由於 DRAM 供應商持續將產能轉移至非標準型記憶體，在供應量不明朗因素下，為了避免後續缺貨的可能性，不少 PC-OEM 廠商正試圖在第二季傳統淡季拉高庫存水位，令到 DRAM 合約價於四月份持續上揚，更已是連續五個月上升，其中 DDR3 4GB 記憶體模組價格至今漲幅超過 70% 。

據市場調查機構 DRAMeXchange 8 日發表針對 DRAM 四月下旬合約價走勢報告指出， DDR3 4GB 四月份最高價格達 27 美元水平，比較三月漲幅高達約 13% ，均價為 26.5 美元，同時成交量表現理想， 2GB 模組狀況同樣受供應減少而令價格上升，價格較上月漲幅達 9% ，最高來到 15.5 美元水平。

據了解， DRAM 合約價已是連續五個月上升，主要是由去年標準型記憶體顆粒嚴重供過於求，使得價格持續下跌令廠商出現虧損，為使 DRAM 價格回復健康，廠商於去年底開始廠商把標準型記憶體產能轉移至非標準型產品，令標準型記憶體供應量減少，買方為免缺貨，因此最月拉高庫存水位，使得價格持續回升。

不少用家也會採用隨身碟作流動儲存文件檔案之用，由於不少用家會把隨身碟繫在鑰匙或隨身物作飾品般使用，除了要求擁有高速傳輸效能之外，外觀設計也是考慮因素，為此， PNY 最新推出參考 F1 方程式賽車而設計的 F1 Attaché USB 3.0 隨身碟，迷你之餘採用破格外型設計，加上擁有高速傳輸效能，與 F1 跑車互相輝映。

PNY 最新 F1 Attaché USB 3.0 隨身碟外型以辛辣超跑流線型設計，辣黃外殼配合啞黑保護蓋面刻上三條白色 Racing Strips ，大玩 Two Tone 撞色效果。隨身碟外型細小，尺寸為 30x16x10 ，方便繫於不同隨身物品之上攜帶，而且採用高耐用三防設計，提供防壓、防震、防塵保護。

Samsung 為針對手持式行動裝置市場，提供高速低功耗應用，宣佈推出業界第一款超高速 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒，採用 20nm 製程，聲稱可媲美個人電腦中使用的標準型 DRAM 的性能水平，可提升超過 30% 效能表現，同時減低 20% 功耗。

全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒採用 20nm 製程生產，數據傳輸速度高達 2,133 Mbps ，比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒提供的 800Mbps ，其數據傳輸速度為兩倍以上，一秒同時傳輸容量高達 17GB 的 Full HD 影片到 Samsung 處理晶片，實現流暢而且無縫顯示全高清視頻，特別適用於現時 5 吋或更大尺寸屏幕的手持式行動裝置使用。

除了擁有比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒更高速的傳輸效能外，全新 20nm 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒也擁有更低功耗的表示，如以 30nm LPDDR3 顆粒比較，其功耗可減少約 20% ，令手持式行動裝置電池續航力可以更加耐久。

記憶體模組價格近一兩個月不停上升，最常見亦最多人選購的 DDR3-1600 4GB 產品由早個多月前升至 HKD$190 水平，直至近日平均售價更升至 HK$240 至 HK$270 不等，另一方面 8GB 容量記憶體就算只是 DDR3-1333 型號售價亦超過 HK$400 ，同樣升幅度驚人。

據了解，早前因記憶體顆粒生產商供過於求，令大量記憶體顆粒囤積，導致市 場上記憶體產品價格下調以務求「清貨」，不過廠商近期開始轉移生產行動裝置或其他記憶體產品，由於供應減少，令舊有囤積的一般 PC 平台記憶體產品回復至正常水平，廠商把價格調高以填補利潤，一連串事件導致現時記憶體產品價格由底價大由反彈。

據腦場職員亦表示，在價格上升前腦場有不少砌機用戶會選擇以 2x8GB 記憶體作為起跳目標，甚至選擇「打爆」 32GB 容量，但自價格上升後，選擇高容量的客人明顯減少。過往有用戶選擇 2x8GB 配置組合時價格只需 HK$600 以下，即使未有當前需要也會選擇配置高容量記憶體，但當現時同樣的配置需要 HK$800 至 HK$900 時，因此不少用戶現時已卻步並選擇單組 8GB 的配置，留待日後才選購升級。

針對 NAND Flash 市場走勢，市場調查機構 DRAMeXchange 早前發表四月上旬 NAND Flash 價格報告，指出由於供給減少，令到整體四月上旬 NAND Flash 合約價持續上升，其中 32Gb 的 MLC 與 TLC 顆粒價格上升，不過由於部份廠商已將產能轉往 64Gb 以上的高容量顆粒，高容量顆粒價格將呈現緩跌的格局。

據 DRAMeXchange 四月上旬 NAND Flash 價格報告指出， 64Gb MLC 顆粒維持平盤，而 32Gb 的 MLC 與 TLC 顆粒價格較三月下旬呈現 6-12% 升幅，主要原因是 NAND Flash 原廠把 64Gb 顆粒份額提升至 85% 或以上，令 32Gb 顆粒產出下跌，在供貨更為吃緊與產能減少的情況下，四月上旬 32Gb 顆粒合約價漲幅較為明顯。

現時， NAND Flash 原廠 20 nm 等級的產出比重在第二季正式超過 80% ，智慧型手機、平板電腦與 Ultrabook 所應用的 eMMC 和 SSD 單機搭載量也逐漸走高，逐漸將產能轉往高容量的 MLC 顆粒，減少低容量顆粒產能，因此 64Gb 顆粒作為主要考量，低容量顆粒的產能更將大幅滑落。