針對追求出色效能與炫目 RGB 燈效的玩家，Thermaltake 推出全新 TOUGHRAM Z-ONE RGB DDR4 3200MHz 16GB (8GB x 2) 記憶體 ，採用了 10 層電路板設計、嚴選記憶體晶片、 2oz 鍍銅電路板及 10μ 鍍金手指等高品質零組件，提供理想超頻環境，加上 1680 萬色 10 顆高流明可獨立編程 LED 燈搭配多種燈效，隨時輕鬆調配專屬色彩。

Thermaltake 全新 TOUGHRAM Z-ONE RGB DDR4 記憶體的時脈為 3200MHz、單條容量為 8GB，時序為 CL16，電壓為 1.35V，支援 XMP 2.0 並兼容 Intel 及 AMD 平台。記憶體內建嚴選高品質顆粒，記憶體晶片經嚴格篩選，提供穩定時脈與效能。用上特選 10 層電路板與傳導性佳的 2oz 鍍銅設計，配以 10μ 鍍金手指可強化耐磨性，大幅延長記憶體模組的壽命。

TOUGHRAM Z-ONE RGB 系列記憶體採用鋁製散熱片，表面採用拉絲工藝，頂部的導光條採用不對稱設計，內部集成了 10 顆可尋址燈珠，支援 1680 萬色燈效。同時，記憶體的 RGB 燈效可玩性很高，除了可通過 TT RGB PLUS的驅動程式控制之外，還能夠通過 Tt AI/Amazon Alexa 語音操控，支援與 ASUS Aura Sync、GIGABYTE RGB Fusion、MSI Mystic Light Sync 及 ASRock Polychrome 的主機板背光同步，也可與支援 Razer Chroma 的外置設備同步背光，喜歡燈效的玩家可盡情暢玩。

臨近年底，記憶體行業分析師給出了許多關於明年記憶體價格上漲的預警，如果經常關注記憶體市場的朋友可能也注意到了，最近的記憶體基本上已經止跌了，波動幅度非常小，說明記憶體價格基本上差不多「到底」了，其中 DigiTimes 引用業界消息稱明年記憶體的平均銷售價格將上升 30%。對於廣大消費者來說，不管是升級容量還是升級時脈，現在可能是升級記憶體的最好時機。

根據市場規律，此時 DRAM 顆粒廠商應該已經縮小了供應以減少自己的虧損幅度，但目前 DRAM 顆粒應該仍然是供過於求，不過在收緊供應一段時間，直到供過於求後，其效應才會傳遞到消費用家這端，引起最終成品的價格上漲。

另外，價格首先出現上漲的將會是 NAND 而不是 DRAM，根據供應商 Lam Research 的說法，進入 12 月之後，NAND 的需求量在增加，其供過於求的現象正在發生變化。他們還預計到 2019 年結束，NAND 的位供應量將會上升 30%，這比預期的要低很多，所以在 2020 年上半年，NAND 存量就應該會恢復正常水平。而 DRAM 的存量則仍然還在保持增長，可能會在 2020 年下半年中才能夠恢復正常。

Apple 推出的產品一向都會被人用「貴」來標籤，除了 iPhone、iPad 等行動裝置之外，其他的 PC 及 Notebook 產品如 MacBook Air、MacBook Pro、iMac、iMac Pro、Mac Pro、Mac Mini 等等都不乏「忠實果粉」，針對一眾已購買 iMac、Mac Mini 又想升級及擴充系統記憶體的用家，Apple 最新推出了專為 iMac 及 Mac Mini 而設的 SO-DIMM 記憶體產品，提供了最低階的 2x8GB DDR4 2666MHz 至最高階的 2x32GB DDR4 2666MHz 五款不同速度及容量選擇，售價就介乎在人民幣 2934 元至人民幣 8802 元，相比市面上其他品牌要貴得多，完全「貴絕 RAM 界」!!

