Intel 與 Numonyx B.V. 29 日宣佈發現一項突破性的相變儲存器 (phase change memory ， PCM) 研究成果，這項嶄新的非易失性 (non-volatile) 儲存器技術結合了目前各種儲存器的優勢。研究人員首次展示了能夠在單一矽晶上堆疊或放置多個 PCM 陣列的 64Mb 測試晶片。這些研究成果爲製造容量更高、能耗更低的儲存器設備作好準備，能夠爲隨機存取非易失性儲存器和儲存應用降低所佔用的空間。

這項成果由 Numonyx 和英特爾聯合開發，雙方一直共同探索在多層或堆疊式 PCM 單元陣列方面的研究。 Intel 和 Numonyx 的研究人員現在能夠展示名為相變儲存器與開關 (phase change memory and switch ， PCMS) 的垂直整合型儲存器單元。 PCMS 由一個 PCM 組件和新型雙向定限開關 (Ovonic Threshold Switch ， OTS) 以真正的交叉點陣列方式組成。堆疊多層 PCMS 陣列的能力提供了實現更高儲存器密度的可擴展性，同時保持 PCM 的性能特徵，而基於傳統儲存器技術則越來越難以實現。

Intel 院士兼儲存器技術開發總監 Al Fazio 表示，將會繼續開發儲存器的相關技術，以推動運算平台的進步。這項研究里程碑的成果令人振奮，認爲對於擴展儲存器在運算解决方案中的作用以及提高性能和儲存器擴展能力， PCMS 等未來儲存器技術至關重要。

TSMC 24 日宣佈，目前 28nm 高介電層 / 金屬閘製程的技術藍圖已正式包括低耗電製程 (28HPL) ， 28HPL 將強調低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能，主要針對應用於行動電話、 Smart Netbook 、無線通訊及可攜式消費性電子產品等，於並預期於 2010 年第三季進行試產。

據 TSMC 表示， 28nm 低耗電高介電層 / 金屬閘 (28HPL) 製程採用 gate-last 方法而成，強調低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能， 28HPL 製程有完備的元件支援，而且因延伸自氮氧化矽 (SiON) 製程，因而成本更低、且有利於快速上市，因此適用於日新月異的手機與手持裝置的市場。

另一方面， 28nm 高效能高介電層 / 金屬閘 (28HP) 製程亦採用 gate-last 方法，比較適合中央處理器 (CPU) 、繪圖處理器 (GPU) 、晶片組 (Chipset) 與可程式化閘陣列 (FPGA) 、遊戲主機與行動計算等高效能導向的應用。

Intel 19 日宣佈中國大連晶圓廠 Fab 68 將會採用 65 奈米製程技術，這座全新的 12 吋廠將會在 2010 年建成投產，投資總額為 25 億美元。未來大連晶圓廠製造的 IC 晶片將針對全球市場，應用在 Intel 新型和主流中央處理器平台上，爲最新型的行動電腦和桌面電腦的晶片組及週邊 IC 晶片產品。

坐擁 163,000 平方米廠房面積的大連晶圓廠是 Intel 第一個在亞洲建立的 12 吋晶圓廠面積，僅採用 65 奈米技術是因為目前美國政府批准的海外最先進生産技術所規限，現時大連晶圓廠的建設正在按計劃穩步推進，綜合辦公大樓和數據中心 IT 機房已經落成及投入使用，工廠廠房建設將在今年夏季季末完成，隨後進入設備安裝和調試階段。目前，大連晶圓廠僱員人數已經達到 500 人，計劃投産後員工人數將達 1200 至 1500 名。

據 Intel 大連晶圓廠總經理柯必杰表示，大連晶圓廠的建造沒有受到全球經濟衰退的影響，工廠將於 2010 年如期建成投産， Intel 對中國及東北地區的經濟增長充滿信心，並致力將先進的製造技術引入中國，大力支持大連 IT 産業生態系統的建設，並對 Intel 的未來策略性發展意義重大，並且已爲今後的更先進的制程技術升級做好準備。

TSMC 18 日宣佈成功開發 28 奈米制技術，時配合雙╱三閘極氧化層 (dual/triple gate oxide) 製程，將 32 奈米製程所使用的氮氧化矽 (Silicon Oxynitride ， SiON)/ 多晶矽 (poly Si) 材料延伸至 28 奈米製程，使得半導體可以持續往先進製程技術推進。此一製程技術的優勢還包括高密度與低 Vcc_min 六電晶體靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統類比╱射頻╱電子熔線 (analog/RF/electrical fuse) 元件、低電阻 - 電容延遲 (low-RC) 的低介電質銅導線 (Cu-low-k interconnect) 。

現時 TSMC 已成功以 28 奈米雙╱三閘極氧化層系統單晶片技術生產出 64Mb SRAM ，良率十分優異。此一 SRAM 的元件尺寸為 0.127 平方微米，相當具有競爭力，晶片閘密度 (raw gate density) 高達每平方公釐 390 萬個閘。在 SRAM Vcc_min 、電子熔線及類比領域的優異表現足以證明此製程技術的可製造性 (manufacturability) 。

此一領先的製程技術再次展現 TSMC 在低耗電、高效能製程採用氮氧化矽╱多晶矽材料，提供客戶深具成本效益解決方案的承諾及能力。在這篇論文中，藉由應變矽 (straining engineering) 與極具競爭力的氧化層厚度最佳化的氮氧化矽材料所產出的電晶體，與前一世代的 45 奈米製程技術相較，不但時脈提高 25 ~ 40% ，操作功耗減少 30 ~ 50% ，還擁有低待機及低操作功耗的優勢。

市調機構 Gartner 指出， 2009 年全球半導體產業收入預測為 1980 億美元，較 2008 年的 2550 億美元跌 22.4% ，較原先預期全年下跌 24.1% 有輕微改善。據 Gartner 研究副總裁 Bryan Lewis 表示，首季的 PC 付運量較預期為佳，從而使到 CPU 銷量得以改善，預期第二季半導體銷售上升 4.9% 反映半導體行業有些微走出陰霾的跡象，明顯已不再迷失。

PC 市場在 2008 年第四季，以及 2009 年一、二月的倉存驟減，使元件需求顯著低於個人電腦需求，繼而帶動有關價格下跌。 Gartner 分析員指， PC 供應商開始及早削減存貨，以降低原材料清單成本。隨著倉存量由增長趨向減少， Gartner 預計元件價格在今年轉趨穩定。

針對特定應用的標準產品 (Application-Specific Standard Product ，簡稱 ASSP) 將會繼續佔據半導體收入的首位， Gartner 預期該類收入在 2009 合共 519 億美元，較 2008 年下跌 24.2% 。記憶體市場將會位居半導體行業次席，佔 394 億美元，較去年下跌 16.8% 。 微型元件部分 ( 包括 CPU 、 Micro Controller 、 Digital Micro-Processor) 則由去年的第二位下跌至 2009 年的第三位，預期這個市場的收入會錄得 373 億美元，較去年下跌 23.6% 。