兩大韓系 NAND 廠 Samsung 及 SK-Hynix 在早前都齊齊公佈了新 NAND Flash 的發展，SK-Hynix 宣內成功研發並批量生產 128 層堆疊的 4D NAND Flash，而 Samsung 則推出 136 層堆疊的第六代 V-NAND Flash，不過 NAND Flash 堆疊仍未到達極限，SK-Hynix 公佈了公司的規劃路線圖，預計在 2030 年將會推出 800+ 層的 NAND Flash，到時更可以輕鬆打造出 100-200TB 容量的 SSD。

於正在舉行的 Flash Memory Summit 大會上，SK-Hynix 公佈了旗下推出的新產品及公司未來的計劃，目前 SK-Hynix 正在開發 128 層堆疊的 4D NAND Flash，其量產將於今年第四季度開始。

在會上 SK-Hynix 亦展示了一款「PE8030」的全新 SSD，採用 PCIe 4.0x4 介面連接，提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，連續讀寫速度最高可達 6200MB/s、3300MB/s，4KB 隨機讀寫最高可達 950K IOPS、260K IOPS。

從去年開始 SSD 價格就在持續下跌，因此各 NAND Flash 廠商都開始採取不同的行動，除了控制產能之外，另一個更有效的方法就是加強研發新的 NAND Flash 技術。日前，SK-Hynix 正式宣布了其 128 層 4D NAND Flash 晶片正式開始量產，是全球首家開始量產 128 層 NAND Flash 的廠商，是自去年 10 月開發 96 層 4D NAND Flash 之後，時隔 8 個月取得的新成果。

SK-Hynix 全新 128 層 1TB NAND Flash 實現了業界最高的垂直堆疊，擁有 3600 多億個 NAND 單元，為了實現此工藝，SK-Hynix 在自家的 4D NAND 技術上應用了大量創新技術，包括“超均勻垂直蝕刻技術”、“高可靠性多層薄膜細胞形成技術”及“超快速低功耗電路設計”等。

新產品實現了 TLC NAND Flash 業界最高的 1TB 密度，許多儲存器公司已經開發了 1TB QLC NAND 產品，但 TLC Flash 具有良好的性能及可靠性，在 NAND 市場中仍佔有 85% 以上的份額，SK-Hynix 則是首家將 1TB TLC NAND 商業化的廠商。

繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光（EUV）微影技術後，同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產，Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加 2～3 倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外，佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM，也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。

NAND Flash 價格過去已錄得連續 6 個季度下跌，為了防止 NAND Flash 價格進一步下滑，廠商們都各出其謀，除了減產控制 NAND Flash 供應之外，亦需要加強低成本的 NAND 晶片開發，並開始由 TLC 投向 QLC，SK Hynix 在日前就宣佈已向主要SSD 控制器公司提供新的 1Tbit QLC 產品樣品，採用了96層堆棧 4D NAND 技術，將單個晶片中的平面數量從 2 個增加到 4 個，1Tbit 的核心容量是目前 MLC/TLC 主流的 256Gbit、512Gbit 至少兩倍，就能夠輕鬆打造成 16TB 的硬碟。

QLC在一個NAND單元中儲存四位數據，與每單元儲存三位的 TLC 相比，允許更高的密度，96 層 QLC 4D NAND 不僅面積低於現在 3D QLC 產品的 90%，單個晶片中同時處理多達 64KB 數據的高性能產品，確保了成本和性能競爭力。

相比 SLC、MLC 及 TLC，QLC NAND Flash 在容量方面更有優勢，同時成本更低，但 QLC NAND Flash 的電壓控制相對來說更加複雜，導致寫入速度變差，可靠性亦會降低。

DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及，各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備，其中，兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品，Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品，而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議，SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片，設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品，全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm，基於四金屬 DRAM 工藝，封裝面積 76.22 平方毫米，是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM，工作電壓為1.1V。

至於Samsung，在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃，採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V，同時提供高達 7.5G/s 的速度，主要將用於移動設備上，包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。