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受價格持續上揚帶動 第一季全球行動式記憶體產值再創新高
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根據記憶體儲存研究 DRAMeXchange 調查顯示,去年下半年智慧型手機的新機發表並未如預期帶來換機效應,因此自去年第四季中開始,市場提早進入傳統淡季。品牌廠在歷經 3 個月的庫存水位調節後,於今年二月底才見市場需求轉旺,並重啟拉貨動能,其中又以旗艦新機需求的大容量記憶體居多。整體而言,第一季受到智慧型手機市場回溫、新機發表,以及行動式記憶體平均單價上漲的影響,全球行動式記憶體產值來到 84.35 億美元,較去年第四季提升約 5.3%,一反以往第一季營收衰退的軌跡,再度刷新歷史記錄。

展望第二季行動式記憶體產值表現,儘管合約價格漲幅趨緩,但受惠中國四大品牌 HUAWEI、小米、OPPO、vivo 的需求持續看旺,以及 Android 陣營、Apple 陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響,預估第二季行動式記憶體總產值仍有機會較第一季成長。

以個別供應商的營收表現來看,Samsung 作為全球第一大的 DRAM 供應商,第一季及第二季的報價都因而較過去幾季收斂,報價上的受限讓 Samsung 另謀出路,透過積極行銷大容量記憶體並且結合自家先進奈米製程技術,成功取得多數的大容量訂單,交出第一季營收 47.66 億美元的亮眼成績,鰲占市場龍頭寶座。製程進度上,三星的行動式記憶體幾乎已全採用 18nm 製程,僅少數 LPDDR3 eMCP 組合還有微量供應 20nm 產品。
為第 2 代 Ryzen 桌上型處理器而生 Teamgroup T-FORCE DARK PRO DDR4-3466 MHz 記憶體
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Teamgroup 十銓科技在日前宣佈,旗下掀起全球電競狂潮的電競品牌 T-FORCE 推出專為 AMD 量身打造的電競記憶體規格,隨著AMD 第 2 代 Ryzen 桌上型處理器全球同步上市,Teamgroup 為鎖定超頻及電競愛好者,以 T-FORCE DARK PRO 電競桌上型記憶體系列將超頻極限向上推升,推出 DDR4-3466 MHz 規格,並結合電競平台苛求的效能與穩定,以紮實的技術實力,帶給玩家最優質的使用體驗。

Teamgroup T-FORCE 旗下電競超頻記憶體 DARK PRO 採用模組化高效鍛造式鋁質散熱片,以沉穩內斂的鋼鐵灰混搭紅色系與灰色系銘板打造個人風格,經過實驗室等級的燒機驗證程序及全球各大主機板廠之相容性驗證,擁有絕佳的穩定性及可靠度。自一推出無論是高階效能或是大器設計即受到市場青睞,此次 T-FORCE DARK PRO 針對 AMD 第 2 代 Ryzen 平台特別推出3466MHz的高效能規格,提升相容性的需求,滿足玩家打造一體電競設備需求。

最新推出的 T-FORCE DARK PRO DDR4-3466 MHz 採用嚴選高品質原廠顆粒,將徹底釋放 AMD 第 2 代 Ryzen 平台效能,為記憶體效能提升帶來新高度,更是激爆全球電競動能的霸者,提供最流暢細膩的遊戲體驗及毫不停滯的極致效能。
NAND Flash 第二季度價格下跌放緩至 10% 今年 6 月前後 SSD 售價或出現反彈
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雖然SSD 的價格去幾個月有回落的跡象,差不多已經下降了 50% 左右的價格,然而,近日有業內人士稱,隨著手機及個人電腦對 SSD 需求增長,NAND Flash 價格在 2018 年第三季度將開始放緩, 在 Computex 2018 展會前後更有可能會出現反彈。

據消息指,雖然 NAND Flash 價格在 2017 年底開始下跌,但第二季度價格下跌已經放緩至 10%左右。DigiTimes 報導稱,隨著季節性終端市場需求的增加,市場供大於求的局面將不那麼明顯。

受惠於供應商持續提升 NAND Flash 的產能及良率,NAND Flash 價格下跌的情況雖然會繼續,但在第三季度將放緩,導致價格下跌可能停止。
第二季 eMMC/UFS 價格跌幅加深 2018 下半年隨旺季需求價格回穩
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TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查指出,儘管智慧型手機、筆記型電腦等需求在工作天數回復下較第一季有所提升,但仍無法抵銷3D NAND Flash產能增加及良率改善所帶動供給的成長,使得供應商面對較高的庫存壓力,不得不進一步向下調整價格。

DRAMeXchange指出,為了增加中高階以上智慧型手機的儲存搭載容量,供應商放大在高容量UFS(128/256GB)的價格修正幅度,藉以吸引原本搭載64/128GB eMMC/UFS的機型提升搭載容量。整體而言,eMMC合約價第二季跌幅為0-5%,UFS跌幅則擴大至5-15%。

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查指出,儘管智慧型手機、筆記型電腦等需求在工作天數回復下較第一季有所提升,但仍無法抵銷 3D NAND Flash 產能增加及良率改善所帶動供給的成長,使得供應商面對較高的庫存壓力,不得不進一步向下調整價格。
7nm 工藝製造、4400 MT/s 數據速率 Micron 聯手 Cadence 打造 DDR5-4400 記憶
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Cadence 和 Micron 最新宣佈將聯手打造全球首款可用 DDR5-4400 記憶體模組, Cadence 將會提供其 DDR5 記憶體控制器及 PHY ,並由 Micron 提供台積電生產的 7nm 8 Gb 晶片,全新的 DDR5 記憶體模組能夠實現 4400 MT/s 的傳輸速度,比目前市場上最快的 DDR4 記憶體快大約 37.5%。

全新的 DDR5-4400 記憶體模組測試晶片採用台積電 7nm 工藝製造 8 Gb 晶片,並包含 Cadence 的 DDR5 控制器和 PHY,在 CL42 上實現了 4400 MT/s 的數據速率。與目前的 DDR4 相比,DDR5 的電源電壓從 1.2V 降到 1.1V,允許的波動範圍僅為 ±0.033 V。在這種情況下,規格意味著 8 Gb DDR5 DRAM 晶片可能會達到相當高的 I / O 速度,比現在的 8 Gb 商用 DDR4 IC 低 9% 左右。

DDR5 記憶體模組主要並非僅提升性能部份,同時亦要著重容量方面,目前各種應用對高容量 DRAM 的需求很大,但現代伺服器可以物理地容納有限數量的記憶體模組,而現代記憶體控制器可以處理每個通道有限數量的 DIMM。因此,為了增加 DRAM 的單機容量,記憶體製造商需要構建更高容量的晶片。
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