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Samsung B-Die DDR4 記憶體顆粒有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性深受玩家愛戴,在近年不少廠商推出的高頻記憶體都會用上 Samsung 的 B-Die 顆粒,不過B-Die顆粒很快就會成為歷史,Samsung 日前公佈了最新的產品指導說明書,透露了 B-Die 今年上半年將陸續停產,並會由新款的 A-Die、E-Die顆粒接替。Samsung B-Die是 Samsung生產的一種記憶體 DRAM 顆粒,與其他 DRAM 顆粒相比有更高頻、低時序、吃電壓的特性,同時有不俗的超頻能力,一條普通的DDR4-2133 隨便就可以跑到DDR4-3200甚至4000,成為超頻界的火熱顆粒,加上在過去幾年INTEL 及 AMD推出的新處理器對記憶體頻率的要求越來越高,基本都是DDR4-2666以上,因此Samsung B-Die 更成為高階用家追捧的產品。
隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,最新公佈的 B-Die顆粒即將進入 EOL 狀態,取而代之的是更密集的M-Die及A-Die產品。
在剛完結的 Intel Data Center Innovation Day 2019 大會上,Intel 發佈了一系列以數據為中心為主的產品組合,包括了第二代 Intel Xeon Scalable 處理器、Intel Agilex FPGA 現場可編程門陣列、Intel Optane Memory 與儲存解決方案、Intel Ethernet 800 系列等,其中新一代的 Intel Xeon Scalable 處理器正式支援 Intel Optane DC Persistent Memory,擁有比現有的記憶體更大儲存容量、持久性及更高數據傳輸效率的優點,Intel 更表示第二及第三代 Optane DC Persistent Memory 已在研發中,並透露第三代的 Optane DC Persistent Memory 將可兼容 DDR5 記憶體。Intel 全新「Optane DC Persistent Memory」 DIMM 記憶體最大的賣點就是能夠用於伺服器中的 DDR4 插槽,不僅能夠為系統加速,同時亦可帶來更大的儲存容量,「Optane DC Persistent Memory」 DIMM 記憶體備有 128 GB、256 GB 及 512 GB,基於 3D XPoint 技術的“堆疊”性質,結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點,具有 DRAM 的速度及低延遲,同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度,即使在斷電的情況下仍具有數據儲存的能力。
第一代的 Intel Optane DC Persistent Memory DIMM 記憶體
2019-03-27
2019 年第一季即將完結,DRAM 市場由於庫存水位仍高,三大廠商包括 Samsung、Micron、SK Hynix 的紛紛決定採取減產方式,以防盈利繼續下跌,半導體研究中心 DRAMeXchange 最新公佈的調查指出,由於受庫存過高影響,DRAM 第一季合約價跌幅持續擴大,整體均價已下跌逾 20%。然而價格加速下跌並未刺激需求回溫,預計在庫存尚未去化完成的影響下,DRAM 均價跌勢恐將持續至第三季。根據 DRAMeXchange 調查,DRAM 供應商累積的庫存水位在第一季底已經普遍超過六週(含wafer bank),而買方的庫存水位雖受到不同產品別的影響略有增減,但平均至少達五週,在伺服器以及 PC 客戶端甚至超過七週。
進入第二季,受惠於 1Ynm 製程貢獻,供給位元仍持續成長。在極力消化庫存的考量下,DRAM 供應商普遍採取持續大幅降價的策略以刺激銷售。與第一季相似,跌幅最大的產品別為 PC 與伺服器記憶體,跌幅約兩成。而行動式記憶體受惠於新機潮的拉貨動能跌幅較小,約 10~15%,預估 DRAM 均價在第二季將持續下跌近兩成水位。