市調機構 IC Insights 公佈自 1985 年以來整個半導體行業首 10 位排名變化，當中只有 INTEL 、 TI 及 TOSHIBA 等少數公司仍然保持領導地位，排行榜上的名稱和半導體公司的數量也產生了巨大變化，例如在 80 年代一直是半導體龍頭的 NEC ，於 90 年代被 INTEL 、 TOSHIBA 迎頭趕上，現在更跌出 10 大之列。

據台灣 PC 業者指出， Intel 計劃於 2012 年第二季推出針對 NAS 及入門級伺服器市場推出全新 ATOM 處理器，核心代號為「 Centerton 」的 SoC 晶片，基於 32nm Saltwell 微架構，單晶片設計並不需要外接 Hub 晶片，令系統體積及功耗進一步降低，希望可以在 NAS 及入門級伺服器市場與 ARM 架構產品決一勝負。

全新「 Centerton 」 Atom 處理器為 Dual Core 設計，核心時脈為 1.6GHz ，支援 Hyper-Threading 技術可同處理四個執行緒，支援 64Bit 、 VT-x 等技術均是 ARM 架構產品所無法提供的主要優勢，內建記憶體控制器最高支援 Single Channel DDR3-1333 記憶體配置，最高支援 8GB 系統記憶體容量，再加入 ECC 錯誤驗及記憶體 RAS 功能，進一步提升 Atom 處理器應用於 NAS 及伺服器的可用性。

Intel Atom 處理器將在三年內加速制程與微架構改良，對抗 ARM 架構處理器入侵

據台灣 PC 業者表示， Intel 將會於 2012 年第一季推出全新低階 Celeron G460 處理器，相較現有 Celeron G440 型號，不僅在核心時脈上進一步提升，同時 L3 Cache 容量亦作出增加，值得注意的是 Intel 首次在 Celeron 家族中加入了 Hyper-Threading 技術，有助提升處理器的運算性能。

據了解， Intel 即將推出全新 Celeron G460 處理器，將會在規格上作出了重大變更，雖然與 Celeron G440 一樣是單核心處理器，但卻加入了 Intel Hyper-Threading 技術，令處理器能同時執兩個執行緒，有助提升處理器運算性能。

Celeron G460 核心時脈為 1.8GHz ，相較 Celeron G440 僅 1.6GHz 提升了 200MHz ， L3 Cache 容量亦由 1MB 提升至 1.5MB ，拉開了 Celeron G440 與 Celeron G460 之間的效能差距，同樣內建 Dual Channel DDR3-1066 記憶體，內建 Intel GT1 繪圖核心，核心時脈為 650MHz/1GHz Turbo ，處理器最高 TDP 為 35W 。

Intel 與 Micron 7 日共同宣佈成功推出全球首款 20nm 制程 128Gb MLC NAND 晶片，同時更成功把 8 顆晶片封裝於指尖大小的晶片上，達成 1Tb 資料容量的 NAND Flash 顆粒，此舉將進一步擴大雙方在 NAND Flash 生產技術上的領導地位，兩家公司同時宣佈正式量產 20nm 64Gb MLC NAND Flash 產品， 2012 年 1 月向業者提供 20nm 128Gb MLC NAND Flash 樣本，預期於 2012 上半年正式上市。

單片容量達 128Gb 的全新 20nm 制程 MLC NAND 晶片是由 Intel 與 Micron 合資的 IM Flash Technologies 成功開發，並同時實達成在指尖大小的封裝中，集成 8 塊 128Gb 單片 NAND 晶片實現 1Tb = 128GB 資料存儲容量的 NAND Flash 顆粒，其足以把所有圖書館內的學術著作記紀在內。

與 Intel 及 Micron 現有的 20nm 制程 64Gb NAND 晶片相比，全新 128Gb NAND 晶片在存儲容量和性能方面均提升了一倍，同時符合高速 ONFI 3.0 規範，傳送速率可達 333 MT/s ，提供更經濟及高性能的 SSD 存儲解決方案，以滿足 Tablet 、 Smartphone 及大容量 SSD 的設計需求。