DRAM 價格經過去年大幅度下降後，於 2011 年 1 月開始逐漸見底，並於剛過去的農曆新年前反彈回升。據市場調查機構 DRAMeXchange 表示，二月上旬合約價落底反彈趨勢確立，其中 DDR3 4GB 合約價錄得漲幅約 3.33% ，同時，現貨市場 DDR3 顆粒價格於農曆新年前上漲逾 20% ，加上二月中開始 DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢，將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。

據市場調查機構 DRAMeXchange 15 日發表的 DRAM 二月上旬報告指出，自去年第四季合約價格下跌 50% 後，今年開始合約價格逐漸接近底，隨著一月份合約價跌幅縮小，二月上旬合約價落底反彈趨勢確立，其中 DDR3 2GB 合約均價低位漲幅約 3.23% ， DDR3 4GB 漲幅約 3.33% ，成交價由 30 美元 (2Gb $1.72) 上漲至 31 美元 (2Gb $1.78) 。

儘管 Intel 於 1 月 31 日發生 Sandy Bridge 晶片組問題，但據 DRAMeXchange 預估表示，其問題對 DRAM 需求衝擊不大，而且二月中開始修正後的新晶片組將陸續出貨，亦讓合約價格的議定開始有止跌反彈的走向， DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢，將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。

市場調查機構 DRAMeXchange 8 日發表去年全球 DRAM 產業第四季營收報告，指出雖然總產出量較第三季約成長，但由於第四季合約價和現貨價均出現跌幅高企，令第四季營收錄得 20% 的跌幅，營收僅得 86.4 億美元。

據報告顯示，去年全球 DRAM 產業第四季總產出量基於 DRAM 廠製程快速轉進 50nm 及 40nm 製程與良率順利提升，令總產出量較第三季約成長 16% ，但在市場需求方面卻未能負荷，令市場嚴重供過於求，使營收不升反跌。。

其中，第四季 DDR3 2GB 合約均價為 24 美元，相較第三季的 40 美元跌幅高達 40% ，加上 DDR3 1Gb 和 DDR2 1Gb 顆粒現貨價分別下跌，其中場 DDR3 1Gb 1333MHz 跌至 1.51 美元， DDR2 1Gb 800MHz 則下跌至 1.57 美元，跌幅分別為 37% 和 22% ，令到令第四季營收從第三季得 108 億美元跌至僅 86.4 億美，跌幅接近 20 。

於過去一年記憶體價格雖然不斷下跌，但相信有不少用家日前也留意到 DRAM 記憶體顆粒卡農曆新年前有回升跡象，其中據市場調查機構 DRAMeXchange 31 日報告指出， DDR3 1333Mhz 記憶體顆粒現貨價格上週末於亞洲大漲，其中 2Gb 顆粒兩天內合共錄得超過 22% 升幅，預期價格稍後將會繼續上揚。

據 DRAMeXchange 指出，自去年 4 月底開始， DDR3 1333MHz 1Gb 記憶體顆粒由 $3.02 美元一直下跌，並於 10 月 12 日正式跌破 $2 美元關口，期間跌勢一直跌至今年 1 月 26 日的 $1.05 美元低位，跌幅達 66% 。 2Gb 顆粒方面，則由去年 9 月 1 日的 $4.85 美元跌至 $1.76 低位，單單 5 個月跌幅已超過六成以上。

不過， DRAMeXchange 31 日發表 DRAM 記憶體顆粒現貨價格調查報告，指出 DDR3 1333Mhz 配貨價剛於上週末走勢強勁，其中 DDR3 1333Mhz 2Gb 於 1 月 27 日 亞洲收盤前大漲 10% ，現貨均價由 $1.83 暴漲至 $2.03 美元，其於 1 月 28 日 亞洲午盤繼續強攻至 $2.24 美元，兩天漲幅合共超過 22% 。同時， DDR3 1333Mhz 1Gb 也上漲 12% ，現貨均價重回 1.18 美元水平，升勢強勁。

隨著平板電腦熱再度興起，令到 Netbook 市場不但未能在最初推出市場般預期蓬勃，甚至開始出現萎縮。據市場調查機構 DRAMeXchange 25 日發表的報告指出， Netbook 在 2010 下半年開始，便已受到挑戰，而且預期 2011 年更會出現衰退，其預期 2011 年 Netbook 出貨量會衰退 18% 。

自 Netbook 推出市場後，憑藉其小巧輕便設計，受到不少文書用家追捧，初時成長力更十分亮眼，令市場充滿憧憬，但無奈隨著去年中開始，平板電腦再度掀起熱潮，由於功能性與平板電腦多所重疊，加上部份用家開始轉回購買常規 Notebook ，令 Netbook 市場受到不少壓力。

其實去年下半年 Netbook 銷售即已受到影響，加上 2011 年市場將推出大量平板電腦，據 DRAMeXchange 預期 2011 年 Netbook 市場將進一步出現衰退，其出貨量將僅能維持 2700 ~ 2800 萬台，較去年衰退達 18% 。

市場調查機構 DRAMeXchange 18 日發表最新 NAND Flash 市場報告，指出由於 12 月上旬 Toshiba 跳電意外事件的影響，令下游記憶卡客戶在 1 月份市場將發生供貨縮緊的情況，令到 NAND Flash 合約價未能按市場原先預期在年終備貨高峰期過後開始回軟，使 NAND Flash 合約價在 12 月份最終出現明顯止跌反彈狀況。

由於早前 Toshiba 位於日本四日市的廠房曾出現電壓不穩而影響生產程序，因此市場預期明年初 NAND Flash 供給量將會減少，下游廠商免屆時受貨源供不應求引起價格上漲影響，提早於 12 月上旬開始作出補貨。

同時，受惠於平板電腦和智能手機 OEM 廠商訂單充裕，令 1 月上旬 NAND Flash 的供貨呈現偏緊的狀況，據 DRAMeXchange 表示， NAND Flash 合約價未有按市場原先預期在年終備貨高峰期過後回軟，並出現明顯止跌反彈，其中 1 月上旬主流 MLC NAND Flash 合約價上漲 2-5% 。