三星40nm內存通過Intel認證 為DDR4鋪路

coollun

三星今天宣布，其第一款40nm DRAM內存芯片已經完成並通過認證，並暗示這是邁向下代DDR4內存的關鍵裏程碑。

三星稱，這種40nm 1Gb DDR2內存芯片構成的1GB DDR2-800 SO-DIMM內存條已經通過Intel GM45平台的認證，相比于當前的50nm産品能減少30％的功耗，同時能將生産效率提高60％，新內存上市的速度也有望加快50％。

最有趣的是，三星指出40nm工藝對“超高性能DRAM技術”的開發來說是“至關重要的一步”，比如DDR4。三星沒有透露更多細節，但DDR4內存很可能要到2012年才會面世。

news.mydrivers.c om/1/127/127094.htm

[N.H.K]anime

唔知cl會有幾多.......

vincent1989

本人重用緊DDR 400 1GB

DVD+RW

假若 Samsang 市佔率 30%
奇夢達市佔率 10%
50nm --> 40nm + 160%
30% 市佔率 x 160% = 48% = 全球增加 18%....
全球 18% - 奇夢達 10%
本來全球 DRAM 已經過剩, 仲要加 8%........
今年 DRAM 價....