甫結束的 ITF Japan 2020 大會上， 比利時半導體公司 imec 公佈了與 ASML 合作研發的新一代高解析度 EUV 光刻技術 ( High NA EUV Lithography) 的成果，強調「Moore's Law 並不會停下來」，ASML 已為 3nm、2nm、1nm 甚至是 Sub 1nm 所需的 EUV 光刻設備，預計首款 NXE 5000 系列 High NA EUV 光刻機會在 2022 年底前實現商業化。

據 imec 首席執行官暨總裁 Luc Van Den Hove 指出，該公司與 ASML 緊密合作，共同開發下一代高解析度 EUV 光刻技術並取得突破，即使制程到達了 1nm 甚至更小，制程微縮化仍然會繼續，Moore's Law 並不會停下來。

imec 在 ITF Japan 2020 大會上展示了邏輯電路的發展方向，當中 PP 是聚碳酸酯佈線的間距 (nm)，而MP是精細金屬的佈線間距 (nm)，可以看到 FinFET 技術到了 3nm 將會出現屏障，業界將會向著 BPR、CFET 及 2D Atomic Channels 等技術發展。

市調機構 DRAMeXchange 公佈了 2020 年 Q3 記憶體分析報告，指出 DDR4 記憶體目前全行業平均滲透率已高達 90%，同時行業亦開始進入記憶體世代交替，2021 年將會是 DDR5 記憶體元年，不過預期 DDR4 不會太快被淘汰，DDR5 普及關鍵是 Intel。

報告指出，DDR4 在 PC 市場中取得了 96.7% 市佔，伺服器市場高達 98%，不過在消費電子產品中比例較低，DDR4 只佔有 69.4%，但總體而言平均佔有率已達至 90%，從 2014年底 Intel Haswell-E 平台至今約 6 年時，可以說使命已經完成了。

接下來，將會進入 DDR4 與 DDR5 之間的世代交替，DDR5 於 2020 年 7 月正式完成規範，SAMSUNG、SK Hynix 與 Micron 三大廠商已亦推出了 DDR5 顆粒，不過 DDR4 記憶體在未來幾年不會那麼快被淘汰，2021 年 DDR5 只會率先使用於伺服器市場，2022 年才會正式使用於 PC 市場。

近日有媒體報導 Western Digital 將會放棄使用 SanDisk 品牌、正式消失，Western Digital 27 日發表公開聲名指相關報導完全失實，SanDisk 品牌並不會消失，引起誤會的主要原因是 Western Digital 將日本 SanDisk 公司名稱改為 Western Digital GK 與 Western Digital Limited Liability Company，其實此次改動僅是針對日本分公司，其他地區則維持不變。

據 Western Digital 指出，公司旗下擁有 4 個儲存品牌，包括了針對企業級儲存的 Western Digital、針對消費級儲存的 WD、針對專業攝影存儲存的 SanDisk 與針對遊戲玩家的 WD_Black。其中，SanDisk 作為 Western Digital 旗下專為影存儲而生的專業品牌，一直深受全球影專業人仕信賴，並將會繼續加大 SanDisk 品牌營運與推出新產品線。

NZXT 官方公佈關於「H1」Mini-ITX 機箱可能存在安全隱患，附連的 PCIe Riser 卡電纜可能會出現短路導致主機板或顯示卡受損，暫時約收到 10 宗問題報告，為謹慎起見 NZXT 已暫停出貨「H1」，同時亦要求代理商暫停銷售「H1」， NZXT 工程團隊正在確認問題並準備提供修補套件。

據 NZXT 指出，已確定是因為 PCIe Riser 卡組件固定到機箱的兩顆螺釘，可能會導致印刷電路板（PCB）發生電氣短路，NZXT 正在準備修補套件，其中包括兩個新的螺釘即可解決該問題，用家可以在家裡進行更換。

NZXT 確認出現問題的機率為罕見，但絕對安全的方法是關閉 H1 電源先不要使用，直到 NZXT 將修補套件發送給用家並進行維修為止。

PHISON 上週舉行 2020 年第 3 季度財報會公佈，除了談及第二代 PCIe 4.0 SSD 控制晶片已在 10 月底量產，同時 PHISON 次世代 PCIe 5.0 SSD 控制器研發進度良好，將進一步升級至 7nm 制程、或提早至 2021 年底上市，性能可望是現今 PCIe 4.0 SSD 的 1 倍，突破 10GB/s。

據 PHISON 董事長潘建成表示，PHISON 在效能級 SSD 市場上表現亮眼，自 2019 年聯手 AMD 推出首款 28nm 制程「PS5016-E16 」PCIe 4.0 SSD 控制器後，至今已出貨約 150 萬顆。

緊接，PHISON 將會有第二代 PCIe 4.0 SSD 控制器 PS5018-E18 上市，改用 12nm 制程、性能亦提升至 7GB/s，10 月底正式量產。