近年 SSD 的 NAND 技術快速革新及發展，傳統的 HDD 機械式硬碟當然亦需要持續創新，往大容量的方向發展保持優勢，目前 HDD 最大容量是 16TB，上週 Seagate 在季度財務會議上公佈，明年上半年將會推出 18TB HDD ( CMR )，下半年將推出 20TB HDD ( SMR )，到 2026 年爭取實現 50TB 大容量 HDD 。

據介紹，Seagate 的 18TB 硬碟預計將基於與 Exos 16TB 硬碟相同的 9 碟片設計，使用傳統的 CMR 磁記錄技術，單碟容量總算達到了 2TB，這意味著 Seagate 在大規模生產 18TB 硬盤將相對容易，明年上半年推出市場。除了採用 CMR技術的 18TB 硬碟產品之外，Seagate 還計劃在 2020 年年底推出採用 SMR 疊瓦式記錄技術的 20TB 硬碟。

從目前的發展方向來看，Seagate 全新的 HAMR 熱輔助磁記錄技術硬碟將會續步替代現有產品，根據路線圖，Seagate 計劃於明年推出使用 HAMR 的 20TB HDD，Seagate 的部分客戶正在對 16TB HAMR 的 HDD 進行驗證，因此一旦驗證可用，Seagate 就會準備部署 20TB 的 HAMR HDD。

Micron 與 Intel 於 2019 年正式拆夥，結束了長達 14 年的共同合作關係，而由於兩家都有推出儲存裝置產品，所以在分手後就由「戰友」變成「敵人」，Micron 最新發佈了一款聲稱比 Intel 第二代 Optane SSD 速度更快的「Micron X100」，雖然未知確實的完整規格，但就表示 X100 SSD 的連續讀寫速度超過 9GB/s，隨機讀速更高達 250 萬 IOPS，是目前全業界最高規格的 SSD。

在「Micron Insight」大會上 Micron 執行副總裁兼首席商務長 Sumit Sadana 發佈了幾款重磅產品，當中的一大重點就是號稱「全球最快、業界最高規格」的 Micron X100 SSD，Micron 表示，這款使用最新晶片製作的新 SSD，比起以前的固態硬碟還要快，可以直接插入伺服器中，是面向數據中心的儲存和記憶體密集型應用的解決方案。

X100 SSD 利用 3D XPoint 技術的優勢，在記憶體到儲存的層次結構中引入新的層級，具有比 DRAM 更大的容量和更好的持久性，以及比 NAND 更高的耐用度和更強性能。

PNY 針對遊戲玩家推出「XLR8 CS3030 NVMe M.2 SSD」固態硬碟，採用全新 PHISON PS5012-E12 主控制器，配搭 TOSHIBA 15nm Toggle 2.0 3D TLC NAND Flash，最高速度可達 3,500MB/s Read、3,000MB/s Write，4K 隨機讀寫最高可達 600,000 IOPS，備有 250GB、500GB、1TB 及 2TB 容量可供擇，高達 200 萬小時 MTBF 平均無故障時間，廠商提供五年保固服務。

根據 Micron 上週發佈的財報，6-8 月份的財季中儲存晶片的價格繼續下滑，其中記憶體又跌了 20%，NAND Flash 價格下滑已經收窄到 10% 以內。如果按年算的話，今年以來 NAND Flash 價格已經跌了 40%。

從 2018 年 Q1 季度算起，到現在為止 NAND Flash 價格已經跌了 21 個月，也就是 7 個季度了，Samsung、Toshiba、WD 等公司的業績已經大受影響了，為此這些公司紛紛削減了產能，Micron 將 NAND Flash 本年度的投資直接削減15%，以期降低虧損，改變市場供需情況。

NAND Flash 廠商削減投資、降低產能的政策將會在今年 Q4 季度正式生效了，供應鏈的消息稱 NAND Flash 價格即將止跌回升，而且 Q4 季度漲幅就高達 10%。

剛剛於韓國首爾舉行的 Memory and Storage Day 2019 大會上，Intel 正式發佈了新一代消費類 SSD「665p」，全新「665p」SSD 基於第三代 96 層 QLC 3D NAND Flash，提供 512GB、1TB 及 2TB 容量，新 SSD 新品預計將於下個季度推出，同時還展示了下一代 144 層 3D NAND，有望在 2020 年發佈。

全新的「665p」SSD 外觀上與上代 660p 沒有太大分別，依然採用 Silicon Motion SM2263 主控制器、單面標準的 M.2 2280 設計、PCIe 3.0 x4 傳輸介面，但 NAND Flash 部份就升級第三代 96 層 QLC 3D NAND Flash，單 Die 維持 1024Gb 容量（128GB）。

讀寫性能方面，全新的「665p」在 QD1 下連續讀取速度為 1887.5MB/s，連續寫入速度1816.56MB/s，相比 660p 提升了 40% 以上，隨機性能也有 30%左右的提升。當然，這顯然是在有 SLC Cache 的情況下測出來的，現在還不太清楚新的 QLC NAND Flash 的原始寫入速度。