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Google Chrome 瀏覽器推出 v90 新版本,加入了「命名視窗」與「複製顯目顯示文字的連結」功能,讓經常多開 Chrome 視窗的用家來說帶來方便,但沒想到部份 Windows 10 用家會出現 Chrome 瀏覽器瘋狂崩潰及閃退問題,暫時只有 Windows 10 作業系統用家會有此情況,因此外間懷疑與 Windows Update 有關,Google Chrome 團隊表示問題與用戶數據目錄有關,並提供了以下多個方法解決。使用 Chrome 安裝檔案進行修復,啟動 Chrome History、Bookmark、Password 同步功能後,再關關閉瀏覽器,然後開啟 %LOCALAPPDATA%\Google\Chrome\User Data 目錄後,刪除內裏的 Local State 文件。
開啟 %LOCALAPPDATA%\Google\Chrome\User Data 目錄後,將 User Data 備份後刪除,再重啟 Chrome。
2021-05-21
買了 MSI B560 主機板嗎 ? 如果你買了的話就來參加吧,MSI 與 台灣 PCDIY 聯合舉辦 B560 線上超頻大賽,大家只需要用 MSI B560 主機板超一超記憶體,在 CPUZ 拿取認証再 On9 Submit 到 PCDIY 網站就有機會贏得巨獎,香港區玩家更有額外機會,只要參加就有東西抽,有機取得 MSI 龍魂公仔,唔玩就係 On9 啦。4 DIMM — MAG B560 TOMAHAWK WIFI / MAG B560 MORTAR WIFI / MAG B560 TORPEDO / MAG B560M BAZOOKA / MAG B560M MORTAR
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根據各方的爆料,幾乎可以肯定 Intel 下一代的 Alder Lake-S 處理器將會支援全新的 DDR5 記憶體,在這段時間從 DRAM 顆粒廠商到模組廠商都在積極為全新的 DDR5 備戰。日前,就透露了關於研發新一代 DDR5 記憶體模組的進展,單條 DDR5 記憶體容量將會增加至目前 DDR4 的三倍即 128GB,記憶體速度更可提供 DDR5-6400MHz。
CORSAIR 表示,目前已推出的 DOMINATOR PLATINUM RGB 系列、VENGEANCE RGB PRO SL 系列及 VENGEANCE LPX 系列 DDR4 記憶體不僅著墨於時尚、出色的外觀,在性能上同樣亦擁有出色、卓越的表現。話雖如此,CORSAIR 當然不會佇足於此,隨著 DDR5 新世代快將來臨,CORSAIR 將會在未來推出的 DDR5 記憶體產品上帶來一些關鍵的改進。
據爆料大神 Patrick Schur 在 Twitter 流出消息,AMD 早前已取消了基於 6nm 制程、Zen 3+ 微架構的 Warhol 處理器,在 Zen 3 與 Zen 4 微架構之間,將會出現 Zen 3 的 XT Refresh 版本,這些 CPU 將會升級至 B2 Stepping,暫時已看到有 Ryzen 5 5600XT 與 Ryzen 9 5950 XT 兩款型號,做法與當年 Zen 2 微架構的 Ryzen 3000 XT 相似。據了解,AMD Zen 4 處理器受 5nm 產品緊張將略為延後,早前 AMD 曾計劃在 Zen 3 與 Zen 4 處理器之間,推出半代更新的 Zen 3+ 處理器,原本預計 2021 年底上市,雖然 IPC 性能提升幅度不大,成為 AM4 主機板最後支援的 CPU 型號,但最終 AMD 決定取消計 Zen 3+ 計劃,僅推出 Zen 3 XT Refresh 填補空缺。
據 Patrick Schur 表示,現時已得悉 Ryzen 5000 XT 系列將會在下半年上市,這些晶片將會推出 B2 Stepping,暫時得悉會有 Ryzen 5 5600 XT 與 Ryzen 9 5950 XT,未知會否有 5800 XT 與 5900 XT 出現,核心時脈會省為提高。
2021-05-18
國立台灣大學 NTU、美國麻省理工學院 MIT與 TSMC 台積電聯手,成功研發新興物料取代「矽」,有能力實現 1nm 以下制程技術,為半導體領域帶來新出路,該項研究已登上 Nature 國際期刊。據了解,現時半導體技術採用「矽」作為主要材料,但發展至 3~5 nm 節點已接近極限,半導體界認為「二維材料」 (2D atomic channels) 將會是取代「矽」的新興半導體最佳出路,但一直因為高電阻問題未能再進一步。
NTU、MIT 與 TSMC 於 2019 年開始合作,首先 MIT 研究團隊成功在「二維材料」中加入半金屬「鉍」(Bi),大幅降低電阻性令晶片電流得以提高,TSMC 研究團隊再改進「鉍」沉積制程,NTU 研究團隊再成功運用氦離子束微影系統 Helium-ion beam lithography,將元件通道縮減至 nm 級別,成功取得了半導體的新突破。