Samsung 最新宣佈推出新一代小外形 NGSFF NVMe SSD ，新型的 8TB NVMe NF1 SSD 針對下一代數據中心和企業伺服器系統而設，並特別為數據密集型分析及虛擬化應用進行了優化，預計可提高數據中心的效率。

Samsung 全新 8TB NVMe NF1 SSD 採用 16 顆 Samsung 512-GB NAND 封裝，每顆都堆疊在 16 層 256 Gb 3-bit V-NAND 晶片上，實現了 8TB 容量、並以 11cm x 3.05cm 超小的尺寸設計，相比起以往用於超大型伺服器及超薄筆記本電腦常用的 M.2 NVMe SSD 提供多兩倍的容量，NF1 SSD 有望取代傳統的2.5吋NVMe SSD，為現有伺服器基礎架構系統提高三倍密度，從而在最新的 2U 機架伺服器中實現了前所未有的 576TB 容量儲存空間。

NF1 SSD 採用全新的高性能控制器，支援 NVMe 1.3 及 PCIe 4.0 接口，可實現 3,100 MB/s 的連續讀取速度和 2,000MB/s 的寫入速度，這些速度分別是典型 SATA SSD 的五倍和三倍，隨機讀取速度為 500,000 IOPS、寫入為50,000IOPS，利用新的 NF1 儲存解決方案，企業伺服器系統可以在2U機架空間內執行超過 100 萬 IOPS，該 SSD 還包括一個 12GB LPDDR4 DRAM，以實現更快、更節能的數據處理。

PLEXTOR 在較早前發佈了旗下全新的 「M9Pe Extreme NVMe SSD」，全新的「M9Pe Extreme NVMe SSD」打破消費級 SSD 速度障礙，採用了 Marvell 88NR2241NVMe Swtich 晶片，搭配 PLEXTOR 自家研發的技術相結合，提供高達 6,500MB/s、5,000 MB/s 的連續讀寫速度，可為專業 PC 玩家及其他密集型應用提供所需的高級數據傳輸性能。

根據Plextor官方資料，全新「M9Pe Extreme NVMe SSD」和同類產品最大不同是有一顆 Marvell 88NR2241 PCI-E 橋接晶片，一邊支援四個 PCI-E 3.0 x4，正好連接四塊 PCI-E 3.0 x4 接口的 M9Pe M .2 SSD，至於另一邊則是 PCI-E 3.0 x8。

「M9Pe Extreme NVMe SSD」結合革命性組件、Marvell NevoX 旗艦控制晶片與 PLEXTOR 獨家韌體實力所打造的業界超高速次世代 SSD 規格，將 SSD 讀寫效能推至極限，連續讀取可達到 6500MB/s、連續寫入 5000 MB/s 全新境界，Plextor官方實測，採用此技術的「M9Pe Extreme NVMe SSD」能大幅提升 SSD 數據傳送效能。

中國 SSD 控制器開發商 Maxio Technology 早前展示了採用 Intel 3D QLC NAND 技術的 Prototype SSD 產品，是一款 2.5 吋設計、4TB 容量、SATA 6 Gb/s 介面的 SSD ，原始 Prototype 的 SSD 估計只有 500 個 P/E Cycles，但相信最終版本將會有所提升。

現時，SSD 控制器開發商正努力尋求不同的方式去解決不斷增加的 NAND 容量需求，他們分別會採用兩種不同的方式：增加 bits per cell 從 3bpc ( TLC ) 增加到 4bpc ( QLC )，可提升 33 % 容量，或者增加每個晶片的 TLC 層數，由現時的 64 層增加到 96 層，可提升 50% 容量。

Maxio Technology 在 Computex 2018 期間展示出一款 Prototype SSD 產品，基於 Intel 3D QLC NAND Flash，採用 2.5 吋設計、SATA 6 Gb/s 傳輸介面、4TB 容量。SSD 的所有組件都位於 PCB 的正面，採用了 Maxio MAS0902A-B2C DRAM-less controller 控制器，搭配 Intel 3D QLC NAND ，NAND 晶片標記為「29F08T2AOCQH1 T1181202 ES」，屬於 N18A 系列。

Toshiba 日前宣佈旗下 RCMS 系列的全新「OCZ RC100」NVMe M.2 SSD 正式上市，在今年初舉行的 CES 2018 上首次展示的新款「RC100」系列將會面向零售 DIY 市場，擁有功能強大及高效能的特點，新產品分別提供 120GB、240GB 及 480GB 容量，非常適用於所有主流運算領域，包括遊戲台式機、筆記本電腦及 NUC 迷你電腦等產品之上。

全的「OCZ RC100」系列 NVMe M.2 SSD 採用了 Toshiba 先進的 64 層 3-bit-per-cell TLC BiCS FLASH 技術，搭配自家開發的控制器，能夠讓整個 SSD 封裝在單一的 BGA 內。RC100 系列在成本及性能之間作出了平衡，彌補SATA及發燒級NVMe SSD 之間的差距，緊湊的設計使 RC100 能夠安裝到 M.2 2242 ( 22 x 42mm ) 尺寸的 PCB 上，使其成為市場上最小的 SSD 之一。

SiliconMotion於Computex 2018大會上，展出新一代「SM2262EN」高階NVMe SSD控制器，採用先進的28nm制程、相較上代40nm制程的「SM2262」有更佳的溫度表現，而且運作時脈更高、性能更強大，最高連續讀寫高達3.5GB/s Read、3GB/s Write，最高隨機讀寫性能高達420K IOPS。

「SM2262EN」是SiliconMotion新一代高階NVMe SSD控制器，採用PCIe Gen3 x4介面、8個NAND Channels並最高支援2TB容量，能配合高達96 Layers的TLC、QLC技術的3D NAND Flash，相較上代「SM2262」在性能及溫度表現均有明顯提升，最高連續讀寫速度可達3.5GB/s Read、3GB/s Write，隨機讀寫性能高達420K IOPS，性能壓倒Samsung 970 Pro及WD Black SSD，預計在2018年下半年登場。

除了性能方面，全新「SM2262EN」在溫度及功耗表現亦作出了改良，升級更先進的28nm制程，執行MobileMark 2014測試其總電源使用約55W、待機功耗僅2.5W，完全負載下最高溫度為55°C，相較上代「SM2262」分別為85W、5W，最高溫度可達78°C，全新「SM2262EN」無論溫度及功耗表現明顯改善。