為針對發展驚人的手持式行動裝置市場，兩大晶圓廠 TSMC 及 Global Foundries 均正研究於 2014 年初推出新一代 ARM 流動處理器，將採用 20nm 制程打造，效能省電各方面均大大提升，為下一代流動處理器訂下指標。

據了解， TSMC 正計劃明年開始量產新一代 ARM 流動處理器，採用 20nm 制程打造，比現時主流 28 至 32nm 制程的處理器更進一步。同時，新一代 ARM 流動處理器由更精密晶體管製造，密度比上代高出 1.9 倍，令效能及省電性能表現更為特出，而且 TSMC 更宣稱，該處理器運算速度可提升 30% ，假設以現時最高規格的 2.3GHz 流動處理器推算，屆時新一代流動處理器最高將有機會達至 3GHz 時脈。

除效能上更進一步外，鑑於現時供電技術仍未能趕上流動裝置的耗電量，省電效能令用家更為關注，因此新一代 ARM 流動處理器擁有更低功耗的特性，讓處理器功耗可減低 25% ，進而讓行動裝置續航力更為持久，勢必成為新一代流動理器指標。

隨著手持式智慧型裝置應用持續提升，加上傳統 PC 產品，市場對 TSMC( 台積電 ) 的 28nm 制程技術晶圓需求甚殷，也為 TSMC 2012 年第三季財務成績表現亮眼。其中據 TSMC 日前發表的 2012 年第三季度財報顯示，第三季度稅後純利為 493 億元新台幣，較去年同期大幅增加 62% 。

TSMC 為全球最大晶圓代工廠商，其中包括繪圖卡大商 NVIDIA 和 AMD 均是其客戶，加上手持式智慧型裝置應用持續提升， ARM 處理器也成為 28nm 制程晶圓需求動能，而且市場有指 Apple 與 Samsung 關係變化後有機會重投 TSMC 懷抱，令分析師均紛紛預期 TSMC 將繼續維持其強勢增長。

據 TSMC 發表的 2012 年第三季度財報顯示，合併營收為 1413.8 億新台幣，比較去年同期的 1064.8 億新台幣上升 32.8% ，較上一季度上升 10% ，稅前純利為 537 億元新台幣，比較去年同期 321 億新台幣上升 67% ，較上一季度上升 17% ，稅後純利為 493 億元新台幣，較去年同期 303 億元新台幣大幅增加超過 62% ，較上一季度上升近 18% ，表現超乎早前市場分析預估。

市調機構 IC Insights 指出，台灣於 2011 年首次趕上日本和南韓成為全球最大晶圓生產地，佔全球約 21% 的全球晶圓生產能力，緊接的日本、南韓佔有率分別為 19.7% 、 16.8% ，美國的市場分額則為 14.7% ，而中國則以 8.9% 超越歐洲各國的總和排列前五位。

數據主要是晶圓生產地所在，由於現時不少半導體公司均為 Fabless 並交由其他公司代工生產，因此數字並不反映該國的 IC 晶片市場狀況，另外 Samsung 有在美國設立晶圓廠、 Intel 亦有在其也地方設立晶圓廠，其數字只會納入晶圓廠地區而非公司總部所在地。

報告指出，台灣擁有全球最多的 300mm 晶圓生產能力，佔全球 12 吋晶圓生產力約 25.4% ， 200mm 晶圓生產力則佔全球約 18.7% 、 150mm 晶圓生產則為 11.4% ， 2011 年台灣的 300mm 晶圓出貨量份額為 29.2% 、 200mm 則為 64.6% 、 150mm 為 6.1% 。

TSMC 於上週季度財佈大會上指出，原定於 2011 年第四季正式量產的 28nm 制程，原預估並將佔 TSMC 整體收入約 2-3% ，現時修正至只有 1% 甚至不足 1% ，主要原因是 2011 年全球經濟疲弱所致。

據 TSMC 董事長張忠謀表示， 28nm 制程的推出時程比預期略為延遲，其中一個原因是 28nm 制程投產所需要時間比預期要長，再加上 2011 年全球經濟不景，令 2011 年第四季 28nm 制程代工需求比預期中低。

由於上代 40nm 制程初上市時良率久佳、問題不斷，因此市場傳言 TSMC 28nm 推遲同樣為品質問題，不過 TSMC 否認 28nm 制程是技術上問題，而是經濟形勢所不得已， 28nm 流片進程完全正常，初推出時需求不如預期。

TSMC 24 日宣佈，目前 28nm 高介電層 / 金屬閘製程的技術藍圖已正式包括低耗電製程 (28HPL) ， 28HPL 將強調低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能，主要針對應用於行動電話、 Smart Netbook 、無線通訊及可攜式消費性電子產品等，於並預期於 2010 年第三季進行試產。

據 TSMC 表示， 28nm 低耗電高介電層 / 金屬閘 (28HPL) 製程採用 gate-last 方法而成，強調低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能， 28HPL 製程有完備的元件支援，而且因延伸自氮氧化矽 (SiON) 製程，因而成本更低、且有利於快速上市，因此適用於日新月異的手機與手持裝置的市場。

另一方面， 28nm 高效能高介電層 / 金屬閘 (28HP) 製程亦採用 gate-last 方法，比較適合中央處理器 (CPU) 、繪圖處理器 (GPU) 、晶片組 (Chipset) 與可程式化閘陣列 (FPGA) 、遊戲主機與行動計算等高效能導向的應用。