Intel官方確認下周宣布8核至強處理器

一年一度的國際固態電路會議（ISSCC）將于下周在美國舊金山召開，Intel今天則提前公布了他們在此次會議上的討論內容。Intel今年共向ISSCC大會提交了15篇學術論文，其中包括首次官方亮相的Nehalem-EX 8核心至強處理器。

Intel表示，他們將在2月9日在ISSCC會場舉辦主題演講，由公司高級技術人員Mark Bohr探討半導體行業的發展前景。Intel認為，未來的半導體行業是SoC的時代。即隨著摩爾定律的發展，處理器晶體管數量和頻率的競賽即將走到盡頭，Intel將集中注意力開發高能效，高移動性的微處理器産品，諸如Nehalem或Atom這樣的高能效産品代表著未來的走向。將來的微處理器將集成更多功能模塊，成為一個完整的集成系統，也就是現在定義的SoC片上系統。Intel將利用其處理器設計、制造經驗及龐大産能，大力推廣SoC産品。

未來的SoC將集成各種無線通訊模塊，包括WiFi、WiMAX、3G、藍牙等等。Intel會在此次會議上宣布無線通訊領域的3項成果，包括將應用于 60GHz無線通訊，使用45nm CMOS工藝制造的首款7bit 2.5Gb/s模數轉換器，以及使用32nm CMOS工藝制造的熱量傳感器等。

移動設備方面，Intel將引入SIMD（單指令流多數據流）技術。在CPU或GPU中集成SIMD加速模塊後，將大大提升移動設備的多媒體處理能力。Intel此次宣布的四路SIMD矢量加速單元工作電壓僅300mV，能效達到494GOPS/W。

處理器方面，Intel將公布四篇有關企業級處理器的論文，分別討論：

代號Nehalem-EX的8核心至強處理器，集成驚人的23億個晶體管，8核16線程，9M（9金屬層）45nm工藝制造，I/O帶寬6.4GT/s。

代號Nehalem的45nm IA處理器，改進版Core微架構，最高8核心，45nm High-K工藝。

代號Tukwila，支持動態頻率調節的四核Itanium安騰處理器，晶體管數量超過20億，核心面積700平方毫米。

代號Dunnington的6核心至強處理器，晶體管數量19億，采用9M 45nm CMOS工藝制造，集成9MB二級緩存，16MB三級緩存。8路系統的TPCC性能指標達到100萬。