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2008-07-15
從市場面來觀察,隨著整體經濟環境的不佳、中國大陸奧運舉辦在即嚴打走私進口與瑞晶持續增產等諸多因素影響下,整體現貨市場呈現價跌量縮的走勢。值得注意的是上週 DDR2 eTT 512Mb 與 DDR2 eTT 1Gb 一度出現 0.83 美元與 1.78 美元的低價,但隨即買盤進場接貨,縱使市場跌破 1 美元及 2 美元的信心關卡,想固守價格在 0.9 美元與 1.8 美元的防線依然不減。
至於在合約市場方面, 7 月上旬的合約價仍然呈現持平狀態, DDR2 667 1GB 與 2GB 模組均價約落在 22 美元與 44 美元左右,結束了從 4 月初以來的一波漲幅。然而,若換算成顆粒單價,合約市場的 DDR2 667 1Gb 價格落在 2.38 美元,比起目前約 2 美元的現貨價格,仍存在著 19% 的價差,出現了合約現貨價格罕見的不同調情況。
2008-07-03
據市調機構 DRAMeXchange 指出,六月下旬 NAND Flash 平均合約價下跌約 5-25% ,分析師表示主要原因為目前已接近季底, NAND Flash 供應商採取策略性降價促銷的行動,以降低庫存水位以及刺激近期較低迷的 NAND Flash 市場買氣,由於此次降價幅度較大,且伴隨 7 月中旬後 3G iPhone 、 smart phone 與 Low-cost PC 新機種陸續推出的激勵下,預期 NAND Flash 價格可望隨著傳統下半年旺季的需求回溫而逐步回穩。NAND Flash 顆粒價格持續向下的原因, DRAMeXchange 認為是傳統季效應持續,買方缺乏有利的購買誘因,對於第三季的市場需求呈現模糊局面,下游廠商多不願意增加存貨水位。
其次,復之以全球原油價格攀升,導致於消費者信心疲弱,對於消費性電子產品需求,不論是新品購買意願或舊機汰換速度皆呈現下降的情況;加上 6 月底適逢第二季季末,為了避免存貨過多影響公司財務表現,賣方為了出清存貨,在價格上多願意採取減讓態度。
2008-07-03
現貨市場之所以如此,可分供需兩方因素加以說明;供給方面,瑞晶今年以來拉高產出,使現貨市場供給量增加;在需求方面,對 DRAM 現貨價頗具影響力的中國市場,由於奧運舉辦在即,近期中國相關部門對貨物通關轉運安全檢查轉嚴,導致商品流動效率下降,部分原應供給至中國的現貨因而遞延入關。
而這些未能如期進入中國的商品,在市場上流竄造成價格疲軟,甚至使市場懷疑價格疲軟是否肇因於實質需求不振。另外,六月底適逢部分 DRAM 廠財報季底,現貨買家對原廠是否因作帳壓力而釋出庫存產生疑慮,亦使得買方收手觀望。
2008-06-27
伴隨歐美市場 Q2 PC 出貨可能低於預期,及 Samsung 回收問題產品新聞影響,市場擔心該批產品可能流入現貨市場造成多餘供給,上週 DRAM 現貨市場走勢相對弱勢,根據 DRAMeXchange 指出 DDR2 eTT 1Gb 價格一度跌破 2 美元,均價一週內高低差達 5% ,為近期少見跌幅。
此波下跌屬短線利空導致,市場對 DRAM 後市仍看好,縱使開始下跌時成交量不大,跌至 2 美元以下強勁接手買盤浮現,使價格在此止穩。現貨指標 DDR2 eTT 1Gb 五月至今維持在 2 美元以上盤整。
2008-06-18
近期 DRAM 現貨市場市況冷清,成交量維持低檔,在需求與供給兩端都維持量縮的趨勢,因此價格小幅滑落, DDR2 eTT 1Gb 維持在 2.1 美元附近。不過,市場預計現貨價格將小幅盤整,向下修正幅度相當有限, DRAMeXchange 對第三季現貨價格依舊維持緩步盤堅的看法。
六月下旬合約價格,部分 OEM 廠商簽長約到六月底,其他仍視市場狀況談判新價格。 DRAM 廠普遍表示,無法完全滿足買方訂單需求,對六月下旬合約價, DRAM 廠預計續漲 2 ~ 5% 。但也有 PC OEM 客戶則認為,六月適逢部分 DRAM 原廠財報季底,有機會成交較低的合約價。