近年開始在不少的 SSD 產品都可以看到 Phison 的主控制器用於產品之上，當中包括高階的 Corsair SSD 產品，日前Phison 宣佈最新的控制器「PS5012-E12」已批量生產，「PS5012-E12」基於 TSMC 28nm 工藝，支援最新的 NVMe 1.3 協議，通過 PCIe Gen 3 x4 通道連接，新控制器最高可達 3450 MB/s 和 3150 MB/s 讀寫速度，隨機讀寫速度可達 600K IOPS，預計採用「PS5012-E12」主控制器正在打造中的 20 多款 SSD 將會陸續推出市場。

Phison指出，全新的「PS5012-E12」主控制器提供三種版本：用於高階SSD的「PS5012-E12」、用於中階產品的「PS5012-E12C」及用於商業市場的「PS5012-E12DC」。旗艦產品「PS5012-E12」是同類最佳的PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制器，除了獲得PCI-SIG合規性認證外，Phison還發佈了企業優化的PS5012-E12DC，為雲端、邊緣運算、區塊鏈儲存和其他高端應用提供服務，推動廣泛的項目設計並滲透到新的市場。

Phison旗艦PCIe SSD控制器PS5012採用TSMC 28nm工藝，支援八個NAND通道、32個CE針腳，最大化了 PCIe Gen 3x4 接口，讀寫速度分別高達 3,450MB/s 和 3,150MB/s，最高支援至 8TB 容量的設備。基於 PS5012-E12 的驅動器具有600K的4K隨機讀/寫性能 ( IOPS )，是競爭對手的兩倍，同時也可以被應用在 Thunderbolt 3 規格的外接 SSD 中。

市場上有不少消息都指 2018 年 NAND Flash 因供過於求而跌價，DRAM 則最快在今年年尾開始降價，但其實在零售市場上亦未有太大的改變，日前摩根士丹利表示 DRAM 市況在近幾週以來有惡化跡象，NAND Flash 更因供給過剩出現壓力，韓台 DRAM 股隨即在 9 月 6 日出現大挫。為了解決 2019 年上半年可能會出現需求轉弱的問題，最新有消息指 Samsung 及 SK-Hynix 有意更改產能擴張計劃，避免出現供給過剩的情況。

根據 DigiTimes 獲得業內人士的消息稱，儘管第三季度是傳統的旺季，但全球 NAND Flash 市場仍處於供過於求狀態，供應商持續增加 64 層和 72 層 3D NAND Flash 輸出，同時已飽和的筆記本電腦和智能手機市場導致的需求增長有限，加上行業供應鏈充斥著不合規格的 NAND Flash，這對 NAND 價格產生了進一步的負面影響，第三季度 NAND Flash 合約價格可能會下跌 10-15%，高於預期，第四季度將再下跌 15%。

DRAM 合約價格亦出現下跌跡象，消息人士稱，隨著市場供過於求及下游的需求逐漸趨於疲軟，預計第四季度 DRAM合約價格將開始下跌。市場預期客戶需求將持續放緩，導致 2019 年上半年 NAND Flash 及 DRAM 記憶體價格將承受下行壓力。

雖然兩大電腦節都已經完滿結束，但益用家的優惠又點會咁快完 ，GIGABYTE 最新宣佈推出「買板送SSD」優惠，現凡購買「X399 AORUS XTREME」主機板，即送 GIGABYTE 256GB SSD 一隻，贈品數量有限，送完即止。

為了發揮第二代 AMD Ryzen Threadripper 新處理器的效能及超頻能力，GIGABYTE 在 8 月份正式推出了全新的「X399 AORUS XTREME」主機板，內建包括 4Way CrossFire/ SLI 配置、優質音效設計、豐富 I/O 介面及 3+1 網路設計等技術，特別採用全數位電源設計，滿足高達 32 核心 64 執行緒 Threadripper 新處理器所需的 250W 電力需求，輔以實心電源腳座等高品質用料，除了提供系統更穩定的電源之外，更有效降低處理器在高速運作甚至超頻下所產生的廢熱，讓處理器不會因為過熱而降低效能。

「X399 AORUS XTREME」主機板充分利用第二代 Ryzen Threadripper 處理器內建的 64 組 PCIe 線路，將其中 48 組線路充分運用在 PCIe 及 M.2 插槽，透過帶散熱裝甲的 3 組 PCIe Gen3 X4 M.2 插槽及 2 張 PCI e 轉 M.2 轉接卡的配置，讓它可以支援最高 8 組 NVMe 架構 M.2 儲存裝置。此外主機板內建實心針腳的 PEG 插槽，提供 PCIe 插槽獨立的輔助電源，讓玩家的繪圖卡得到更充足更穩定的電例供應。

根據網上最新的消息，Intel 與 Micron 合資的企業 IMFlash Technologies ( IMFT ) 公司現面臨著巨大的障礙，用於生產新一代 SSD 產品的 3D QLC NAND Flash 良率低於 50%，估計之下只有一半的晶圓核心可以用於製造 SSD，並將直接影響到 QLC NAND 的成本價格，以每 $/GB 計算的成本比當前一代 3D TLC NAND 更貴。

在 2018 年，各大 NAND Flash 供應商包括 Samsung、Micron、SK Hynix、Toshiba、WD、Intel 等都先後宣佈正打造基於 3D QLC NAND 的產品，當中 Micron 就先拔頭籌在 5 月入份發佈了全球首款為數據中心而設的QLC NAND SSD「Micron 5210 ION 」，至於其合作夥伴 Intel 則在 8 月發佈面向消費用家的 64 層 3D QLC NAND SSD「660p」，並以低於每 GB 0.20 美元的價格發售作青睞。

根據 Intel 兩星期前發佈的資料，全新 Intel SSD 660p 是業界第一款基於 QLC 客戶端的 PCIe SSD， SSD 660p 提供了 512GB、1TB 及最大的 2TB 容量，採用 M.2-2280 外形尺寸及 PCIe Gen 3 x 4 接口，相比 PCIe x2 接口帶來更寬的總線，因此可提供更高的傳輸速率。

Samsung 最新宣佈推出基於 NVMe 的便攜式 SSD 固態硬盤「X5」，是首款 Samsung SSD 產品基於尖端的 Thunderbolt 3 技術，「X5 SSD」為外部儲存解決方案實現了更高水平的性能及可靠性，在緊湊和耐用的外形中具有出色的速度，使其成為移動內容創作者和 IT 專業人士的理想便攜式儲存裝置，以便更快地傳輸大數據文件，從而節省用戶的寶貴時間。

Samsung 全新「X5 SSD」特別為需要快速便捷的儲存及數據傳輸的用家而設，整體尺寸為 119 x 62 x 19.77mm，重量約 150g，備有 500GB、1TB、2TB 儲存容量。「X5 SSD」靈感來自超級跑車，外殼以全金屬打造，正面採用了銀黑色鏡面設計，側面的接口及底部就用上鮮紅色，設計富有時尚感。

「X5 SSD」首次支援 NVMe 協議並配備 Thunderbolt 3 高速接口，兼容配備 Thunderbolt 3 接口的 Mac 和 Windows 設備，讀寫速度最高可達 2,800 MB/s、2,300 MB/s，是 SATA 接口移動 SSD 的 5.2 倍、普通移動硬碟的 25.5 倍、USB 3.1的4 倍傳輸速度，只需 12 秒即可將 20GB 4K UHD 視頻從 PC 傳輸到 X5。