根據 Apple 中國官網的資料，最新上架的 5 款 SO-DIMM 記憶體產品分別為 16GB DDR4 2666MHz SO-DIMM ( 2x8GB ) 、16GB DDR4 2400MHz SO-DIMM ( 2x8GB )、32GB DDR4 2666MHz SO-DIMM ( 2x16GB )、32GB DDR4 2400MHz SO-DIMM ( 2x16GB ) 以及 64GB DDR4 2666MHz SO-DIMM ( 2x32GB )，而 5 款 SO-DIMM 記憶體全部都可以兼容 Apple iMac (Retina 5K，27 吋，2019 年)及 Mac mini (2018 年)。

Apple 的 SO-DIMM 搭載了 D9TBH 顆粒，基於 16 年的美光 8Gb B-Die 及 SK-Hynix 的記憶體顆粒，特別用上航空級低溫飄電阻、NPO 電容等等，最為重要的是，目前只有 Apple 獨家使用這種電阻。在性能上，Apple SO-DIMM 記憶體 ( 14-16-16 ) 在同時脈的基礎上，要比高壓的 Kingston FURY DDR4 時序還短。

GIGABYTE 正積極拓展旗下的 AORUS 產品線，除了核心的板卡業務外，去年更跨進記憶體模組市場發佈了首款「AORUS RGB」記憶體模組，在外觀、RGB、超頻等方面都非常出色，吸引到不少 AORUS 粉絲購買。最新，GIGABYTE 又推出第二代 AORUS RGB 記憶體，散熱裝甲內置 LED 燈可以提供多種 RGB 燈效，時脈部份就由之前的 DDR4-3200 提升到 DDR4-3600，同時自帶超頻功能在特定的 AORUS Z390 及 X570 平台更可以加速到 3733MHz，性能再增 4%。

全新的 AORUS RGB MEMORY 16GB DDR4-3600MHz 套件採用 DDR4 XMP 3600 8GBx2 設計，能夠兼容 AMD 及 Intel 平台，支援 XMP 2.0 技術可提升時序到 CL 18-19-19-39。新一代 「AORUS RGB」記憶體模組的外觀設計上延續了一代的風格，採用鋁擠工藝散熱器，不過就由上代的銀色外觀升級為更炫酷的黑色外觀。

為了滿足用家對更快的儲存時脈及整體性能的需求，AORUS RGB MEMORY 16GB 3600MHz 支援GIGABYTE 獨家的 AORUS Memory Boost 功能，通過在新的 BIOS 上啟用 AORUS Z390、X570 主機板及 XMP，用家可以激活 Memory Boost 功能並將時脈提高到 3733 MHz，而無需調整時序。這樣就可以在不超頻的情況下將讀寫性能提高 4%。

韓媒 BusinessKorea 在上週報導，Samsung 南韓器興(Giheung)廠，因為 8 吋矽晶圓生產線採用了受到污染的設備，導致產品出現瑕疵。一名三星高層坦承，的確發現瑕疵品，但製程已獲修正，損害規模估計有上億韓元。

其實，今次 Samsung 電子晶圓代工產品傳出發現瑕疵並非第一次，在今年稍早時間，Samsung 第一代 10nm ( 1x nm ) DRAM 產品就曾出現過問題，這次則是晶圓代工業務出事，恐傷及 Samsung 的業界信譽。

據了解，Samsung 8 吋矽晶圓事故在一個星期之前發生，消息稱出問題的並非新的 300mm 晶圓廠，而是 Samsung 位於京畿道器興的工廠，這是一家 Samsung 較小的工廠之一，依然用 200mm 的晶圓生產 1x nm 的 DRAM，所以造成的損失比台積電那次小得多，Samsung 官方承認發現了有缺陷的產品，要處理受污染的幾批晶圓，但是目前生產已經正常化並重回正軌，暫時預估損失約上億韓圜。