市調機構 DRAMeXchange 指出， 11 月上旬 NAND Flash 合約價呈現漲跌互見的狀況，平均價格變化區間約在 -2% 到 6% 之間，展望後市，集邦科技表示，預期旺季備貨效應過後， NAND Flash 價格開始回軟。

由於 11 月多數 NAND Flash 供應商的系統廠商旺季備貨大單效應持續，因此有些廠商小幅調高部份產品的 11 月上旬合約價，但隨著廠商們的 3xnm 新製程技術產品在 11 月份的產出比例提高，部份廠商則小幅調降部份產品的 11 月上旬合約價，或者維持平盤，因此 11 月初 NAND Flash 市場在供貨依然偏緊的情況下，合約價仍得以大致呈現部份持穩或小漲的狀態。

展望 NAND Flash 後市的供需狀況，就需求面而言， 11 月底 NAND Flash 下游客戶的備貨高峰期過後，預期備貨需求將隨傳統淡季來臨而遞減，另外近期 Apple 的 iPhone 在中國上市初期的銷售狀況，不若其它已開發市場上市時的盛況，因此並未為 NAND Flash 需求帶來激勵的效果。

DRAMeXchange 表示，由於 PC 大廠提供配搭 DDR3 的 PC 產品，第三季對 DDR3 需求量大幅升， DDR3 合約價在第三季大漲 36% ，現貨價也在合約價的帶動下上漲 24% 。 DDR2 方面，由於 DDR3 合約價格大漲，亦帶動 DDR2 合約價格的漲勢，且在第三季國際 DRAM 大廠轉進 DDR3 相當積極，導致 DDR2 出貨量減少效應持續發酵，部份 PC OEM 廠商亦已逆向操作增加 DDR2 的庫存水位，使得本季 DDR2 合約價漲幅高達 31% 、現貨價格漲幅亦高達 30% ，漲幅與 DDR3 不惶多讓。

第三季各 DRAM 廠商營收在 DDR3 合約價上漲 36% 、現貨價上漲 24% 以及 DDR2 價格上漲 30% 下，皆較第二季成長，成長幅度約在 15 至 55% 之間。其中， Samsung 以及 Powerchip ，第三季營收成長皆達 50% 以上，遠優於市場平均。

2009 年第三季全球 DRAM 產業營收為 57.19 億萬美元，與今年第二季相比，上漲了 40.7% 。其中韓系廠商 Samsung 在 DRAM 合約價上漲、製程持續轉進 50nm 使季位元成長約 10% 以及提高 DDR3 的生產比例下，其第三季 DRAM 營收漲幅高達 51% ，為 17.81 億美元，市佔率上升 2.1% 至 31.1% ，穩佔 DRAM 產業龍頭寶座。韓系廠商 Hynix 第三季 DRAM 營收在季均價上漲 26% 以及季位元成長 12% 的影響下，營收上漲 42.1% ，為 13.18 億萬美元，市佔率上升 0.2% 至 23% ，位居 DRAM 產業營收第二名。

市調機構 DRAMeXchange 公佈 2009 年第三季 NAND Flash 品牌供應商市場報告，在電子系統客戶第四季旺季長單回溫效應的帶動下，第三季 NAND Flash 平均銷售價格 (ASP) 較第二季上升約 4% ，整體 NAND Flash 出貨量則較第二季增加約 17% ， 因此今年第三季各家 NAND Flash 品牌廠商營收都較上一季成長，第三季全球 NAND Flash 品牌廠商整體營收為 33 億 5 千 5 百萬美元，較上一季的 27 億 5 千 9 百萬美元成長 21.6% 。預期第四季在 ASP 持續上漲及旺季出貨穩定成長的雙重助力下， NAND Flash 品牌廠商的整體季營收可望再成長 20% 以上。

Samsung 營收為 12 億 9 千萬美元，市佔率為 38.5% ，維持第一； Toshiba 營收為 11 億 6 千 4 百萬美元，以市佔率 34.7% 排名第二； Micron 為第三名，營收為 3 億 1 千 6 百萬美元，市佔率為 9.4% ; Hynix 為第四名，營收 2 億 9 千 1 百萬美元 ;Intel 列名第五，營收為 2 億 1 千 9 百萬美元； Numonyx 居第六，營收為 7 千 5 百萬美元。

Samsung 受惠於手機及 MP3 市場的旺季庫存回補需求，第三季平均銷售價格較第二季上升約 5% ，出貨量季增率則增加約 15% ，使得 Samsung 的第三季營收增加至 12 億 9 千萬美元，較第二季季成長 24.4% ，市佔率為 38.5% 。

研究機構 DRAMeXchange 日前發表最新 10 份 NAND Flash 報告，報告中指出主流 MLC NAND Flash 合約價格於 10 月上旬錄得約 8 ~ 10% 的升幅，而且未來供應會處於吃緊狀況，預期短期內 NAND Flash 價格仍將維持持續上揚的形勢。

據 DRAMeXchange NAND Flash 報告指出， 10 月上旬主流 MLC NAND Flash 合約均價上漲，主要原因是多數供應商已接獲部份電子系統廠客戶 10 月到 11 月的旺季長單，加上客戶趁著旺季而增加記憶卡備貨需求，令 NAND Flash 市場供貨吃緊，因此導致 NAND Flash 合約價持續地上揚。

據了解，在 10 月到 11 月期間不少 NAND Flash 供應商優先供貨給電子系統廠客戶第四季旺季長單，由於訂單大幅增加，令 NAND Flash 供貨出現供不應求的狀況，使到供應商無法充分滿足部份記憶卡客戶的庫存回補需求。

隨著全球經濟可望在 2010 年復甦，明年各種 NAND Flash 的終端應用產品的出貨量也將轉為成長，市調機構 DRAMeXchange 表示，未來手機、 SSD 、記憶卡將內建更高容量 NAND Flash ，預估 2010 年全球 NAND Flash 將出現缺貨，需求的位元產出將比今年成長 81% ，達到 109.86 億萬 GB 。

DRAMeXchange 預期，明年 MP3 記憶卡及 UFD 等的 NAND Flash 的傳統應用產品的內建容量也將會持續提高，新的應用領域也將為 NAND Flash 市場帶來新的成長動力，例如 : 智能型手機的出貨量將持續成長，且將搭配更高的 NAND Flash 內建容量，而供應商也將更積極的推廣 SSD 在各種電腦相關的應用領域。

就 NAND Flash 供給面而言，目前多數 NAND Flash 供應商多處在由虧轉盈的階段，許多供應商將以 2010 年市場需求的成長率，來做為明年產出成長目標參考，以使 NAND Flash 市場能維持在較平衡的狀態，供應商目前對明年的擴產計劃仍多傾向保守的態度，預期 2010 年 NAND Flash 晶圓總產出量將僅比 2009 年微幅增加，估計明年的資本支出仍將以製程技術升級為主。