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改用膠水封裝實現更多核心線程 Intel Cascade Lake AP 一粒遠超兩粒 EPYC
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為了阻止對手 AMD 在 EPYC伺服器處理器的市佔進一步擴大,Intel 正準備在 Xeon 系列伺服器處理器推出全新的「Cascade Lake-AP」,「Cascade Lake-AP」將採用 MCM 多晶片技術打造,在一塊 PCB 上將兩個 24 核心處理器的封裝在一起,達成最高 48 核心的處理器,總共12 個獨立的 DDR4 通道,最新 Intel 在 Supercomputing 2018就再公佈相關的基準測試結果,與雙插槽 EPYC 7601 相比高出最多 3.4 倍的性能。

全新「Cascade Lake-AP」屬於Intel Xeon Scalable 家族,將是 Intel 用作對抗 AMD EPYC 系列的新產品,新的「Cascade Lake-AP」由以往的單片晶片轉變為類似於 AMD EPYC 系列的多晶片技術,從而希望達成更多的核心數目,將兩個 24 核心處理器的封裝整合後,最多可提供 48 核心 96 線程。

不僅核心,「Cascade Lake-AP」的記憶體接口也非常吸引,單一的「Cascade Lake-AP」處理器封裝了 2 組六通道記憶體,最多將可支援 12 個獨立的 DDR4 通道,在雙插槽主機板將可支援兩個 CPU,允許單個系統提供前所未有的 96核心及 24 個 DDR4 通道,這使伺服器平台的處理器核心數增加了一倍。
單一平台可組成 96 核心、12TB 記憶體?! Intel 推出 48 核心 Cascade Lake-AP
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在不久之前,Intel 曾批評過 AMD 正採用的封裝技術以「粘合」的方式將晶片貼在一起,即使如此,但 Intel 在處理器核心數目上暫時仍追不上 AMD,為了奪回 AMD 在伺服器市場不斷增加的佔有率,Intel 正準備推出最新的 Xeon 系列伺服器處理器「Cascade Lake-AP」,新系列產品將提供高達 48 核心,最多可支援 12 個獨立的 DDR4 通、12TB 容量,預計將於明年發佈。

全新「Cascade Lake-AP」將是 Intel 對抗 AMD EPYC 伺服器產品,「Cascade Lake-AP」對其前身為 28 核心、56 線程的 Xeon 處理器進行了一些改進,新的「Cascade Lake-AP」已從單片晶片轉變為類似於 AMD EPYC 系列的多晶片工藝,將兩個24核心處理器的封裝技術,從而將希望能夠達成更高的核心數目,但 Intel尚未透露線程數以及會否提供 Hyper-Threading 功能。

不僅核心,「Cascade Lake-AP」的記憶體接口也非常吸引,單一的「Cascade Lake-AP」處理器封裝了 2 組六通道記憶體,最多將可支援 12 個獨立的 DDR4 通道,在雙插槽主機板將可支援兩個 CPU,這使伺服器平台的處理器核心數增加了一倍,允許單個系統能夠提供前所未有的 96 個核心及 24 個 DDR4 通道,最高可達 12TB RAM。
【粉碎不利傳言】Intel Ice Lake 跑分曝光 10nm 架構大躍進 L1、L2 緩存倍增!!
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Intel 10nm 工藝節點在研發上出現問題導致良率不足,暫時都未能大規模量產,更有消息傳出 Intel 有可能會擱置 10nm 工藝,為了釋除外界的疑慮 Intel 在昨日發佈聲明作出反駁,更表示 10nm 工藝進展良好,最新在 Geekbench 基準數據庫中就出現了一款 Ice Lake 處理器的跑分,再次證明 Intel 尚未放棄 10nm 工藝。

按照 Intel 已公佈的規劃路線, 10nm 工藝將會提供第一代的 Cannon Lake 及第二代的 Ice Lake,在較早前已有 Cannon Lake 的 Core i3-8121U 曝光,但竟然是沒有提供內顯,感覺上這款處理器未有帶來太大的驚喜,真正大規模上市的將會是 Ice Lake處理器,Ice Lake 將在微架構中引入一些重大變化,通過增加緩存帶來更高的性能,可謂是近三年以來 Intel 處理器的一次重大革新。

最新在 Geekbench 基準數據庫曝光的資料,顯示新處理器是一款「Intel Corporation Ice Lake Client Platform」,未有顯示測試品的型號,這款 Ice Lake 處理器採用了雙核心設計,支援 HyperThreading,應該是屬於 U 系列的處理器,具有 2.6GHz 的基礎時脈及 4MB L3 Cache 緩存,並支援 DDR4 記憶體。
傳言 10nm 工藝遭擱置?! Intel 駁斥:消息不實,10nm 工藝進展良好
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眾所周知 Intel 一再推遲 10nm 工藝的上市時間,Intel 最初計劃 10nm 於 2016 年首次亮相,然後推遲到 2017 年,到了今年 Intel 終於對外承認在 10nm 研發遇到困難,最快要到 2019 年才能進行大規模生產,並將落後台積電至少 5年,外界已對 Intel 逐漸失去耐心,最新來自 SemiAccurate 的消息更指 Intel 有可能會擱置 10nm 工藝,難道 Intel 真的要放棄嗎?!。

2018 年對 Intel 來說確實是相當動蕩的一年,在年頭爆出處理器存在 Meltdown 及 Spectre 的安全恐慌、在年中 CEO Brian Krzanich 由於與員工發生「私情」違反了公司的親密關係政策,及後宣佈請辭 CEO 一職、10nm 工藝研發遇到困難需要延遲、14nm 工藝又出現供不應求的狀況等等,再加上對手 AMD 的步步進迫,Intel 的主導地位面臨著重大的挑戰。

各種各樣的問題不斷浮現,市場已出現不少 Intel 10nm 遭擱置的流言蜚語,據 SemiAccurate 的報導,Charlie Demerjian 獲得可靠的消息指 Intel 由於面對研發的困難,將會取消 10nm 工藝。
【Intel 官方確認】第 9 代 Core 系列處理器 將升級支援 128GB 容量 DDR4 記憶體
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在以往的 Intel Core 處理器系列,最多只可以支援 64GB 記憶體,對於部份用家來說可能不太足夠,但在全新的第 9 代 Core 系列處理器,這個限制似乎已經不存在,因為 Intel 已經確認將會支援 128GB 記憶體,並意味著我們很快就會看到更多高容量的記憶體推出市場。

在現時使用的 Desktop 台式處理器平台上,由於記憶體 UDIMM 模塊的限制,最大容量支援 16GB,因此在大多數支援雙通道的主機板,僅能提供 16GB x 4 = 64GB 的記憶體配置。

隨著 Samsung 宣佈為客戶端平台準備了符合 JEDEC 標準的 32 GB 雙列 UDIMM 記憶體,我們可以看到包括 Zadak、Corsair、G.Skill 及 Kingston 等公司出現的 32GB 高容量模塊。現階段 G.Skill 及 Zadak 已公告將會推出 32GB 容量雙列 DIMM 記憶體,至於 ASUS ROG 將成為第一家支援兩者的主機板供應商。
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