目前，高階及主流級的 NVIDIA GeForce RTX 20 系列及 AMD Radeon RX5000 系列繪圖卡都已經搭載了新一代的 GDDR6 記憶體，至於相對更高階的 Titan V、Radeon VII 繪圖卡就採用了另一款的 HBM2 記憶體，在上週，JEDEC 就正式發佈了全新升級、第三版的 HBM2E 記憶體標準「JESD235C」，作為儲存晶片生產大廠的 Samsung 亦隨即宣佈推出名為 Flashbolt 的第三代 HBM2E 記憶體，HBM2E 單顆最大容量為 16GB，由 8 顆 16Gb 的 DRAM 顆粒堆疊而成，單個封裝可實現 16GB 容量，最高可提供 3.2Gbps 的穩定數據傳輸速度，預計新的 HBM2E 記憶體將在今年上半年開始量產。

Samsung 在 2019 年 3 月宣佈成功研發了業界首款符合 HBM2E 規範的記憶體，HBM2E 是 HBM2 的升級版標準，HBM2 的最大數據傳輸速度可達 2.4Gbps ，在此之前使用 HBM2 記憶體的繪圖卡分別有 AMD Radeon VII 及 NVIDIA Titan V，其中 Radeon VII 的記憶體介面為 4096-bit 、頻寬最高可達 1TB/s，至於Titan V 的記憶體介面為 3072-bit、頻寬也達到了 653GB/s。

至於 JEDEC 最新發佈的第三版 HBM2E 標準「JESD235C」，電壓依舊保持在 1.2V，不過其針腳頻寬提高到 3.2Gbps，較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。按照 JEDEC 給出的設計規範，單 Die 最大可達 2GB、單堆疊 12Die 能達到 24GB 的容量，將其配備在支援四堆疊的 GPU 繪圖晶片上，便可為繪圖卡提供 1.64TB/s 的總頻寬。

ANTEC 推出全新「KATANA」DDR4 RGB 記憶體模組，取其日文「武士刀」之匠意在頂部勾勒出刀身造型，並柔合 ARGB 導光設計帶來「刃 の 光影」構想，配合極致 CNC 切割工藝及陽極噴砂處理，採用 SpeckTek J-Die 顆粒 DDR4-3200 規格竟可超上 DDR4-4600 !? 具備出色的超頻能力與性價表現，正打算砌機的玩家們不容錯過。

在未踏入 2020 年，已有不少的消息指出 DRAM、NAND Flash 將會漲價，日前再有產業鏈透露，隨著 PS5、新 Xbox 遊戲機即將上市，下半年記憶體及 SSD 需求將會增加，預計將會掀起硬件的搶購潮，看來記憶體、SSD 快要加價了。

據 DRAMeXchange 的報告指出，SONY 與 Microsoft 兩大遊戲機廠商之前已不約而同披露 PS5 與 Xbox Series X 的上市計劃，將在 2020 年聖誕檔期上市，從 GPU 來看，兩者的新遊戲主機均採用 AMD 的解決方案，細節雖略有不同，但預計都會支援高解像度並加入光線追蹤技術，整體架構與 PC 相近，故在遊戲的開發甚至跨平台移植都將更容易。

而為了應對更出色的畫面表現，PS5 與 Xbox Series X 兩款新機都將採用目前最先進的 GDDR6 記憶體，當中 SONY PS5 的記憶體高達16GB，而 Xbox Series X 因為規格不同，將採用 16GB 與 12GB 二種記憶體。SONY 與 Microsoft 預計會從年中之後進入超級採購週期，加上 NVIDIA 亦會在今年下半年正式銷售代號為 Ampere 的新一代 GPU，預料將會掀起一波 GDDR6 的搶貨大戰。

在踏入 2020 年，SK-Hynix 會將旗下的 SSD 產品升級用上自家的 128 層 1Tb 4D NAND Flash 之外，亦都告訴我們「DDR5 記憶體要來了!!」在 CES 2020 上展示了一條最新的 DDR5 EEC 記憶體實物，單條容量為 64GB，而速度更達到了 DDR5-4800 MHz。

DDR5 是下一代 DDR 記憶體，將會替代現時主流的 DDR4 記憶體，DDR5 的容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上。得益於最新的技術，DDR5 有可能帶來單片 32Gb 的 DDR5 顆粒，這樣單條記憶體支援的容量將可提升至 64GB~128GB。而規格上，目前 DDR5 的記憶體規格從 DDR5-3200MHz 起跳，最高可到 DDR5-6400MHz。

在 2018 年 11 月，SK-Hynix 推出了 DDR5 記憶體的樣品，採用的晶片容量為16Gb，速度為 5200 MT/s，比上一代產品快 60%，而在去年 2 月舉行的 ISSCC 國際固態電路會議，SK-Hynix 介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片，設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品，全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm，基於四金屬 DRAM 工藝，封裝面積 76.22 平方毫米，是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM，工作電壓為1.1V，可打造出高階的 DDR5-6400 記憶體。

據目前的發展方向，在 2020 年 AMD、Intel 將會推出的新一代 CPU 處理器暫時仍只會支援 DDR4 記憶體，但是下一代 DDR5 記憶體已經近在眼前，預計會在 2021 年正式上市，在 CES 2020 大會期間，Micron 公佈其 DDR5 記憶體研發已獲得重打的進展，全新的 DDR5 記憶體基於 1Znm 工藝，密度提高了一倍，性能提升了 85%，並現已開始向客戶出樣。

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術，Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品，與上一代 1ynm 製程相比，可提供更高的密度，顯著的增強性能以及更低的成本。如今，Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用，將更具市場競爭優勢。

DDR5 是 DDR4 的後繼產品，而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化，因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗，且受到移動和終端等因素的推動，而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加，滿足當下 CPU 核心數提升的速度，Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍，同時也提高了可靠性。