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入門級7吋屏幕平板電腦  Samsung Galaxy Tab 3 7 Samsung 早前發佈全新 Galaxy Tab 3 平板電腦系列,其中 7 吋針對入門級用家使用,外型貫徹 Galaxy 系列設計, 7 吋屏幕機身外攜時更見輕巧,而且以平易近人的定價為賣點,雖然本體規格和功能較平庸,但若用家要求不高,僅於閒時用作瀏覽網頁、觀看串流影片,或用作後備語音通話手機的話, HK$1,698 定價尚算吸引。
24吋屏幕 支援十指觸控技術 Samsung Series 7 SC770觸控式顯示器
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為提升互動操控體驗使用感, Samsung 16 日推出首部觸控式顯示器 Series 7 SC770 ,採用專為 Windows 8 作業系統而優化的 Samsung 觸控屏幕,支援十指觸控,配合防指紋保護膜技術,為用家提供流暢的觸控操作效果,而且可按個人需要調校顯示器傾斜度,讓用家使用時更加舒適。

Samsung Series 7 SC770 觸控式顯示器為 24 吋屏幕,內建雙聲道揚聲器,提供 2 個 HDMI 輸入介面,支援 1920 x 1080 解像度,亮度為 250 cd/m2 ,對比度為 3000:1 ,反應時間為 5ms ,並支援縱向橫向 178 度可視角。顯示器支援十指觸控,可在屏幕上利用指尖輸入、縮放旋轉或選取圖像。

為了讓用家使用時更為舒適,採用鋁質金屬底座和超幼邊框的亮麗黑色屏幕的顯示器,有別於傳統的固定機座設計,支架可作 5º 至 55º 傾斜調校,符合人體工程學設計,減低因長時間保持相同姿勢操作所造成的肌肉疲勞及疼痛。加上採用簡約接線設計,令桌面更加整齊。
柔性彎曲輕觸屏幕 將9月亮相 Samsung Galaxy Gear 智能手錶
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IFA 2013(Internationale Funkausstellung Berlin )柏林國際電子消費品展覽會將於 9 月 6 日至 11 日於德國柏林舉行,不少業者均預期 Samsung 將於展會上發佈最新旗艦智能手機 Galaxy Note 3 ,同時也有指 Samsung 打算同步推出新世代穿戴式行動手錶 Galaxy Gear ,面對另一邊廂的 Apple 推出 i-Watch 智能手錶始終只聞樓梯響, Samsung 除可望搶先 Apple 推出智能手錶外,其 Galaxy Gear 獨特的柔性彎曲輕觸屏幕外觀設計更是引人入勝,亦為 Samsung 穿戴式行動裝置先試水温 。

據外國傳媒透露, Samsung 將於 IFA 大展上發佈旗首款穿戴式行動裝置 Galaxy Gear ,雖然詳盡規格尚未曝光,但其專利圖已於網上廣為流傳。 Galaxy Gear 將採用 Samsung 自家開發的 Altius OS 系統,支援連繫其 Android 系統,進一步同步資料,如提供語音通話、電郵查詢、音樂播於或日程提示等等功能,令用家於配載時隨時與其他流動裝置保持互動,亦提供 USB 接口讓用家與桌上型裝置進行連結。
入門級雙核、4G 手機 Samsung Galaxy Ace 3
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Samsung 13 日發佈全新 Galaxy Ace 3 入門級智能手機,以入門級手機價位定價,內建雙核心處理器、雙卡雙待及 Android 4.2 系統,分別推出 3G 版本及 4G 版本,以 HK$1,998 定價對於預算型或經常兩地穿梭的用家十分吸引。

Samsung Galaxy Ace 3 針對入門級用家開發,配備不高,但勝在價格實惠, 3G 版本採用 1 GHz 雙核心 Cortex A9 處理器及 4GB ROM ;而 4G 版本則用上 1.21 GHz 雙核心 Cortex A9 處理器及 8GB ROM ,兩款均採用 1GB RAM ,支援最大 64 GB 記億卡擴充,整體配備相對市場上的入門機稍高。

採用 4 吋 TFT 屏幕,支援像素為 800 x 480 及 233 ppi ,小型尺吋適合主要用於商務型用家,方便單手操作及語音通話,而且支援雙卡雙待,經常往返兩地的用家,集兩張 SIM 卡於一機更為方便。另外,數據傳輸制式更支援 4G LTE cat 4 ,收發電郵、社交通訊或瀏覽網頁更為高效。
搭載全新3D V-NAND 快閃記憶體 Samsung正式生產V-NAND SSD Samsung 繼早前於 6 日宣佈推出採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體後,最新於 13 日在其官方網站中宣佈,將推出第一款基於 3D V-NAND 快閃記憶體而成的固態硬碟「 V-NAND SSD 」,為 2.5 吋 7mm SSD 產品,主要針對伺服器器和數據中心等企業級市場應用,據 Samsung 表示產品目前正開始生產,相信不久便會正式上市。

V-NAND SSD 採用剛發佈的 V-NAND 快閃記憶體,記憶體採用垂直單元結構,在 3D 結構的平面細胞層垂直堆疊,在 CTF NAND 的架構中,電荷被暫時放置的非導電層的快閃記憶體中,採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的干擾,通過使用 3D CTF 層的 NAND Flash ,使單一芯片上可提供 128 Gb 容量,透過這些技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力,夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制,提升性能和面積比的計率,也可提升可靠性表現。

據 Samsung 指出,即將上市的 V-NAND SSD 分別推出 960GB 、 480GB 兩款容量版本,搭配 SATA 6Gbps 主控制器,配合 2.5 吋 7mm 規格提供更大的設計靈活性和可擴展彈性。其中, 960GB 容量搭載 64 顆 MLC 3D V-NAND 快閃記憶體,持續和隨機寫入速度提升超過 20% ,而且功耗也可降低超過 40% 。
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