Toshiba 最新宣佈在 CES 2018 期間將推出新一代 NVMe SSD RC100 系列 SSD，全新 RC100 系列性能上優於目前市場上佔比最高的 SATA 固態硬盤，新款固態硬碟將主攻 DIY 製造商和 PC 玩家群體，此外 Toshiba 亦會展示新款的 XS700 及其他應用 BiCS FLASH 3D 儲存器的產品。

全新 Toshiba RC100 M.2 NVMe SSD 以小巧外形設計，尺寸為 22mm x 42mm，擁有低功耗、出色的性能表現，並將會在 CES 2018 大會上首次亮相。同時，亦將會在 CES 2018 展示包括 96 層 512Gb 晶片、業界第一款採用四級單元 ( QLC ) 技術的 Flash Memory 及 TSV 矽通孔技術的產品。TMA的BiCS FLASH 已經能夠支持當今的企業，數據中心，PC和移動應用，為未來的應用鋪平了道路。

身為垂直堆疊的 3D 快閃記憶體，BiCS FLASH 的顆粒密度遠遠勝過前一代的平面記憶體。此外，BiCS FLASH 更優化了電路技術及製程，繼續微縮了晶片尺寸。96 層 BiCS FLASH 的單位面積儲存空間，已達 64 層 BiCS FLASH 的 1.4 倍。

在去年 Computex 2017 大會上，Plextor 透露了針對消費用家將推出新一代 M9Pe 系列 NVMe SSD，這款 PCI-Express NVMe-SSD 將在今年初正式亮相，日前就率先有 M9Pe NVMe SSD 的 CrystalDiskMark 測試曝光，卓越的性能可媲美 Sasmung 960 EVO SSD。

Plextor全新的 M9Pe 將繼承 M8Pe系列 SSD，Plextor 在 Computex 2017 大會上曾提及 M9Pe 將會是一款 PCIe Gen3x4 NVMe SSD 產品，提供高效纖薄的 heat sink 散熱片設計，並將支援 RGB LED 發光燈效，M9Pe 將採用最新 64 層 3D TLC NAND Flash ，連續讀取速度最高可達 3,100 MB/s 。

SSD 固態硬盤將會變得越來越小，外媒 Tom’s Hardware 最新獲得一個新消息，透露 Intel將會發佈了一款全新的 1TB BGA SSD 固態硬盤產品，與 Toshiba 及 Samsung 同樣採用 MCP多晶片封裝技術，其 3D NAND 將高達 1TB 容量。

Tom’s Hardware 展示了一張由 Intel 取得的圖片，該圖片中有三款 Intel 的產品，圖片的介紹提到：「最左邊是 2016 年的第一代1TB 3D NAND SSD，中間是 2017 年推出的第二代 1TB 3D NAND，最右邊是明年推出的 3D NAND 將會是多少 TB。」根據圖片可看，三款產品分別代表 2.5" SATA3、M.2 及 BGA 封裝的 SSD 產品。

然而，BGA 封裝的 SSD 產品尺寸及引腳數表明這不是一個簡單的 NAND 封裝，全新的 BGA 封裝相比於 Intel 600p SSD ( 圖中第二款產品 )上的 NAND Flash 更大，將識別為 MCP SSD 封裝，體積按規範有 1620 ( 16mm x 20mm )、2024 ( 20mm x 24mm )、2228 ( 22mm x 28mm )、2828 ( 28mm x 28mm ) 四種，Toshiba 及 Samsung 打造了 1620 的 BGA 封裝 BG3 SSD，SATA 6Gb/s 傳輸或帶有兩條/四條的 PCIe 3.0 通道 ( 推測是 NVMe )。

在上週 Toshiba 與 Western Digital 的訴訟紛爭初步已達成和解，並正式將旗下的「東芝記憶體公司」以 180 億美元出售予 Bain Capital，讓公司的業務及未來研發新技術方面擁有更鬆動的資金，Toshiba 除了在日本北上市正在建設 Fab 6 製造廠之外，最新再宣佈計劃投資 10.62 億美元 ( 70 億日元 ) 在日本四日市興建 Fab 7 第七座 NAND Flash 工廠。

據了解，Western Digital 與 Toshiba 和解後將保持合資關係，雙方將繼續共同投資晶片業務，即將投入服務的 Fab6 北上工廠，Western Digital 西數能夠擁有 Toshiba 新生產線的優先投資權，希望與競爭對手 Samsung 、Intel Micron Flash 及 Sk Hynix 一較高下。

Toshiba 目前的 Fab 6 製造廠正在建設中，預計在 2018 年完工，將會主力生產用於智能手機及數據中心的 NAND Flash。當然，Toshiba並沒有減緩在日本架設新設施，將計劃再投資10.62億美元在日本四日市興建 Fab 7 第七座 NAND Flash 工廠。

CORSAIR 在今年8 月推出了 Neutron NX500 NVMe PCIe SSD系列，剛推出時僅提供了 400GB 及 800GB 容量，近日 CORSAIR 就再將 Neutron NX500 的容量再升級，宣佈推出 1,600 GB 容量版本，最大連續讀取高達 3000MB/s、最大連續寫入則達2300MB /s，能夠滿足到對速度有要求的高階用家。

CORSAIR Neutron NX500 NVMe PCIe SSD 1,600GB 頂級容量版本，以 Low-Profile 設計並附有全高及半高托架，採用PCIe Gen3.0 x4 數據傳輸介面，更支援 NVMe 高速傳輸協定，內建PHISON PS5007-E7 NVMe 處理器，配搭 TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND Flash 提供高傳輸速度及 IOPS 表現。

性能方面，Neutron NX500 1,600GB 版本最高連續讀寫速度高達 3000MB /s Read、2300MB/s Write，使用 CrystalDiskMark 進行測試時，讀取速度高達 2,800 MB/s，寫入速度高達 1,600 MB / s，4K QD32 最大隨機讀取高達300,000 IOPS Read，當使用 IOMeter 進行測試時，具有高達 270,000 次 IOPS 4K 寫入，總寫入壽命高達 2,793 TBW。