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台積電的 7nm 工藝研發及量產速度絕對是全球所有半導體廠之中稱霸,目前已坐擁 Apple、Qualcomm、華為、AMD 等大客,除了 7nm 及改良版 7nm EUV 工藝量產如火如荼之外,最新有消息指台積電已在本月開始 5nm 工藝的試產,全新 5nm EUV 相比初代 7nm 工藝在晶體管密度提升約 1.84 倍,運算速度可提升 15%,在台積電 5nm 工藝加持再配合 Zen 4 新架構,預期 Ryzen 5000 系列的 IPC 性能相比 Ryzen 3000 系列最多可增加 32%,AMD 真香!!作為全球半導體代工龍頭,台積電無論在製程的領先性、市場佔有率都遠遠拋離對手 Samsung、Intel「一大截」 ,目前的消息指台積電已提前在 3 月份試產 5nm 工藝,初期產能已經被客戶全部預定,5nm 工藝亦將分“兩步走”,今年量產的是 N5 版本,明年量產 N5P 版本。
雖然台積電官方還沒有公佈 5nm 工藝的具體指標,不過專門分析工藝參數及性能的 WikiChip 網站日前就發佈了一篇關於台積電 5nm 製程的分析論文,結果發現與目前的 7nm 相比,全新的 5nm 在性能上提升巨大。
在 23 日 Microsoft 發佈了一個新的安全公告,警告數十億 Windows 用戶,黑客正在利用兩個關鍵的 zero-day 零日漏洞誘騙用戶打開惡意文件,一旦受害者打開文件(或者在 WindowsPreview 中進行查看),攻擊者就能在設備上安裝勒索軟件等的各種惡意程式,可怕的是今次發現的「高危漏洞」將影響 Windows 操作系統的所有支援版本,即 Windows 10、Windows8.1、WindowsServer 2008/2012/2016/2019 版本、甚至連 Windows 7 版本都可能面臨風險。根據 Microsoft 在 3 月23 日發出的安全公告,披露了一個全新的 Windows 系統高危漏洞,漏洞編號為「CVE-2020-0796」,評為「Critical」高危級別,影響所有受支援的 Windows 版本,「CVE-2020-0796」是一個 zero-day 零時差攻擊,目前被黑客通過“有限的針對性攻擊”加以利用。
Microsoft 指出,該漏洞涉及與 Windows 字體有關的 Adobe Type Manager 庫,這是一種字體解析軟件,不僅可以在使用第三方軟件時解析內容,還可以在無需用戶打開文件的情況下被 Windows 資源管理器用來在“預覽窗格”或“詳細信息窗格”中顯示文件的內容。
目前,NVIDIA 推出的 GeForce RTX 系列繪圖卡比 AMD Radeon RX5000 系列的最大優勢就是支援硬件 Ray Tracing 實時光線追蹤技術,不過由於光追需要龐大的運算性能作為基礎,在畫面提升的時候卻要在 Frame Rate 及性能上付出代價,為了處理這種情況 NVIDIA 亦同時也推出了 DLSS 技術,幫助 GPU 提升運行速度,而在昨日 NVIDIA 正式將 DLSS 技術升級帶來了新一代的「DLSS 2.0」,相比第一代的 DLSS 技術在畫質、效率、通用運算模型、圖像質量模式選擇 4 方面都有提升,讓 4k+ 光線追追蹤突然就近在眼前了。在 2018 年 NVIDIA 正式發佈支援實時光線追蹤的 GeForce RTX 系列繪圖卡,聲稱可以讓遊戲內的反射和陰影效果更加真實,及後亦有數款遊戲支援 Ray Tracing,然而在進行遊戲測試得出的結果,遊戲畫面的確是有客觀性的提升,但卻要要付出巨大的性能代價。
以《Battlefield V》遊戲為例,即使在使用最高階的 RTX2080 Ti 繪圖卡,在沒有開啟光線追蹤的時候,4K 解像度下Frame Rate 可以達到 80-90FPS,體驗十分流暢。然而一旦開啟光線追蹤最高特效之後,在 1080p 解像度下 Frame Rate 甚至不能穩定在 60FPS,4K 解像度下基本就是在播幻燈片了。
今日,DRAMeXchange 發佈分析稱,雖然疫情在中國看似趨緩,然而在中東、歐洲、美國急速擴散,WHO 世界衛生組織已將「武漢肺炎」成為全球大流行傳染病,將讓全球經濟陷入系統性風險,記憶體市場恐怕提前反轉進入不景氣週期。在 2020 年第一季及第二季 DRAM 與 NAND Flash 均價仍維持上漲,主要是因為年初客戶端庫存水位偏低,雖在價格走勢持續上揚的前提下,採購備貨意願強烈。DRAM 及 NAND Flash 價格週期大概 3~4年,兩者的價格分別在 2019 年 12 月及 7 月觸底,當前為週期底部復甦階段,在當前供求關係沒有出現明顯轉換情況下,後續價格下行空間不足,預計未來上漲概率較大,若因為「武漢肺炎」事件持續將會導致供應商出現短期不利變化,不排除價格短期快速上漲可能性。
DRAMeXchange 表示,DRAM 及 NAND Flash 價格真正的挑戰會從第三季開始,隨著需求萎縮導致庫存去化不易,將大幅削弱客戶端採購能力,使得價格漲幅受到抑制,在 NAND Flash 領域更可能由漲轉跌。