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在過去一個月的時間,消費級市場最哄動的莫過於AMD 發佈了全新的 Ryzen 3000 系列處理器及 X570 晶片組,當中最大的賣點就是率先支援新一代 PCIe 4.0 傳輸,而第一個應用領域就是速度與日飆升的 SSD,傳輸速度最高可達 5 GB/s,然而,主控制器廠商 Phison 於正在舉行的 Flash Memory Summit 2019 上,隆重帶來了新一代的 PS5018-E18 晶片,性能再提升至高達 7GB/s ,最大隨機讀寫速度更可達 1000k IOPS。Phison 官方指出,新一代的 PCIe 4.0 提高了數據傳輸速率、訊號可靠性及完整性,PCIe 4.0標準提供的數據傳輸速率是上代 PCIe 3.0 版本的兩倍,新的解決方案能夠為PC、遊戲、移動、儲存、網絡在內的眾多應用提供更高的性能,更高的靈活性和更低的延遲。
首批上市的 PS5016-E16 控制器採用 28nm 3D NAND 以及第四代的 LDPC 糾錯引擎,最高效能達到5 GB/s,不過目前 PS5016-E16 控制器並未完整發揮到PCIe 4.0的最高頻寬,因此Phison 就推出新一代的PS5018-E18 晶片。
為了進一步提高 SSD 容量及密度,Samsung 在日前正式宣佈開始生產業內首批 100 層 V-NAND,是基於 136 層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit,也就是 TLC ) 晶片,首款應用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 產品,預計性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生產效率提升 20%,數據傳輸速度是現時業內最快。Samsung 表示,100 層 V-NAND Flash 使用“通道孔蝕刻”技術,新的 V-NAND 顆粒比之前的 90+層堆疊結構增加約 40% 的層數,達到了 136 層,同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面,可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其 100 層 (第 6 代) V-NAND Flash 的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs,與上代 90 層 V-NAND 相比,100 層 V-NAND 不僅性能提升了 10%,功耗還降低了 15% 。
值得一提的是,新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減,讓生產效率能夠提高 20%。
Toshiba Memory 在 Flash Memory Summit 2019 上宣佈推出非揮發性記憶體的 XFMEXPRESS,全新 XFMEXPRESS 是一項針對使用 PCIe 連接的 NVMe 卸除式存放裝置設備的新技術。XFMEXPRESS 技術採用新的外形和創新的插座,提供無與倫比的特性組合,以求革新超薄 PC、物聯網設備和各種嵌入式應用。由於認為需要一種新的卸除式存放裝置類別,Toshiba 記憶體就利用其在單封裝記憶體設計方面的廣泛背景開發了 XFMEXPRESS 技術,獨特設計提供最佳化的功能、穩健性以及專門設計的插座,可提升易用性和散熱效率。全新 XFMEXPRESS 外觀設計就如一般常規的 SD 卡,尺寸小但性能強大,外觀輕薄(14mm x 18mm x 1.4mm),面積僅 252mm
,可以在不犧牲性能或可維護性的情況下,最佳化超緊湊的主機設備的安裝空間。由於這種最小化的 Z 高度,XFMEXPRESS 外形非常適合輕薄型筆記型電腦,並為下一代應用和系統創造了新的設計可能性。
AMD 全新 Ryzen 3000 系列其中一大賣點就是支援新一代的 PCIe 4.0 傳輸,雖然 PCIe 4.0 仍然是新技術,不過在消費級市場都有不少的支援 PCIe 4.0 的 SSD 推出,香港用家想一試次世代 PCIe 4.0 傳輸協定,都有 CORSAIR、GIGABYTE、GALAX 等品牌的 PCIe 4.0 SSD 可選,若果你覺得 8GB/s 最高理論總帶寬滿足唔到你的話,專門生產 SSD 的廠商 Liqid 最新就發佈了全球第一款基於PCIe 4.0 x16通道的SSD「Elemnt LQD4500」,最高 32TB 容量,連續讀寫速度更高達 24GB/s,非常驚人。Liqid 「Elemnt LQD4500」SSD 基於 4 顆 PHISON「PS5016-E16」主控制器,該主控制器本身使用 PCIe 4.0x4 接口,搭載了定制的固件,因此可達成 PCIe 4.0 x16 通道。
這塊 SSD 應該是在卡上組了 NVMe RAID,跟我們這幾年所見的 PCIe 3.0 x 16 SSD 卡類似。「Elemnt LQD4500」最多可搭載 32TB 3D TLC NAND Flash,實際提供 30.72TB、25.6TB、15.36TB、12.8TB、7.68TB、6.4TB 等多種容量選擇。