masseffect

epc d巴打唔多鍾意***
evan11 發表於 2015-2-16 01:54

其實POST 之前都諗緊好唔好POST喺呢度...因為都知實好多打手...

lio

咁講，OCZ，PLEXTOR，CRUCIAL 啲MLC SSD都出過事
而且有啲重要唔係performace問題，直頭係死drive data都 ...
masseffect 發表於 2015-2-17 18:50

    其實MLC剛出個時, 個個都話比SLC慢, 壽命又差咁多, 又唔係平好多, 所以死都唔會買, 而家呢

Miipp

其實MLC剛出個時, 個個都話比SLC慢, 壽命又差咁多, 又唔係平好多, 所以死都唔會買, 而家呢 ...
lio 發表於 2015-2-17 19:06

ching 唔好係度誤導人, 唔好當個個傻的
當日 SLC 同 MLC 係存在極大差價下, 消費者樂意轉為選購 MLC.

睇睇當年個價:
http://www.hkepc.com/forum/viewthread.php?tid=1326576
(SLC) X25-E 32G $2900
(MLC) X25-M 80G $2500

睇睇今日 MLC vs TLC, 用 240~256GB 做比較

<SSD>Samsung 850 EVO Series MZ-75E250BW 250GB 2.5" SATA3 6Gb/s (Solid State Drive, SSD) 固態硬碟 7mm        HK$ 925

<SSD>ADATA Premier Pro SP920SS 256GB 2.5" SATA3 ASP920SS3-256GM-C SSD 固態硬碟 7mm        HK$ 805
<SSD>Crucial M550 256GB CT256M550SSD1 2.5" SATA 3 6Gb/s (Solid State Drive, SSD) 固態硬碟 7mm        HK$ 765
<SSD>Intel 530 Series 240GB SSDSC2BW240A401 2.5" SATA 3 6Gb/s SSD        HK$ 930
<SSD>Plextor 256GB PX-256M6S M6S Series 2.5" SATA3 6Gb/s (Solid State Drive, SSD) 固態硬碟        HK$ 885

不作結論. 自己諗諗呢個 thread 某 d 人有咩機心

rabbit82047

ching 唔好係度誤導人, 唔好當個個傻的
當日 SLC 同 MLC 係存在極大差價下, 消費者樂意轉為選購 M ...
Miipp 發表於 2015-2-17 21:18

   
TLC 同 MLC 賣同一價錢, 呢個真係幫唔落

masseffect

見到呢度啲人，自己無使用經驗，亦都無相關知識，就喺度好似專家咁做評價，老實講我覺得係打手所為
如果討論唔係基於事實同實測
你話覺得好，佢話唔好，齋感覺，咁討論有乜意思？


要了解SLC、MLC 同TLC 嘅優點缺點，你要先理解佢嘅原理

而家嘅NAND flash係用一種floating gate嘅技術
floating gate 係一個用嚟存電子嘅conductor，佢畀oxide insulator包住，用咁嘅機制嚟儲住啲電


當制程越細，個floating gate就越細，可以放到嘅電子就越少
所以漏電就越容易影響個數據

而MLC 一個CELL 儲兩個BIT，TLC 儲三個BIT，BIT 數越多個error margin越細
因為咁MCL比SLC 容易受漏電影響
而TLC又比MLC 容易受漏電影響

另外因為制程細左，隔離啲CELL 又近左，所以又容易受到隔離嘅CELL 影響，改變個電壓

而所謂endurance，就係每次寫入，包住floating gate嘅oxide 會受損，影響絕緣能力，變得更易漏電
到最後甚至會無左絕緣效果，咁個CELL就完全儲唔到電
MLC 同TLC 就要用複雜嘅ECC 嚟CHECK住到底有冇漏電漏到錯，咁樣影響左個nand嘅速度

endurance 同retention 基本上係同樣嘅問題，都係因為oxide受損漏電而引起
改善左漏電嘅影響，就可以同時改善endurance 同retention問題


而家下一代嘅技術，係3D NAND，呢個唔係samsung獨家技術，toshiba(sandisk都用toshiba) 同imft(即係intel 同micron一齊搞嗰間)
都做緊，只係未出product


咁3d nand有乜好處？

1) 因為向上發展，可以用大啲制程，samsung嗰隻係40nm，相對而家啲20nm，大左四倍，可以儲多4倍電子，所以漏電影響減少

2) 同隔離啲cell 可以離遠啲，減少左隔離啲cell 嘅影響

3) 因為3D NAND用唔到floating gate，轉左用另一程技術，charge trapping

charge trapping 可以用低啲嘅電壓寫入，減低左oxide受損，亦都減少左用電

charge trapping同floating gate 唔同，charge trapping 用嚟儲電嘅嘢本身係絕緣嘅，所以就算包住佢oxide 受損，都唔會漏晒啲電子

4) floating gate 係一格細細嘅立方體，但新嘅3d nand 就變左圓柱體，所以儲到嘅電子就更多...


http://thememoryguy.com/3d-nand- ... ver-floating-gates/
http://thememoryguy.com/3d-nand-making-a-vertical-string/


如果同樣技術同樣制程，好明顯就係SLC>MLC>TLC
但唔同技術唔同制程，根本唔可以直接比較

masseffect

關於endurance其實唔係無人試過，techreport就有
http://techreport.com/review/265 ... way-to-a-petabyte/2

佢主要係試左兩樣嘢，寫入同retention

第一個出現reallocation係samsung 840 ，喺100TB 出現，之後一直上升直到死亡
而error 出左兩次，分別係300TB 同埋800TB，寫到去900TB 就死左
reallocation只係代表佢要rearrange 啲cell，唔係代表出事，用起上嚟亦唔會有問題，而且唔係隻隻SSD 都會如實回報
基本上係要去到有ERROR 先算出事，

第二個出reallocation係intel，喺300TB 嘅時出現左一次，之後直到死都無再出現過，可見intel並無如實回報reallocation count
intel 用到700TB 佢就話你壽命用盡，但重可以寫到多50TB，到750TB 就出ERROR，然後死左

第三個係kingston ，佢去到700TB左右先出ERROR 同reallocation，寫到728TB就死左

第四個係CORSAIR ，寫到去1.1TB 出error，1.2TB死

samsung pro 840 寫到2TB 未死

retention佢做左兩次
300TB 一次，斷電五日，全部drive pass
600TB 一次，斷電三星期，全部drive pass
---------------------

另外，hardware.info亦都試過samsung 840 佢地試左兩隻
http://us.hardware.info/reviews/ ... al-update-20-6-2013
兩隻都係去到700+TB 先開始出error，一隻寫到888TB死，另一隻亦都係700+TB開始出ERROR，但佢地無試到佢死
retention佢地都有試，不過只係幾日，亦都無問題


對於齋UP嘅留言我就唔再回應喇，如果有人想討論嘅，希望可以基於實際測試同數據啦

Mini-CaCtuS

回覆 29# masseffect


    lol, sorry, 我的確冇花時間落去睇 我諗我而家都係應住先,跟住之後就會有時間自己去睇完再諗ge

jacky1d01

回復 35 #masseffect

Ching好有心
學到野Thx

由朕發出

evan11

masseffect巴打,多謝你為我地d小眾用***既ssd出聲,雖然***向香港手機保養上的確得罪好多巴打,但係佢發明既電子產品都有實力架,一樣還一樣。唔好因為之前做衰咗個朵就一沉百踩先得。850 pro,840pro,850 evo應該好野黎。

chpyeung

睇完呢個 post, 決定一搏.  今日買 850 EVO 1TB 只係 $2880.