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要遊戲畫面真正達至高流暢、零撕裂,大部份玩家都會認為遊戲的 FPS 值越高代表遊戲越流暢,但實際上,顯示器亦是決定遊戲 Frame Rate 的重要一環。顯示器的更新時間周期一般都是固定的(更新率 = 每秒更新畫面數量),但 GPU 渲染每一幀的時間卻有快有慢。
SK Hynix 於 2021 IEEE 國際儲存研討會上,執行長 Seok-Hee Lee 發表主題演講中指出,現時 NAND Flash 的發展重點並不是更先進的制程,也不是 QLC、PLC 技術,而是堆疊層數將不斷增加,現時 SK Hynix 已量產 176 層的 NAND Flash,原本預計 3D 堆疊極限會是約 500 層,但 SK Hynix 已找到新的技術將極限推展至約 600 層。要做到 600 層的 3D NAND Flash,需要在技術方面進行更多創新突破,其中一個重點是加入原子層沉積 (ALD) 技術,能在堆疊層數大大增加後依然保持電荷一致性。
此外,為了解決薄膜應力 film stress 問題,SK Hynix 加入了獨立的電荷阱氮化物 (CTN) 結構,解決堆疊層數增加後存儲單元之間的干擾,電荷丟失問題。
Intel 執行長 Pat Gelsinger 於 24 日清晨舉辦了「Intel Unleashed: Engineering the Future」視像直播,宣佈 IDM 2.0 (Integrated Device Manufacturing) 計劃,未來不僅會擴大使用第三方晶圓代工廠,同時亦會成為晶圓代工廠,計畫投資約 200 億美元,在美國亞利桑那州建立兩座新晶圓廠,目標是成為美國和歐洲當地晶圓代工產能的主要供應商,現時已得悉 SiFive 已與 Intel 晶圓事業群IFS 達成協議,可以期待未來由 Intel 生產 7nm RISC-V 晶片面世。Intel 執行長 Pat Gelsinger 上任後推出了 IDM 2.0 計劃,Intel 未來仍會保持大多數晶片均由自家生產,這一關鍵優勢是可實現產品最佳化、提高經濟效益和供貨彈性,現時 Intel 7nm 進展順利更積極使用 EUV 技術將可重新架構並簡化流程,預期今年第 2 季為其首款 7 nm 產品、代號 Meteor Lake 的運算晶片完成流片。
此外,Intel 將會擴大與第三方晶圓代工廠合作,計劃將通訊及網絡晶片、晶片組、繪圖核心交給第三方代工,此舉將提供更佳的彈性和規模,並且最強化 Intel 產品藍圖的成本、效能、時程和供貨。