masseffect巴打,多謝你為我地d小眾用***既ssd出聲,雖然***向香港手機保養上的確得罪好多巴打,但係佢發明既 ...
evan11 發表於 2015-2-24 01:50



   

p.s. 不過留意返,nand flash , 3d nand 都唔算係Samsung 發明,詳情可以問問Toshiba-Sandisk

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回覆 71# KwokAngus
我知nand flash係東芝發明, 定sandisk都有份?
咁3d nand係Toshiba+Sandisk發明?

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好啦, 咁我就再重申多一次: 耐用度冇可能選TLC, TLC資料擺係度幾個月就出事 ...
AC360 發表於 2015-6-25 22:54



    你講既情況應該係 tlc write cycle 用完之後既事
雖然我對 3* TLC 好無好感, 不過師兄你講真係唔係事實

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你講既情況應該係 tlc write cycle 用完之後既事
雖然我對 3* TLC 好無好感, 不過師兄你講真係唔係 ...
rabbit82047 發表於 2015-6-26 14:02

千萬唔好以為MLC轉TLC就只係寫入壽命變短 (P/E 次數變少)一項咁簡單, 而係整個讀寫架構都要因應TLC而作出改動, 其中一項最明顯差距就係TLC的資料保存期(Data Retention)會比MLC短, SAMSUNG已經係840 EVO TLC SSD中左招, 即使TLC P/E未用完, 資料放係度幾個月都會出事.

市面上用TLC既SSD根本就寥寥可數, 之前一直就只有Samsung出TLC SSD, 最近先有SanDisk加入, 而Samsung 840 EVO就係舊年9月份出左事.

出事後一個月Samsung出左修復程式同新Firmware去改善, 但更新完新版Firmware三個月後有用戶發現問題依舊.


TLC闪存出问题了:840 Evo读取旧文件性能大幅下降
http://www.expreview.com/36123.html


TLC闪存真的不堪大用?840 EVO还在掉速!
http://news.mydrivers.com/1/379/379358.htm

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千萬唔好以為MLC轉TLC就只係寫入壽命變短 (P/E 次數變少)一項咁簡單, 而係整個讀寫架構都要因應TLC而作出 ...
AC360 發表於 2015-6-26 20:32



    講真,SLC, MLC, TLC 都好啦,分好多代。nand flash manufacturing分好多process, ssd solution implementation 都好多細微差異,而且技術嘅野日新月異。不妨睇多啲外國嘅technical article, whitepaper, technical presentation

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第一代tlc 當然rip....
Samsung 用緊3d tlc ....

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本帖最後由 masseffect 於 2015-6-27 12:53 編輯
千萬唔好以為MLC轉TLC就只係寫入壽命變短 (P/E 次數變少)一項咁簡單, 而係整個讀寫架構都要因應TLC而作出 ...
AC360 發表於 2015-6-26 20:32


你用2D 同3D 根本無得比....
3D 制程大好多,同埋有其他技術去降低漏電
而且你講嘅data retention 比MLC 短,有幾短呢?講真係無人正式試過,你講嘅只係個人想像
techreport自己試,喺寫入600TB 之後放兩星期,就搵唔到MLC同TLC 有分別(EVO 840),全部都通過測試

而840 EVO 出嘅問題,係同佢漏電有關(所有NAND 都會漏)
但唔好唔記得佢只係讀慢左,而唔係讀唔返
即係話啲NAND 仲有能力HOLD 住啲BIT,只係佢拎個BIT 出嚟嗰陣出問題
呢啲問題,細制程嘅MLC 一樣有機會出現

呢個POST 一路都講緊3D NAND,講新技術,你就係咁講舊嘅,其實有乜意思?
其實我都講左好多3D NAND 嘅技術,有咩改善,但你一路都只係講舊嘅TLC "可能會係點"
咁同而家仲一味話MLC 係垃圾,一定要用SLC有乜分別?
(MLC 以前嘅問題,就正正係第一代TLC 所面對嘅問題..)

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回覆  KwokAngus
我知nand flash係東芝發明, 定sandisk都有份?
咁3d nand係Toshiba+Sandisk發明? ...
戀人未滿 發表於 2015-6-25 23:25

3D NAND 係TOSHIBA 發明

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回覆 77# masseffect


    Apple to orange
講十世都唔明

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本帖最後由 masseffect 於 2015-6-27 13:12 編輯
好啦, 咁我就再重申多一次: 耐用度冇可能選TLC, TLC資料擺係度幾個月就出事 ...
AC360 發表於 2015-6-25 22:54

就再重申多一次: 耐用度冇可能選MLC, MLC資料擺係度幾個月就出事

是但 UP 嘅話我都識
事實係,所有NAND 都有data retention問題,
如要耐用就唔會用MLC 用SLC
要耐用就唔會用SLC 用磁帶
要耐用就刻石板,唔會用電子嘢

不過個問題唔係邊個最耐用,邊個retention最長
重點嘅係balance,某技術嘅data retention、耐用度比較短,但有其他優勢
如果個data retention夠用,咁用呢個新技術又有乜問題?

一直執著單一元素嘅絕對值嚟講,只顯示你嘅偏見同無知

你要得出結論,你起碼要知道
1) 你需要嘅retention係幾耐
2) 嗰件production 嘅retention 係有幾耐

我完全唔明,點解你1) 同2) 都無嘅情況下可以得出結論

而從而家嘅SSD 去睇,consumer grade嘅幾乎係無一隻有相關嘅資料
唯一一隻係intel 730 ,一隻企業用料嘅consumer ssd
佢嘅TBW 係用JEDEC 嘅spec 嚟rate
JEDEC SPEC 喺consumer grade係要個retention 最少有一年
以intel 730 240 GB嚟講,佢個TBW "只有" 91TB

如果真係咁concern TBW 同retention,咁91TB,1年到底係咪可以接受呢?
點解從來無人去講呢啲嘢?
更奇怪嘅係平時用嘅USB 手指、SD CARD,一樣係用NAND,點解從來無人注意佢地嘅TBW 同retention?

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