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中國身為全球最大的半導體市場,但卻必須高度依賴外國進口,以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 晶片為例,9 成以上都依靠國際大廠,單單在去年中國進口的 3000 多億美元晶片產品中,儲存晶片大概佔了1 /3,價值千億美元的 DRAM、NAND Flash 晶片國產率基本為「零」,其實中國在半導體產業已經部署多年,但距離世界最先進技術仍然存在一段差距。即使中國近年一直希望走出一條「自家製」路,但肯定這條路並不容易走,以目前全球三大 DRAM 陣營的勢力分佈來看,Samsung、SK -Hynix、Micron 的市佔分別為 46%、29%、21%,意即全球 DRAM 晶片有超過 90% 都掌握在韓美兩國手上,尤其是韓國,手握超過 70% 的 DRAM 晶片,而中國必須成為全球 DRAM 產業除了韓、美以外的第三大勢力,才能平衡產業生態,也才能在全球半導體產業中取得上桌談判的資格。
不過,中國晶片業在美國貿易制裁壓力下,正加緊記憶體晶片生產,如中國記憶體晶片廠長江存儲預計,於 2016 年開始建設並耗資 240 億美元的武漢新工廠,到明年年底的 NAND Flash 快閃記憶體月產量將增加 3 倍,達每月 6 萬片晶圓。
隨著 NAND Flash 技術的創新發展,SSD、手機等的儲存容量將會進一步提升,SK Hynix 宣佈在 11 月份已向主要客戶交付基於128 層1Tb 4D NAND 的工程樣品,並比預期提前量產。本次 SK Hynix 基於 128 層 1Tb 4D NAND 的樣品,包括 1TB UFS 3.1、2TB 客戶端 cSSD、16TB 企業級 eSSD,計劃將於 2020 年實現在 5G 手機、PC、企業級市場的商用。在今年 6 月,Samsung 及 SK Hynix 分別公佈將會量產 128 層 3D NAND,其中 Samsung 基於第六代(1xx層)256Gb TLC V-NAND 已批量生產 250GB SATA SSD。128 層相較於 96 層 3D NAND 具有更高的容量,尤其在持續跌價的 NAND Flash 行情下,將更顯成本優勢。
SK Hynix 送樣的 128 層 4D NAND 產品不僅是其重要技術進展,更增強了其在 NAND Flash 解決方案業務中的競爭力,無疑是給其他競爭對手丟下一顆“炸彈”。除了 Samsung、SK Hynix 之外,WD / Kioxia、Micron / Intel 等也研發了 128 層 3D NAND,將正式打開 TB 級產品普及的戰局。
2019-11-19
2019-11-16