到最新的 QLC 產品亦將陸續推出，大部份的廠商現階段都傾向推出企業用家 QLC SSD，但用家們無需擔心，因為 Intel 即將為我們帶來首款採用 QLC 技術的消費級「SSD 660p」產品。

與 TLC 相比，QLC NAND Flash 的儲存容量將可增加 33%，單顆晶片最高可達到 256GB 或 512GB，P/E Cycle 約為 1000 次左右略低於 TLC，在壽命、速度及穩定性方面 QLC 雖比 TLC 更低，但就勝在容量更大及擁有更便宜的成本。

全新曝光的 Intel「 SSD 660p 」的定位將介乎在 600p 及 700p 之間，採用全新的主控制器及 64 層堆疊的 QLC NAND 顆粒，提供 512 GB、1 TB、2 TB 容量可供選擇。「 SSD 660p 」專為 PCI Express 3.0 x4 而設計，採用 M.2 2280 規格，讀取傳輸速度高達 1800 MB/s，寫入的傳輸速度為 1100 MB/s，4k 隨機讀取和寫入為 150,000 IOPS。

雲端儲存服務商 BackBlaze 最新公佈了 2018 第二季硬碟失效數據， 截至 2018 年 6 月 30 日，在 Backblaze 的數據中心擁有 100,254 個 HDD 硬碟。其中，有 1,989 個 Boot Drives 及 98,265 個 Data Drives，本次審查將查看其數據中心運行的 Data Drives 模型季度及生命週期統計數據。

根據這份統計 BackBlaze 橫跨五年的統計表，WD 的 3TB 及 6TB Red 硬碟包攬年失效率冠亞軍位置，季軍是 Seagate 鼎鼎大名的 DM 系列桌面硬碟 4TB 型號 ，WD Red 的可靠性有不少用家討論，但大部份主要是常集中討論在該系列的 4TB 型號，但從上表數據來看，明顯 3TB 及 6TB 的可靠性更低。

綜上所述，以 Red 為首的 WD 低速硬碟 ( 主軸轉速在 7200 轉以下 ) 可靠性不佳；至於以往硬碟損壞率驚人的 Seagate 表現亮眼，尤其是大容量硬碟包括 ST8000NM0055 ( 企業級空氣硬碟 ) 及 ST10000NM0086 ( 企業級氦氣硬碟 ) 這兩款可靠性均令人滿意，當中 ST10000NM0086 年失效率低至 0.32%。

在最新 Micron、Intel 、Toshiba、WD 等廠商都先後公佈成功研發 QLC NAND 及 96 層堆棧 3D NAND 產品的消息，作為全球第一大 NAND 供應商的 Samsung 在早前在日本舉行的「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會上宣佈已正式量產高達 90 堆疊層數的第 5 代 V-NAND，每個晶片的容量達到1Tbit，同時將會在今年內推出 32TB 容量的TLC NAND SSD。

「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會 Samsung 介紹了旗下開發的 3D NAND“V-NAND” 發展趨勢，在去年已大量生產採用 64 層堆疊的第四代 V-NAND，而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生產，全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加，由 64 層提升至 96 層， Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸，並擁有更高功率及性能。同時，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度，比上代 64 層堆疊提升了 40%。

同時，Samsung 亦提到已首發核心容量達 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片，Samsung 1-Tbit NAND 可支援高達每秒 1.2Gbits 的資料速率，並在一個堆疊 32 顆裸晶的封裝中支援高達 4Tb 容量。