Intel 近期動靜多多，除了大家非常關注的新處理器及晶片之外，Intel 亦針對儲存裝置產品與 Micron 研發了全新的 3D Xpoint，當中的 Optane SSD 更號稱理論讀寫速度及壽命都是普通 SSD 的千倍，作為 NAND Flash 晶片的龍頭大廠 Samsung 就推出了 Z-NAND 技術予以還撃，發佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 產品，並將會以比對手 Optane P4800X SSD 更低的價格出售。

Samsung 全新 SZ985 是首款基於 Samsung Z-NAND 技術的 SSD 產品 ，提供了一個獨特的電路設計及控制器，相比起現時的 NVMe SSD 延遲降低了 5.5 倍，備有 800GB 容量選擇，採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面，官方資料顯示其連續讀寫速度可達 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read，隨機讀寫速度則可達 750K IOPs / 170K IOPs。

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 兩者作比較，在速度方面，Samusng SZ985 SSD 明顯在連續讀寫及隨機讀寫方面擁有更高效能，但在讀寫指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面，Optane SSD 均為10μs、Samusng SZ985 則為 20 /16μs，兩者相較一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之間均有優勢。

除了發佈下一代 GDDR6 記憶體之外，Samsung 同時亦公佈即將推出的 NGSFF 固態硬盤解決方案，屬於一款全新的 NVMe SSD、總儲存容量為 8TB，專門為伺服器及數據中心而設，將能夠提供比傳統儲存器更快、更高容量的新儲存方案。

Samsung 全新 8TB NGSFF (Next Generation Form Factor ) NVMe SSD 型號為 PM983，為選下首款 8TB 採用全新外形設計的 NVMe SSD，尺寸為30.5mm x 110mm x 4.38mm，比 NVMe 2280 M.2 SSD 稍為大一點點。

今年 3月份 Intel 宣佈旗下的 Intel Optane SSD DC P4800X 系列 375GB 容量正式開賣，在今日再推出 750GB 容量，提供了 PCIe HHHL AIC 及 2.5" 15mm U.2 兩個版本，為數據中心提供了更大容量及不同的擴展方式，為客戶帶來更靈活的解決方案及提升系統的成本效益。

Intel Optane SSD DC P4800X 系列為 PCIe 3.0 x4 NVMe SSD，內建 Intel SLL3D 控制器，搭配 128Gb 20nm Intel 3D XPoint 記憶體，Typical Latency 小於 10 µs，官方資料顯示，375GB 及 750GB 容量的連續讀寫速度為 2400 MB/s Read、2000 MB/s Write，隨機讀寫則為 550,000 IOPS Read、500,000 IOPS Write。

Intel Optane SSD DC P4800X 打破了傳統伺服器及數據中心儲存的局限性，有別於其他品牌的 3D NAND Flash， Intel 為 Optane 系列產品加入了交叉陣列結構，以及新研發的尋址技術加速數據吞吐，是一款結合系統 DRAM 及 SSD 兩種產品優點的新產品。

ADATA 在今天宣佈推出聖誕特別版的「UV100F」 USB 隨身碟，「UV100F」特別用上紅色主調，配以雪人及聖誕老人的特色圖案，兩款圖案分別提供了 16GB 及 32GB 儲存容量，USB 2.0 傳輸介面，若果在聖誕佳節需要與朋友交換禮物，「UV100F」或者是一個不錯的選擇。

ADATA 在過往亦有推出過不同特別版的 USB 隨身碟，最新就推出了「UV100F」聖誕特別版，以簿身設計打造，機身採用了紅、白配色，並在 USB 正面加入雪人及聖誕老人兩款圖案，兩者的分別在於儲存容量，雪人圖案為 16GB 容量版本、聖誕老人圖案則為 32GB 容量版本，同樣採用 USB 2.0 傳輸介面。

繼 WD 早前宣佈將研發 40TB 儲存硬碟機後，Seagate 最新表示已成功在其儲存技術取得突破性進展，該技術名為「HAMR」(heat-assisted magnetic recording )，在 HAMR 技術的加持下，最快於 2018 年將可成功生產 20TB 儲存容量的硬碟機，比對手 WD 預計 2019 年推出 20TB 儲存硬碟的步伐更快。

據了解，Seagate 採用的「HAMR」技術與 WD 採用的「MAMR」技術完全不同，雖然「HAMR」依靠 Spin Torque Oscillator 自旋力矩振盪器產生微波，在磁盤上燃燒更精細的磁化位，在無須捨棄穩定性、無須再次提高溫度的的情況下提高數據儲存的密度，從而將面密度增加到每平方英寸 40TB 的儲存容量。

而 Seagate 的「HAMR」技術使用非常精細的激光去加熱 RW 磁頭，從而產生更精細的 Magnetized bits，每個 bits 的物理層在幾奈秒內被加熱及冷卻，因此 HAMR RW 磁頭功耗相對較低，在隨機寫入操作時功率約為 8W ( 硬碟機中功耗最高的操作) ， RW 磁頭亦將提供2PB的耐久性。