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G.Skill 日前已為最新第 12 代 Intel Core 處理器及 Z690 主機板推出多款超高性能 DDR5 超頻規格,今天 G.Skill 再次將記憶體時脈推向新高,展示出高達 DDR5-7000 CL40-40-40-76 2x16GB 的驚人速度。此頂級速度雙通道記憶體由嚴選的高效能 Samsung DDR5 顆粒打造,在 2x16GB 的容量下運行 DDR5-7000 CL40 的震撼高速,並已完成燒機測試,完美展現 G.Skill 新一代 DDR5 記憶體的極致超頻潛力,立下記憶體超頻全新的里程碑,也代表記憶體規格即將開拓 7000 MT/s 以上的嶄新領域。隨著新一代 DDR5 記憶體的問世,G.Skill 資深研發團隊也不停的挑戰持續推升更高的記憶體頻率,今天終於憑藉超群的超頻實力,成功以高效能三星 DDR5 顆粒打造的模組,展 示DDR5-7000 CL40-40-40-76 2x16GB 的震撼速度,並完成燒機測試,創下桌上型記憶體首度能在雙通道下穩定運作於 7000 MT/s 極限速度的全新里程碑。過去這樣的超高記憶體頻率大多只能透過液態氮極限超頻技術來達成,今天卻已成為一般空冷情況下即能穩定運作的速度規格,再次嶄露出 G.Skill DDR5 記憶體無與倫比的極限超頻潛力與性能。以下為此規格的燒機測試截圖:
G.Skill 副總經理 Tequila Huang 表示: 「DDR5-7000 對我們來說是一個歷史性的里程碑,我們很高興能將 DDR5 推向如此高速的領域,G.Skill 將持續努力,與業界夥伴進行更密切的合作,為全球電競玩家及高端電腦用戶開發更強效能 的DDR5 超頻記憶體。」